|
In-situ electron microscopy
Bukvišová, Kristýna ; Wandrol, Petr (referee) ; Kolíbal, Miroslav (advisor)
Cílem diplomové práce je popsat oxidaci nanotrubic sulfidu wolframičitého za zvýšených teplot v přítomnosti vodní páry. Na jejich povrchu se nejprve vytvoří nanočástice oxidu wolframu, ze kterých potom vyrůstají nanodráty. Na základě in-situ experimentů v rastrovacím elektronovém mikroskopu je navržen mechanismus reakce a ten je zjednodušeně popsán analyticky. Ukazuje se, že elektronový svazek má zásadní vliv na reakci.
|
|
Growth of 3D Structures Induced by Electron Beam on Ceramic Substrates
Bukvišová, Kristýna ; Čechal, Jan (referee) ; Salamon, David (advisor)
Vystaví-li se vzorek působení elektronového svazku, dojde na jeho povrchu ke strukturním změnám. Jednou z těchto změn je vertikální růst 3D struktur na keramických materiálech. V práci jsou zkoumány podmínky nutné pro takový proces. Nárůst teploty často zapříčiní povrchové změny, proto je v práci proveden výpočet ohřevu materiálu elektronovým svazkem. Dále je zkoumán vliv různých parametrů svazku na růst 3D struktur, závislost objemu a rozměrů je analyzována pomocí AFM. Výsledný odhad nárůstu teploty se pohybuje v řádech jednotek, maximálně desítek K. Výrazný objemový růst je pozorován pro nízká urychlovací napětí a malé proudy. Výška vzniklých struktur dosahuje 100 nm za minutu a je nepřímo úměrná velikosti proudu.
|
| |
|
Preparation of semiconductor samples for transmission electron microscopy
Bajo, Viktor ; Bukvišová, Kristýna (referee) ; Horák, Michal (advisor)
This bachelor thesis deals with the preparation of samples from semiconductors for transmission electron microscopy. In the theoretical part, the most common methods of pre-preparation and finishing methods used to create ultrathin regions transparent to the electron beam of the microscope are generally described. This is followed by an overview of the experimental equipment used in the practical part for the actual sample preparation. I prepared two single crystal silicon samples, one by mechanical preparation followed by ion polishing, the other in the form of a lamella fabricated using a scanning electron microscope equipped with a focused ion beam. Mechanical preparation is significantly more time-consuming, is performed on several specialised instruments and risks destruction of the whole object under investigation. Preparation of the lamellae is relatively fast and allows a very small area of interest to be selected, leaving the rest of the sample intact but, on the other hand, requires at least basic skills in scanning electron microscopy. Both methods can be used to prepare good quality samples suitable for analysis in a transmission electron microscope. I have documented the whole procedure in the practical section that can serve as a guide for the preparation of these samples.
|
| |
|
In-situ electron microscopy
Bukvišová, Kristýna ; Wandrol, Petr (referee) ; Kolíbal, Miroslav (advisor)
Cílem diplomové práce je popsat oxidaci nanotrubic sulfidu wolframičitého za zvýšených teplot v přítomnosti vodní páry. Na jejich povrchu se nejprve vytvoří nanočástice oxidu wolframu, ze kterých potom vyrůstají nanodráty. Na základě in-situ experimentů v rastrovacím elektronovém mikroskopu je navržen mechanismus reakce a ten je zjednodušeně popsán analyticky. Ukazuje se, že elektronový svazek má zásadní vliv na reakci.
|
|
Growth of 3D Structures Induced by Electron Beam on Ceramic Substrates
Bukvišová, Kristýna ; Čechal, Jan (referee) ; Salamon, David (advisor)
Vystaví-li se vzorek působení elektronového svazku, dojde na jeho povrchu ke strukturním změnám. Jednou z těchto změn je vertikální růst 3D struktur na keramických materiálech. V práci jsou zkoumány podmínky nutné pro takový proces. Nárůst teploty často zapříčiní povrchové změny, proto je v práci proveden výpočet ohřevu materiálu elektronovým svazkem. Dále je zkoumán vliv různých parametrů svazku na růst 3D struktur, závislost objemu a rozměrů je analyzována pomocí AFM. Výsledný odhad nárůstu teploty se pohybuje v řádech jednotek, maximálně desítek K. Výrazný objemový růst je pozorován pro nízká urychlovací napětí a malé proudy. Výška vzniklých struktur dosahuje 100 nm za minutu a je nepřímo úměrná velikosti proudu.
|