|
|
Příprava LiNbO3 nanostruktur a jejich charakterizace
Pikna, Štěpán ; Jelínek, Michal (oponent) ; Dvořák, Petr (vedoucí práce)
Tato experimentálně založená práce se zabývá depozicí materiálu LiNbO3 na safírový substrát. Tento materiál vykazuje elektrooptický jev, tedy změnu indexu lomu při změně externího napětí, který má široké využití elektrooptických modulátorech. V současné době je věnována pozornost na zmenšení těchto zařízení pro použití v oblasti metaoptiky či fotoniky. Začátek práce je věnován rešeršní studii elektrooptického jevu a jeho využití v optických metapovrších. Dále se rešerše věnuje pulzní laserové depozici LiNbO3. Praktická část začíná optimalizací výroby terčů z waferů LiNbO3 pomocí laserové řezačky. Dále se věnuje měření elektrooptického jevu depozičních terčů vyrobených z monokrystalických desek LiNbO3 a poslední část je věnována samotné depozici tohoto materiálu na safírový substrát a následné analýze pomocí SPM, XPS, XRD a SEM. Praktická část diplomové práce vyústila v pozorování monokrystalického růstu 30 nm zrn a nanostruktur LiNbO3 a ve studium fyzikálních parametrů, které ovlivňují jejich růst.
|
|
|
Depozice GaN na wolframový substrát
Pikna, Štěpán ; Piastek, Jakub (oponent) ; Čalkovský, Vojtěch (vedoucí práce)
Tato experimentálně založená práce se zabývá depozicí nanokrystalů GaN na leptané wolframové hroty. Motivací bylo tyto GaN struktury deponovat na Schottkyho katody firmy ThermoFisher Scientific a změřit jejich emisivitu. Začátek práce je věnován rešerši studené emise z wolframu a GaN. V praktické části byla optimalizována výroba wolframových hrotů, kdy jsme došli k závěru, že vhodné hroty vznikají při teplotě 20 °C a hloubce ponoru 2,5 mm v roztoku NaOH. Dále byly na tyto hroty připraveny metodou molekulární svazkové epitaxe (MBE) galiové struktury, u kterých jsme zjistili lineární závislost na teplotě. Jako vhodná teplota substrátu pro depozici galia byla určena teplota 200 °C. Za této teploty byla provedena i nitridace. Depozice galia trvala 2 hodiny a následná nitridace 3 hodiny. Změřená emisivita GaN z povrchu mědi pokrytém grafenem vyšla v souladu s dříve provedenými experimenty.
|
|
|
Depozice GaN na wolframový substrát
Pikna, Štěpán ; Piastek, Jakub (oponent) ; Čalkovský, Vojtěch (vedoucí práce)
Tato experimentálně založená práce se zabývá depozicí nanokrystalů GaN na leptané wolframové hroty. Motivací bylo tyto GaN struktury deponovat na Schottkyho katody firmy ThermoFisher Scientific a změřit jejich emisivitu. Začátek práce je věnován rešerši studené emise z wolframu a GaN. V praktické části byla optimalizována výroba wolframových hrotů, kdy jsme došli k závěru, že vhodné hroty vznikají při teplotě 20 °C a hloubce ponoru 2,5 mm v roztoku NaOH. Dále byly na tyto hroty připraveny metodou molekulární svazkové epitaxe (MBE) galiové struktury, u kterých jsme zjistili lineární závislost na teplotě. Jako vhodná teplota substrátu pro depozici galia byla určena teplota 200 °C. Za této teploty byla provedena i nitridace. Depozice galia trvala 2 hodiny a následná nitridace 3 hodiny. Změřená emisivita GaN z povrchu mědi pokrytém grafenem vyšla v souladu s dříve provedenými experimenty.
|
host ::
RSS.