Hlavní stránka > Výsledky hledání: keywords:"Semiconductor devices"
Hledej:
Tipy pro vyhledávaní :: Rozšířené hledání
Hledej ve sbírkách:
Seřadit podle: Zobrazit výsledky: Výstupní formát:
Národní úložiště šedé literatury Nalezeno 16 záznamů.  předchozí11 - 16  přejít na záznam: Hledání trvalo 0.01 vteřin. 
Influence of Sample Preparation on Beem Spectroscopic Measurements of Tunnelling In As/Al Sb Double Barrier Heterostructures
 Walachová, Jarmila
Úplný záznam
Guided modes in spontaneous edge electroluminescence
 Starosta, Karel ; Zavadil, Jiří
Úplný záznam
RTG stanovení mřížkového přizpůsobení polovodičových heterostructur InGaAsP/InP
 Novotný, Jan ; Procházková, Olga ; Kacerovský, Pavel
Úplný záznam
Models of semiconductor devices for diagnostics of electronic systems
 Žilka, Zdeněk ; Braun, Jaromír ; Berka, Zbyněk
Úplný záznam
Transistor model with singular elements
 Braun, Jaromír ; Berka, Zbyněk ; Žilka, Zdeněk
Úplný záznam
Polovodičová pojistka jako zkratová ochrana napěťového střídače se součástkami IGCT
 Bartoš, Stanislav ; Semerád, Radko ; Škramlík, Jiří
Součástky IGCT vykazují vysoké hodnoty parametru I2t. Tato jejich vlastnost umožńuje chránit střídače s IGCT proti zkratu velmi rychlými, tzv. polovodičovými pojistkami. Správná volba pojistek při jejich zapojení ve stejnosměrném meziobvodu je však ztížena tím, že parametr I2t je u pojistek i u polovodičových součástek zpravidla definiván pro půlsinusový průběh proudu 50 Hz, zatímco zkratový proud ve stejnosměrném meziobvodu střídače má průběh odlišný.
Úplný záznam

Národní úložiště šedé literatury : Nalezeno 16 záznamů.   předchozí11 - 16  přejít na záznam:
Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.
Digitální repozitář :: Hledej :: Nový záznam :: Personalizace :: Nápověda
Powered by Invenio v1.1.2
Spravuje admin.invenio@techlib.cz
Tato stránka je dostupná také v následujících jazycích:
Česky  English