|
|
Studium adsorpce atomů kovů na povrchu Si(111) 7x7 pomocí STM
Setvín, Martin ; Ošťádal, Ivan (vedoucí práce) ; Nehasil, Václav (oponent)
Cílem práce je studium přeskoků jednoho atomu stříbra mezi adsorpčními pozicemi uvnitř půlcely povrchu Si(111) rekonstrukce 7×7. Z jejich studia je možné určit aktivační energie a frekvenční prefaktory pro přeskoky mezi jednotlivými pozicemi. V rámci přípravy experimentu bylo nutné upravit nízkoteplotní STM (Scanning Tunelling Microscope). Upraven byl zejména systém chlazení vzorku a inerciální motor sloužící pro hrubé přiblížení vzorku ke hrotu. Dále byly zlepšeny vakuové vlastnosti aparatury. Bylo dosaženo výrazného pokroku v metodice přípravy leptaných wolframových hrotůpro STM a dalšího zacházení s nimi. Pozornost byla věnována především vlivu autoemise na hrot. V komoře nízkoteplotního STM se nepodařilo vytvořit rekonstrukci 7×7 - povrch potřebný pro studium adsorpčních pozic. Důvodem je pravděpodobně nedostatečné odplynění vzorku. Tato práce obsahuje podrobný teoretický rozbor problému určování aktivačních energií a frekvenčních prefaktorů. Jsou zde popsány výsledky testu metody studia přeskoků atomů pomocí šumu tunelového proudu.
|
|
|
Interaction of group III and IV metals with Si(100) surface in temperature range from 20 to 800K
Setvín, Martin ; Ošťádal, Ivan (vedoucí práce) ; Janda, Pavel (oponent) ; Klapetek, Petr (oponent)
1 Název práce: Interakce kovů III. a IV. skupiny s povrchem Si(100) v rozmezí teplot od 20 do 800 K Autor: Martin Setvín Katedra: Katedra fyziky povrchů a plazmatu Vedoucí doktorské práce: Doc. RNDr. Ivan Ošt'ádal CSc. Abstrakt: Interakce kovů III. a IV. skupiny s povrchem Si(100) v rozmezí teplot od 20 do 800 K byla studována pomocí rastrovací tunelové mikroskopie (STM) a mikroskopie atomárních sil (AFM). Adsorpci a přeskoky jednotlivých kovových atomů na povrchu Si(100)-c(4×2) lze sledovat pomocí STM za snížených teplot. Pomocí dvou metod byly určeny aktivačí energie a frekvenční prefaktory pro přeskoky jednotlivých indiových atomů - přímým STM měřením za nízké teploty a pomocí kinetických Monte Carlo simulací růstového pro- cesu za pokojové teploty. Kovy III. a IV. kupiny se v blízkosti pokojové teploty samouspořádávají do řetízků, které jsou pouze jeden atom široké. Atomární a elektronová struktura řetízků byla zkoumána pomocí STM a dynamického nekontaktního AFM. Klíčová slova: Si(100), STM, AFM, adsorpce, difúze
|
|
|
Interaction of group III and IV metals with Si(100) surface in temperature range from 20 to 800K
Setvín, Martin ; Ošťádal, Ivan (vedoucí práce) ; Janda, Pavel (oponent) ; Klapetek, Petr (oponent)
1 Název práce: Interakce kovů III. a IV. skupiny s povrchem Si(100) v rozmezí teplot od 20 do 800 K Autor: Martin Setvín Katedra: Katedra fyziky povrchů a plazmatu Vedoucí doktorské práce: Doc. RNDr. Ivan Ošt'ádal CSc. Abstrakt: Interakce kovů III. a IV. skupiny s povrchem Si(100) v rozmezí teplot od 20 do 800 K byla studována pomocí rastrovací tunelové mikroskopie (STM) a mikroskopie atomárních sil (AFM). Adsorpci a přeskoky jednotlivých kovových atomů na povrchu Si(100)-c(4×2) lze sledovat pomocí STM za snížených teplot. Pomocí dvou metod byly určeny aktivačí energie a frekvenční prefaktory pro přeskoky jednotlivých indiových atomů - přímým STM měřením za nízké teploty a pomocí kinetických Monte Carlo simulací růstového pro- cesu za pokojové teploty. Kovy III. a IV. kupiny se v blízkosti pokojové teploty samouspořádávají do řetízků, které jsou pouze jeden atom široké. Atomární a elektronová struktura řetízků byla zkoumána pomocí STM a dynamického nekontaktního AFM. Klíčová slova: Si(100), STM, AFM, adsorpce, difúze
|
|
|
Studium adsorpce atomů kovů na povrchu Si(111) 7x7 pomocí STM
Setvín, Martin ; Ošťádal, Ivan (vedoucí práce) ; Nehasil, Václav (oponent)
Cílem práce je studium přeskoků jednoho atomu stříbra mezi adsorpčními pozicemi uvnitř půlcely povrchu Si(111) rekonstrukce 7×7. Z jejich studia je možné určit aktivační energie a frekvenční prefaktory pro přeskoky mezi jednotlivými pozicemi. V rámci přípravy experimentu bylo nutné upravit nízkoteplotní STM (Scanning Tunelling Microscope). Upraven byl zejména systém chlazení vzorku a inerciální motor sloužící pro hrubé přiblížení vzorku ke hrotu. Dále byly zlepšeny vakuové vlastnosti aparatury. Bylo dosaženo výrazného pokroku v metodice přípravy leptaných wolframových hrotůpro STM a dalšího zacházení s nimi. Pozornost byla věnována především vlivu autoemise na hrot. V komoře nízkoteplotního STM se nepodařilo vytvořit rekonstrukci 7×7 - povrch potřebný pro studium adsorpčních pozic. Důvodem je pravděpodobně nedostatečné odplynění vzorku. Tato práce obsahuje podrobný teoretický rozbor problému určování aktivačních energií a frekvenčních prefaktorů. Jsou zde popsány výsledky testu metody studia přeskoků atomů pomocí šumu tunelového proudu.
|
host ::
RSS.