|
|
High-Voltage Devices in Smart Power Technology
Šeliga, Ladislav ; Boušek, Jaroslav (oponent) ; Hégr, Ondřej (vedoucí práce)
This work describes fundamental characteristics of LDMOS transistors. In the first part of work are described properties of LDMOS transistors, the basic parameters and techniques to improve parameters of transistors. The next section discusses the reliability of LDMOS transistors. This section describes the safe operating area (SOA), hot carrier injection (HCI) and negative bias temperature instability (NBTI). The last theoretical section describes models used to simulate ESD events. The practical part is focused on simulation of the basic parameters PLDMOS and NLDMOS transistors and comparison of simulated and measured concentration profiles. Furthermore the thesis deals with simulation of the impact of changes in geometrical parameters of the PLDMOS transistor and the impact of these changes on the electrical parameters. The last part contains TLP simulations which examines electrical properties of PLDMOS transistor when is used as ESD protection.
|
|
|
Diagnostika vlastností polovodičových materiálů
Šeliga, Ladislav ; Rozsívalová, Zdenka (oponent) ; Frk, Martin (vedoucí práce)
Tato práce se zabývá popisem základních vlastností polovodičových materiálů a metodami měření vlastností polovodiče. V první části práce jsou rozebrány elementární polovodiče, polovodičové sloučeniny a pásová struktura. V další části je popsáno vedení proudu v polovodičích, metody měření rezistivity. Práce je zaměřena na měření driftové pohyblivosti minoritních nosičů náboje pomocí metody Haynes-Shockley pro křemíkový vzorek polovodiče, vytvoření automatizovaného pracoviště ve vývojovém prostředí VEE Pro a měření rezistivity křemíkových vzorků.
|
|
|
Diagnostika vlastností polovodičových materiálů
Šeliga, Ladislav ; Rozsívalová, Zdenka (oponent) ; Frk, Martin (vedoucí práce)
Tato práce se zabývá popisem základních vlastností polovodičových materiálů a metodami měření vlastností polovodiče. V první části práce jsou rozebrány elementární polovodiče, polovodičové sloučeniny a pásová struktura. V další části je popsáno vedení proudu v polovodičích, metody měření rezistivity. Práce je zaměřena na měření driftové pohyblivosti minoritních nosičů náboje pomocí metody Haynes-Shockley pro křemíkový vzorek polovodiče, vytvoření automatizovaného pracoviště ve vývojovém prostředí VEE Pro a měření rezistivity křemíkových vzorků.
|
|
|
High-Voltage Devices in Smart Power Technology
Šeliga, Ladislav ; Boušek, Jaroslav (oponent) ; Hégr, Ondřej (vedoucí práce)
This work describes fundamental characteristics of LDMOS transistors. In the first part of work are described properties of LDMOS transistors, the basic parameters and techniques to improve parameters of transistors. The next section discusses the reliability of LDMOS transistors. This section describes the safe operating area (SOA), hot carrier injection (HCI) and negative bias temperature instability (NBTI). The last theoretical section describes models used to simulate ESD events. The practical part is focused on simulation of the basic parameters PLDMOS and NLDMOS transistors and comparison of simulated and measured concentration profiles. Furthermore the thesis deals with simulation of the impact of changes in geometrical parameters of the PLDMOS transistor and the impact of these changes on the electrical parameters. The last part contains TLP simulations which examines electrical properties of PLDMOS transistor when is used as ESD protection.
|
host ::
RSS.