Národní úložiště šedé literatury Nalezeno 4 záznamů.  Hledání trvalo 0.01 vteřin. 
Experimentální spínaný zdroj s tranzistory GaN MOSFET
Matiaško, Maroš ; Martiš, Jan (oponent) ; Vorel, Pavel (vedoucí práce)
Táto diplomová práca sa zaoberá návrhom testovacieho spínaného zdroja na princípe vysokofrekvenčného meniča. Cieľom tejto práce je návrh a konštrukcia experimentálneho meniča, ktorý používa na spínanie tranzistory GaN MOSFET a diódy SiC. Bola použitá topológia jednočinného priepustného meniča s dvoma spínačmi. Pri návrhu je zvolený netradične vysoký spínací kmitočet. Pri konštrukcii bol použitý výkonový transformátor s použitím otvoreného magnetického obvodu. Výstupom tejto práce je funkčný menič, ktorý je určený predovšetkým na výukové a demonštračné účely. Jednotlivé časti meniča sú rozdelené do individuálnych blokov, ktoré je možné ďalej použiť na zostavenie iných typov meničov.
Laboratorní napájecí zdroj 2x40V/10A se spínaným zdrojem a síťovým aktivním usměrňovačem
Šír, Michal ; Patočka, Miroslav (oponent) ; Vorel, Pavel (vedoucí práce)
Bakalárska práca sa zaoberá návrhom a realizáciou silových a riadiacich obvodov laboratórneho napájacieho zdroja. Výsledkom práce je detailný návrh a realizácia prototypov dosiek plošných spojov silových obvodov aktívneho usmerňovača, meniča jednosmerného napätia a ich riadiacich obvodov.
Laboratorní napájecí zdroj 2x40V/10A se spínaným zdrojem a síťovým aktivním usměrňovačem
Šír, Michal ; Patočka, Miroslav (oponent) ; Vorel, Pavel (vedoucí práce)
Bakalárska práca sa zaoberá návrhom a realizáciou silových a riadiacich obvodov laboratórneho napájacieho zdroja. Výsledkom práce je detailný návrh a realizácia prototypov dosiek plošných spojov silových obvodov aktívneho usmerňovača, meniča jednosmerného napätia a ich riadiacich obvodov.
Experimentální spínaný zdroj s tranzistory GaN MOSFET
Matiaško, Maroš ; Martiš, Jan (oponent) ; Vorel, Pavel (vedoucí práce)
Táto diplomová práca sa zaoberá návrhom testovacieho spínaného zdroja na princípe vysokofrekvenčného meniča. Cieľom tejto práce je návrh a konštrukcia experimentálneho meniča, ktorý používa na spínanie tranzistory GaN MOSFET a diódy SiC. Bola použitá topológia jednočinného priepustného meniča s dvoma spínačmi. Pri návrhu je zvolený netradične vysoký spínací kmitočet. Pri konštrukcii bol použitý výkonový transformátor s použitím otvoreného magnetického obvodu. Výstupom tejto práce je funkčný menič, ktorý je určený predovšetkým na výukové a demonštračné účely. Jednotlivé časti meniča sú rozdelené do individuálnych blokov, ktoré je možné ďalej použiť na zostavenie iných typov meničov.

Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.