|
|
Interaction of organic molecules with metal passivated semiconductor surfaces studied via STM
Zimmermann, Petr ; Sobotík, Pavel (vedoucí práce)
Název Studium interakce organických molekul na kovem pasivovaných površích křemíku pomocí STM Autor Petr Zimmermann Katedra / Ústav Katedra fyziky povrchů a plazmatu Vedoucí doktorské práce Doc. RNDr. Pavel Sobotík, CSc. Katedra fyziky povrchů a plazmatu Abstrakt Organické molekuly vykazují celou řadu optických, elektronických či chemických vlastností. Vhodnou integrací s křemíkem by tak mohly umožnit vznik zcela nových druhů zařízení. Řízená funkcionalizace křemíku organickými molekulami je však pro- blematická kvůli přítomnosti vysoce reaktivních vazeb na jeho površích. V této práci zkoumáme možnosti snížení reaktivity křemíkových povrchů pomocí ultratenkých vrs- tev kovových adsorbátů a s využitím řádkovací tunelové mikroskopie studujeme, jak s nimi interagují organické molekuly. V první části zkoumáme interakci ethylenu, malé nenasycené molekuly, s cínovými a indiovými 1D řetízky na Si(001) - 2 × 1. Tyto řetízky jsou tvořeny dimery, jež mají strukturu analogickou s křemíkovými dimery tvo- řící Si(001) - 2 × 1. Ukázalo se, že cínové řetízky jsou méně reaktivní než samotný Si(001) povrch a dále že absence π vazby v indiovém dimeru způsobuje, že indiové řetízky jsou pro etylen inertní. V druhé části pak zkoumáme interakci fthalocyaninu mědnatého (CuPc), malé makrocyklické heteroaromatické sloučeniny, na...
|
|
|
Structure defects in SiC radiation detectors
Zetek, Matyáš ; Belas, Eduard (vedoucí práce)
Silicon karbid je širokopásový polovodič o šířce gapu 2.4 eV - 3.3eV. SiC je dobře znám pro své vlastnosti, které dovolují jeho aplikaci v extrémních podmínkách. Jeho potencionální uplatnění je například vysokofrekvenčních a silnoproudých aplikacích, nebo v místech se silnou radiací či vysokou teplotou. V této práci se zaměřujeme na základní výzkum strukturních defektů, který právě umožní vývoj takovýchto detektorů na bázi SiC. Konkrétně zkoumáme bodové defekty a identifikujeme jimi vytvořené hladiny v zakázaném pásu. K tomuto účelu používáme především Photo-Hall effect spectroscopy (PHES), kterou doplňujeme o měření teplotně závislého Hallova jevu a teplotně závislé fotoluminiscence.
|
|
|
Vliv defektů ve dřevě na stanovení rychlosti šíření zvuku ve dřevě v čerstvém stavu
Vobořil, Matěj
Tato bakalářská práce se zabývá stanovením rychlosti šíření zvuku ve dřevě v čerstvém stavu. Konkrétně byl zkoumán javor mléč (Acer platanoides L.). Akustické vlastnosti byly zjištěny pomocí nedestruktivní metody přístroji od firmy Fakopp. Jednalo se o přístroje ultrasonic timer a microsecond timer. Pro měření byly zvoleny sondy SD02, TD45 a US10. Primárním cílem bylo stanovit rychlost zvukového signálu šířící se jak výřezy o délce 1 m, tak i vymanipulovanými vzorky o rozměrech 20 × 20 × 300 mm a zjistit vliv defektů dřeva na tuto rychlost. Sekundárním cílem bylo zjistit závislost naměřených výsledků v závislosti na světové straně.
|
|
|
Structure defects in SiC radiation detectors
Zetek, Matyáš ; Belas, Eduard (vedoucí práce)
Silicon karbid je širokopásový polovodič o šířce gapu 2.4 eV - 3.3eV. SiC je dobře znám pro své vlastnosti, které dovolují jeho aplikaci v extrémních podmínkách. Jeho potencionální uplatnění je například vysokofrekvenčních a silnoproudých aplikacích, nebo v místech se silnou radiací či vysokou teplotou. V této práci se zaměřujeme na základní výzkum strukturních defektů, který právě umožní vývoj takovýchto detektorů na bázi SiC. Konkrétně zkoumáme bodové defekty a identifikujeme jimi vytvořené hladiny v zakázaném pásu. K tomuto účelu používáme především Photo-Hall effect spectroscopy (PHES), kterou doplňujeme o měření teplotně závislého Hallova jevu a teplotně závislé fotoluminiscence.
|
|
|
Interaction of organic molecules with metal passivated semiconductor surfaces studied via STM
Zimmermann, Petr ; Sobotík, Pavel (vedoucí práce)
Název Studium interakce organických molekul na kovem pasivovaných površích křemíku pomocí STM Autor Petr Zimmermann Katedra / Ústav Katedra fyziky povrchů a plazmatu Vedoucí doktorské práce Doc. RNDr. Pavel Sobotík, CSc. Katedra fyziky povrchů a plazmatu Abstrakt Organické molekuly vykazují celou řadu optických, elektronických či chemických vlastností. Vhodnou integrací s křemíkem by tak mohly umožnit vznik zcela nových druhů zařízení. Řízená funkcionalizace křemíku organickými molekulami je však pro- blematická kvůli přítomnosti vysoce reaktivních vazeb na jeho površích. V této práci zkoumáme možnosti snížení reaktivity křemíkových povrchů pomocí ultratenkých vrs- tev kovových adsorbátů a s využitím řádkovací tunelové mikroskopie studujeme, jak s nimi interagují organické molekuly. V první části zkoumáme interakci ethylenu, malé nenasycené molekuly, s cínovými a indiovými 1D řetízky na Si(001) - 2 × 1. Tyto řetízky jsou tvořeny dimery, jež mají strukturu analogickou s křemíkovými dimery tvo- řící Si(001) - 2 × 1. Ukázalo se, že cínové řetízky jsou méně reaktivní než samotný Si(001) povrch a dále že absence π vazby v indiovém dimeru způsobuje, že indiové řetízky jsou pro etylen inertní. V druhé části pak zkoumáme interakci fthalocyaninu mědnatého (CuPc), malé makrocyklické heteroaromatické sloučeniny, na...
|
|
|
Interaction of organic molecules with metal passivated semiconductor surfaces studied via STM
Zimmermann, Petr ; Sobotík, Pavel (vedoucí práce) ; Plšek, Jan (oponent) ; Šikola, Tomáš (oponent)
Název Studium interakce organických molekul na kovem pasivovaných površích křemíku pomocí STM Autor Petr Zimmermann Katedra / Ústav Katedra fyziky povrchů a plazmatu Vedoucí doktorské práce Doc. RNDr. Pavel Sobotík, CSc. Katedra fyziky povrchů a plazmatu Abstrakt Organické molekuly vykazují celou řadu optických, elektronických či chemických vlastností. Vhodnou integrací s křemíkem by tak mohly umožnit vznik zcela nových druhů zařízení. Řízená funkcionalizace křemíku organickými molekulami je však pro- blematická kvůli přítomnosti vysoce reaktivních vazeb na jeho površích. V této práci zkoumáme možnosti snížení reaktivity křemíkových povrchů pomocí ultratenkých vrs- tev kovových adsorbátů a s využitím řádkovací tunelové mikroskopie studujeme, jak s nimi interagují organické molekuly. V první části zkoumáme interakci ethylenu, malé nenasycené molekuly, s cínovými a indiovými 1D řetízky na Si(001) - 2 × 1. Tyto řetízky jsou tvořeny dimery, jež mají strukturu analogickou s křemíkovými dimery tvo- řící Si(001) - 2 × 1. Ukázalo se, že cínové řetízky jsou méně reaktivní než samotný Si(001) povrch a dále že absence π vazby v indiovém dimeru způsobuje, že indiové řetízky jsou pro etylen inertní. V druhé části pak zkoumáme interakci fthalocyaninu mědnatého (CuPc), malé makrocyklické heteroaromatické sloučeniny, na...
|
|
|
Analýza a optimalizace procesu výroby vývojových vzorků
Hamr, Tomáš ; Zatloukal, Miroslav (oponent) ; Starý, Jiří (vedoucí práce)
V této diplomové práci jsou shrnuty základní poznatky o problematice výroby vývojových vzorků DPS. Důraz je kladen zejména na požadovanou kvalitu, která vychází z uvedených norem. Teoretická část obsahuje metodiku na hodnocení kvality neosazených DPS, na osazení a pájení, na sledování změn parametrů součástek za různých enviromentálních vlivů. Praktická část je realizována ve spolupráci s oddělením EEG na R&D Automotive Lighting Jihlava. Věnována je návrhu a vyhotovení vývojových vzorků, u kterých je následně vyhodnocena kvalita pomocí stanovené metodiky z teoretické části. Pomocí rentgenu, mikrovýbrusu a dalších metod jsou desky analyzovány a na základě výsledků jsou předána doporučení pro případné zlepšení.
|
|
|
Structure defects in SiC radiation detectors
Zetek, Matyáš ; Belas, Eduard (vedoucí práce) ; Hazdra, Pavel (oponent)
Silicon karbid je širokopásový polovodič o šířce gapu 2.4 eV - 3.3eV. SiC je dobře znám pro své vlastnosti, které dovolují jeho aplikaci v extrémních podmínkách. Jeho potencionální uplatnění je například vysokofrekvenčních a silnoproudých aplikacích, nebo v místech se silnou radiací či vysokou teplotou. V této práci se zaměřujeme na základní výzkum strukturních defektů, který právě umožní vývoj takovýchto detektorů na bázi SiC. Konkrétně zkoumáme bodové defekty a identifikujeme jimi vytvořené hladiny v zakázaném pásu. K tomuto účelu používáme především Photo-Hall effect spectroscopy (PHES), kterou doplňujeme o měření teplotně závislého Hallova jevu a teplotně závislé fotoluminiscence.
|
|
|
Study of hydrogen interaction with defects in thin metallic films
Hruška, Petr ; Čížek, Jakub (vedoucí práce) ; Krsjak, Vladimír (oponent) ; Mathis, Kristián (oponent)
Tenké kovové vrstvy představují zajímavé materiály pro potenciální ukládání vodíku a optické senzory citlivé na vodík. Tenké vrstvy s různou mik- rostrukturou od nanokrystalické po epitaxní mohou být poměrně snadno připra- veny pouhou změnou depozičních parametrů. Depozice multivrstev umožňuje pří- pravu tenkých vrstev s libovolným složením. Defektní struktura hraje důležitou roli při absorpci vodíku. Atomy vodíku se- gregované v defektech s otevřeným objemem snižují jejich formační energii, což vede ke zvýšení koncentrace vodíkem indukovaných defektů v materiálu. Difuze vodíku podél dislokací a hranic zrn navíc usnadňuje absorpci vodíku v krystalové mříži. Tenké vrstvy upnuté na tuhý substrát vykazují anizotropní objemovou ex- panzi během dopování vodíkem. Důsledkem je vytvoření velkých pnutí ve vrstvě, které mohou vyústit v odtržení vrstvy od substrátu. V předkládané práci byla studována absorpce vodíku v Gd a Pd vrstvách a Pd- Mg multivrstvách. Vývoj defektů ve vodíkem dopovaných vrstvách byl zkoumán pomocí metody pozitronové anihilační spektroskopie s proměnnou energií do- plněné difrakcí rentgenového záření, mikroskopií atomárních sil a měřením optické transmitance. Jako...
|
|
|
Investigation of defects in quasicrystals
Vlček, Marián ; Čížek, Jakub (vedoucí práce)
Název práce: Studium defekt· v kvazikrystalech Autor: Marián Vlček Katedra: Katedra fyziky nízkých teplot Vedoucí disertační práce: doc. Mgr. Jakub ížek, Ph.D., Katedra fyziky nízkých teplot Abstrakt: V predloženej práci boli pomocou spektroskopie doby života poz- itrónov a koincidenčnej spektroskopie Dopplerovského rozšírenia anihilačného píku študované zliatiny WE43 s prídavkom zinku a ternárne zliatiny Mg-Zn-Y. V týchto zliatinách bola nedávno zistená prítomnos' ikosahedrálnej fázy Mg3Zn6Y1 s kvázikryštalickou štruktúrou, čo pritiahlo pozornos' výskumníkov. Spektroskopia doby života pozitrónov preukázala prítomnos' unikátnych vakanciám podobných defektov na rozhraní ikosahedrálnej fázy a horčíkovej matrice, ktoré sú charakter- istické pre horčíkové zliatiny obsahujúce ikosahedrálnu fázu. Tepelné spracovanie skúmaných zliatin vedie k významným zmenám morfológie hraničných fáz. Ke¤že vakanciám podobné defekty spojené s ikosahedrálnou fázou sa vyskytujú na jej rozhraní s horčíkovou matricou, zmeny v morfológii ikosahedrálnej fázy vedú k výrazným zmenám koncentrácie týchto defektov. "alej boli skúmané vzorky pripravené uhlovým pretláčaním kanálom rovnakého prierezu. Typy defektov prítomné v týchto zliatinách a ich teplotná stabilita bola určená pomocou spektroskopie doby života pozitrónov a merania tvrdosti...
|
host ::
RSS.