Hlavní stránka > Výsledky hledání: Semiconductor, Aleš Litschmann, ON
Hledej:
Tipy pro vyhledávaní :: Rozšířené hledání
Hledej ve sbírkách:
Seřadit podle: Zobrazit výsledky: Výstupní formát:
Národní úložiště šedé literatury Nalezeno 2 záznamů.  Hledání trvalo 0.00 vteřin. 
Model stárnutí unipolárního tranzistoru
 Novosád, Jiří ; Legát, Pavel (oponent) ; Semiconductor, Aleš Litschmann, ON (vedoucí práce)
Práce se zabývá problematikou stárnutí unipolárního tranzistoru. V teoretické části jsou popsány mechanismy, způsobující stárnutí unipolárního tranzistoru a způsoby omezení vlivu změny parametrů v čase Na základě teoretických znalostí bylo provedeno měření a vyhodnocení naměřených dat. Výsledkem práce je model stárnutí unipolárního tranzistoru, vytvořený extrakcí parametrů z naměřených dat a výpočtem degradačních konstant pomocí těchto parametrů. V praxi lze tento model použít v simulátorech elektronických obvodů, které podporují simulaci stárnutí (např. ELDO).
Úplný záznam
Model stárnutí unipolárního tranzistoru
 Novosád, Jiří ; Legát, Pavel (oponent) ; Semiconductor, Aleš Litschmann, ON (vedoucí práce)
Práce se zabývá problematikou stárnutí unipolárního tranzistoru. V teoretické části jsou popsány mechanismy, způsobující stárnutí unipolárního tranzistoru a způsoby omezení vlivu změny parametrů v čase Na základě teoretických znalostí bylo provedeno měření a vyhodnocení naměřených dat. Výsledkem práce je model stárnutí unipolárního tranzistoru, vytvořený extrakcí parametrů z naměřených dat a výpočtem degradačních konstant pomocí těchto parametrů. V praxi lze tento model použít v simulátorech elektronických obvodů, které podporují simulaci stárnutí (např. ELDO).
Úplný záznam

Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.
Digitální repozitář :: Hledej :: Nový záznam :: Personalizace :: Nápověda
Powered by Invenio v1.1.2
Spravuje admin.invenio@techlib.cz
Tato stránka je dostupná také v následujících jazycích:
Česky  English