|
|
Model stárnutí unipolárního tranzistoru
Soukal, Pavel ; Kolka, Zdeněk (oponent) ; Petržela, Jiří (vedoucí práce)
S neustálým vývojem v bezdrátových komunikacích je v posledních letech žádoucí integrace rádio-frekvenčních a komunikačních obvodů do jednoho čipu. Technologie CMOS se postupem času neustále vyvíjí, a proto se stává více atraktivní pro realizaci implementace systému do jediného čipu. CMOS tranzistory jsou však stále zmenšovány, a proto ve vzrůstajícím elektrickém poli významně roste efekt horkých přepravců (HCI). Pokud je oxid zmenšen na méně než 5 nm je zde pravděpodobnost měkkého nebo tvrdého selhání oxidu (S/HBD). Výsledkem generování těchto oxidových pastí je dlouhodobá odchylka od normálního výkonu, která souvisí se spolehlivostí zařízení a obvodů. Se zmenšováním a rostoucími ztrátami na výkonu se provozní teplota značně zvyšuje. Další problém ve spolehlivosti zařízení je teplotní nestabilita pracovního bodu (NBTI) způsobená pastmi pod vysokou teplotou a záporným napětím hradla, které vzniká při zvýšené operační teplotě zařízení. Extrakce parametrů je velmi důležitou součásti procesu modelování elektronických součástí, protože hledá hodnoty neznámých parametrů matematického modelu, který modeluje fyzikální závislosti dané součástky. Potíž je, že problém extrakce je špatně postavenou úlohou, jejíž řešení je obtížné. Tato diplomová práce také ukazuje extrakci (vyjmutí) parametru, metodiku optimalizace a ověřování těchto poznatků na matematických modelech MOSFET tranzistoru (LEVEL1, LEVEL2 a LEVEL3). Uvedená nelineární metoda je založena na metodě nejmenších čtverců, kterou řešíme Levenberg - Marquardtovým algoritmem.
|
|
|
Model stárnutí unipolárního tranzistoru
Soukal, Pavel ; Kolka, Zdeněk (oponent) ; Petržela, Jiří (vedoucí práce)
S neustálým vývojem v bezdrátových komunikacích je v posledních letech žádoucí integrace rádio-frekvenčních a komunikačních obvodů do jednoho čipu. Technologie CMOS se postupem času neustále vyvíjí, a proto se stává více atraktivní pro realizaci implementace systému do jediného čipu. CMOS tranzistory jsou však stále zmenšovány, a proto ve vzrůstajícím elektrickém poli významně roste efekt horkých přepravců (HCI). Pokud je oxid zmenšen na méně než 5 nm je zde pravděpodobnost měkkého nebo tvrdého selhání oxidu (S/HBD). Výsledkem generování těchto oxidových pastí je dlouhodobá odchylka od normálního výkonu, která souvisí se spolehlivostí zařízení a obvodů. Se zmenšováním a rostoucími ztrátami na výkonu se provozní teplota značně zvyšuje. Další problém ve spolehlivosti zařízení je teplotní nestabilita pracovního bodu (NBTI) způsobená pastmi pod vysokou teplotou a záporným napětím hradla, které vzniká při zvýšené operační teplotě zařízení. Extrakce parametrů je velmi důležitou součásti procesu modelování elektronických součástí, protože hledá hodnoty neznámých parametrů matematického modelu, který modeluje fyzikální závislosti dané součástky. Potíž je, že problém extrakce je špatně postavenou úlohou, jejíž řešení je obtížné. Tato diplomová práce také ukazuje extrakci (vyjmutí) parametru, metodiku optimalizace a ověřování těchto poznatků na matematických modelech MOSFET tranzistoru (LEVEL1, LEVEL2 a LEVEL3). Uvedená nelineární metoda je založena na metodě nejmenších čtverců, kterou řešíme Levenberg - Marquardtovým algoritmem.
|
host ::
RSS.