|
|
Návrh měřiče VA charakteristik dvojpólů
Štěpnička, Martin ; Szabó, Zoltán (oponent) ; Steinbauer, Miloslav (vedoucí práce)
Práce popisuje návrh měřicího přístroje volt-ampérových charakteristik PN přechodů vhodný pro měření charakteristik stabilizačních diod. Popisuje základní princip PN přechodu a s ním spojené jevy. Část textu rozebírá jak nepříznivé parazitní jevy minimalizovat. Dále se zaobírá návrhem síťového zdroje vhodného pro tento přístroj. S tím rozebírá okrajově usměrňovače, stabilizátory a filtry. Následuje popis zapojení zařízení obstarávajícího měření, princip komunikace s počítačem a způsob zpracování získaných dat. V příloze jsou obsaženy schématické návrhy zapojení, desky plošných spojů a rozpis součástek.
|
|
|
Diagnostika PN přechodu křemíkových vysokonapěťových usměrňovacích diod pomocí šumu mikroplazmatu
Raška, Michal ; Chobola, Zdeněk (oponent) ; Hájek, Karel (oponent) ; Koktavý, Pavel (vedoucí práce)
Práce se zabývá diagnostikou lokálních defektů v PN přechodu a přináší nové poznatky v oblasti chování šumu mikroplazmatu a jeho využití k určení změny teploty uvnitř PN přechodu. Právě defekty v PN přechodech jsou zdrojem zmíněného typu šumu, šumu mikroplazmatu. Během měření byly u šumu mikroplazmatu pozorovány odchylky od běžně uváděných pravoúhlých impulzů. Tyto odchylky jsou zde dány do souvislosti se změnou teploty v defektní oblasti a jejím blízkém okolí. Součinitelé generace a rekombinace, jež jsou běžně uváděny v čase konstantní a slouží k popisu chování šumu mikroplazmatu, mají u zkoumaných diod v čase proměnlivý charakter, což je v práci také podrobně vysvětleno. Práce se dále zaměřuje na určení parametrů PN přechodu v případě, kdy jej není možné jednoznačně zařadit jak mezi strmé, tak mezi pozvolné PN přechody. K hlavním hledaným parametrům patří určení bariérové kapacity, difuzního napětí a šířky vyčerpané oblasti v závislosti na přiloženém závěrném napětí. Následně je v textu kvalitativně ověřena souvislost mezi lokálními lavinovými výboji v PN přechodu a vznikem oblasti záporného diferenciálního odporu na VA charakteristice pro závěrně pólovanou diodu. Posledním významným bodem obsaženým v práci je počítačové modelování chování teploty v defektní oblasti a v jejím blízkém okolí během lokálního lavinového průrazu, včetně navržení metodiky určení parametrů oblasti ohřevu u reálných diod.
|
|
|
Měření kapacity vysokonapěťových přechodů PN
Derishev, Anton ; Kosina, Petr (oponent) ; Boušek, Jaroslav (vedoucí práce)
Práce se zabývá měřením kapacity vysokonapěťových PN přechodů. Práce je rozdělena na část teoretickou a praktickou. Teoretická část podává pohled základních vlastností PN přechodů a metod měření kapacity přechodů PN, především metodou C-V měření. V praktické části práce je uvedeno několik druhů zapojeni měřicího obvodu a navržen vhodný způsob tohoto měření. Dále je diskutován výpočet základních parametrů - šířky báze a rezistivity. Dosažené výsledky byly porovnány s hodnotami získanými výpočtem z technologických parametrů přechodu.
|
|
|
Polovodičové struktury, metoda nábojového sběru
Golda, Martin ; Čudek, Pavel (oponent) ; Špinka, Jiří (vedoucí práce)
Práce pojednává o studiu struktur polovodivého křemíku. Popisuje vlastnosti tohoto prvku a vytvoření polovodiče typu P a N, dále se zabývá typy poruch krystalické mřížky. Zabývá se popisem metod sledování poruch v polovodiči, stanovení vlastností polovodičů tj. metodou EBIC, EBIV a CC, které jsou využívány k analýze polovodičových součástek a materiálů. Zjišťování vlastností křemíkových součástek probíhá pomoci generace nosičů náboje ve vzorku, vloženého do komory rastrovacího elektronového mikroskopu dopadajícími vyskoenergiovými elektrony a následným sběrem naindukovaného náboje na PN přechodu. Pomocí dat získaných metodou EBIC a CC byly vyhodnoceny difúzní délka a doba života elektronů.
|
|
|
Měření kvantové účinnosti optoelektronických prvků a návrh laboratorního měřícího systému
Lipr, Tomáš ; Palai-Dany, Tomáš (oponent) ; Macků, Robert (vedoucí práce)
V této práci je řešena problematika měření kvantové účinnosti optoelektronických prvků. Je zde vysvětlen princip fungování solárního článku a zaveden pojem kvantová účinnost. Poté je diskutován vliv polovodičové struktury článku na jeho kvantovou účinnost. Dále je práce zaměřena na samotný návrh automatizovaného pracoviště pro měření kvantové účinnosti optoelektronických prvků. Tato část obsahuje popis zhotovené řídící jednotky krokového motoru s místním i dálkovým ovládáním motoru. Následuje rozbor vybraných funkcí aplikace vytvořené v prostředí Matlab sloužící k řízení celého pracoviště, zpracování a prezentaci naměřených dat. Závěr práce je věnován rozboru získaných výsledků, měření charakteristik různých optoelektronických prvků a jejich stručné interpretaci.
|
|
|
Počítačové modelování MOSFET tranzistoru
Major, Jan ; Harwot, Ondřej (oponent) ; Pokorný, Michal (vedoucí práce)
Práce je zaměřena na počítačové modelování PN přechodu a MOSFET tranzistoru v programu COMSOL Multiphysics a v programu TiberCAD. V textu je pojednáno o driftu a difůzi v polovodičích. Také je ukázán způsob modelování PN přechodu a MOSFET tranzistoru v programech a srovnání modelů.
|
|
|
Využití šumové diagnostiky k analýze vlastností solárních článků
Husák, Marek ; Sládek, Petr (oponent) ; Vaněk, Jiří (vedoucí práce)
Diplomová práce se zabývá šumovou diagnostikou fotovoltaických článků. Popisuje hlavní druhy šumů, které vznikající v solárních článcích. Zkoumané vzorky byly roztřízeny na kvalitní a spolehlivé pomocí šumových spolehlivostních indikátorů. Vzorky byly zkoumány pomocí měření VA charakteristik, spektrální výkonové hustoty šumového napětí v závislosti na napětí a frekvenci. Dopočítána byla spektrální výkonová hustota šumového proudu v závislosti na proudu.
|
|
|
Využití záření emitovaného z lokálních oblastí PN přechodu pro diagnostiku solárních článků
Krčál, Ondřej ; Raška, Michal (oponent) ; Macků, Robert (vedoucí práce)
Je-li PN přechod závěrně polarizován a oblast přechodu obsahuje lokální defekty, může v těchto oblastech dojít ke vzniku lokálních lavinových průrazů. Ty se objevují obvykle při dostatečně velkých závěrných napětích, ale nižších, než je napětí nutné pro lavinový výboj v celé nedefektní oblasti přechodu. Tyto výboje jsou často doprovázeny emisí záření, které nese informaci o procesech probíhajících v dané oblasti. Cílem práce je rozebrat a navrhnout metodické možnosti pro využití záření pro diagnostiku solárních článků.
|
|
|
Šumová diagnostika PN přechodu usměrňovacích diod
Klimíček, Jaromír ; Macků, Robert (oponent) ; Raška, Michal (vedoucí práce)
Práce se zabývá návrhem měřící aparatury pro měření šumu mikroplazmy. Šum mikroplazmy vzniká v defektních částech PN přechodu. Cílem této práce je navrhnout měřící aparaturu a realizovat funkční pracoviště pro měření šumu mikroplazmy, provést měření šumu mikroplazmy a zjistit přenosovou funkci měřící aparatury. Jde především o zvolení vhodných měřících přístrojů, naprogramování programu pro automatizované měření. Poté o zpracování změřených časových průběhů šumu mikroplazmy, výpočty středních hodnot délek impulzů šumu mikroplazmy, zjištění závislosti tohoto šumu na napětí a výpočet spektrální výkonové hustoty. Dalším cílem je zjištění přenosové funkce měřící aparatury a navržení inverzního filtru.
|
|
|
Vícevrstevné polovodičové prvky
SEDLÁK, Jiří
Práce se zabývá polovodičovým tématem s obsahem čtyř základních kapitol: v první kapitole je vysvětlen princip polovodičů a v následujících jsou popsány tři polovodičové prvky tranzistor, tyristor a triak. Cílem je vytvoření multimediálního studijního materiálu ve formě www stránek, který nalezne uplatnění u studentů zejména v polovodičové části elektrotechniky. Tyto stránky budou přiloženy jako příloha k práci na kompaktním disku a také umístěny v univerzitním systému eAMOS.
|
host ::
RSS.