Hlavní stránka > Výsledky hledání: recid:32527
Hledej:
 
Tipy pro vyhledávaní :: Jednoduché hledání
Hledej ve sbírkách:
Seřadit podle: Zobrazit výsledky: Výstupní formát:
Národní úložiště šedé literatury Nalezeno 1 záznamů.  Hledání trvalo 0.00 vteřin. 

Could not find similar documents for this query.
Influence of rare-earth elements on InP-based semiconductor structures for radiation detectors
 Grym, Jan ; Procházková, Olga
Preparation and characterization of InP epitaxial layers with Tb admixture in the growth melt is reported. Structural, electrical and optical properties of InP layers exhibit a signaficant dependence on the presence of Tb and its concentration in the melt. When increasing the concentration of Tb in the growth melt the reversal of electrical conductivity occurs.
Úplný záznam

Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.
Digitální repozitář :: Hledej :: Nový záznam :: Personalizace :: Nápověda
Powered by Invenio v1.1.2
Spravuje admin.invenio@techlib.cz
Tato stránka je dostupná také v následujících jazycích:
Česky  English