|
|
Selektivní růst gallium-nitridových tenkých vrstev na substráty pokryté maskou z pyrolyzovaného rezistu
Novák, Tomáš ; Kostelník, Petr (oponent) ; Voborný, Stanislav (vedoucí práce)
Tato práce se zabývá depozicí tenkých vrstev GaN aselektivním růstem Ga a GaN s využitím masek z pyrolyzovaného rezistu. Na křemíkových substrátech byly elektronovou litografií a pyrolýzou rezistu připraveny uhlíkové masky. Na substráty s maskami bylo poté metodou molekulární svazkové epitaxe (MBE) nanášeno Ga a GaN. Při depozicích Ga bylo dosaženo selektivní tvorby Ga ostrůvků, což bylo využito k růstu GaN krystalků metodou pulsní depozice. Experimenty také ukázaly, že přímou depozicí GaN metodou MBE lze na substráty s uhlíkovými maskami selektivně nanášet vrstvy GaN, kdy vrstva roste pouze v oblastech mimo masku. Výsledky vysvětluje zvýšená povrchová difúze gallia na povrchu uhlíkových masek.
|
|
|
Příprava hrotů pro rastrovací tunelový mikroskop STM - statická a dynamická leptací metoda
Jonner, Jakub ; Spousta, Jiří (oponent) ; Kostelník, Petr (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zábývá konvenční statickou a dynamickou metodou elektrochemického leptání hrotů pro rastrovací tunelový mikroskop STM. Popisuje základní principy těchto dvou leptacích metod a konstrukční řešení zařízení pro leptání hrotů. V rámci této práce bylo provedeno rozsáhlé měření s cílem určit vliv leptacích parametrů na průběh a výsledek leptání. U konvenční statické metody byl testován vliv různé koncentrace roztoku KOH, hloubky ponoření konce wolframového drátu do leptacího roztoku a změny napětí. U dynamické metody byl testován vliv různé koncentrace roztoku KOH, velikosti průtoku a změny napětí. V závěru této práce jsou uvedeny ideální nastavení těchto parametrů a porovnány výsledky leptání pomocí statické a dynamické metody.
|
|
| |
|
| |
|
| |
|
|
Selektivní růst gallium-nitridových tenkých vrstev na substráty pokryté maskou z pyrolyzovaného rezistu
Novák, Tomáš ; Kostelník, Petr (oponent) ; Voborný, Stanislav (vedoucí práce)
Tato práce se zabývá depozicí tenkých vrstev GaN aselektivním růstem Ga a GaN s využitím masek z pyrolyzovaného rezistu. Na křemíkových substrátech byly elektronovou litografií a pyrolýzou rezistu připraveny uhlíkové masky. Na substráty s maskami bylo poté metodou molekulární svazkové epitaxe (MBE) nanášeno Ga a GaN. Při depozicích Ga bylo dosaženo selektivní tvorby Ga ostrůvků, což bylo využito k růstu GaN krystalků metodou pulsní depozice. Experimenty také ukázaly, že přímou depozicí GaN metodou MBE lze na substráty s uhlíkovými maskami selektivně nanášet vrstvy GaN, kdy vrstva roste pouze v oblastech mimo masku. Výsledky vysvětluje zvýšená povrchová difúze gallia na povrchu uhlíkových masek.
|
|
|
Příprava hrotů pro rastrovací tunelový mikroskop STM - statická a dynamická leptací metoda
Jonner, Jakub ; Spousta, Jiří (oponent) ; Kostelník, Petr (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zábývá konvenční statickou a dynamickou metodou elektrochemického leptání hrotů pro rastrovací tunelový mikroskop STM. Popisuje základní principy těchto dvou leptacích metod a konstrukční řešení zařízení pro leptání hrotů. V rámci této práce bylo provedeno rozsáhlé měření s cílem určit vliv leptacích parametrů na průběh a výsledek leptání. U konvenční statické metody byl testován vliv různé koncentrace roztoku KOH, hloubky ponoření konce wolframového drátu do leptacího roztoku a změny napětí. U dynamické metody byl testován vliv různé koncentrace roztoku KOH, velikosti průtoku a změny napětí. V závěru této práce jsou uvedeny ideální nastavení těchto parametrů a porovnány výsledky leptání pomocí statické a dynamické metody.
|
host ::
RSS.