|
|
Noise, Transport and Structural Properties of High Energy Radiation Detectors Based on CdTe
Šik, Ondřej ; Lazar, Josef (referee) ; Navrátil, Vladislav (referee) ; Grmela, Lubomír (advisor)
Poptávka ze strany vesmírného výzkumu, zdravotnictví a bezpečnostního průmyslu způsobila v posledních letech zvýšený zájem o vývoj materiálů pro detekci a zobrazování vysokoenergetického záření. CdTe a jeho slitina CdZnTe. jsou polovodiče umožnují detekci záření o energiích v rozsahu 10 keV až 500 keV. Šířka zakázaného pásma u CdTe / CdZnTe je 1.46 -1.6 eV, což umožňuje produkci krystalů o vysoké rezistivitě (10^10-10^11 cm), která je dostačující pro použití CdTe / CdZnTe při pokojové teplotě. V mé práci byly zkoumány detektory CdTe/CdZnTe v různých stádiích jejich poruchovosti. Byly použity velmi kvalitní spektroskopické detektory, materiál s nižší rezistivitou a výraznou polarizací, detektory s asymetrií elektrických parametrů kontaktů a teplotně degenerované vzorky. Z výsledků analýzy nízkofrekvenčního šumu je patrný obecný závěr, že zvýšená koncentrace defektů způsobí změnu povahy původně monotónního spektra typu 1/f na spektrum s výrazným vlivem generačně-rekombinačních procesů. Další výrazná vlastnost degenerovaných detektorů a detektorů nižší kvality je nárůst spektrální hustoty šumu typu 1/f se vzrůstajícím napájecím napětí se směrnicí výrazně vyšší než 2. Strukturální a chemické analýzy poukázaly, že teplotní generace detektorů způsobuje difuzi kovu použitého při kontaktování a stopových prvků hlouběji do objemu krystalu. Část mé práce je věnována modifikaci povrchu svazkem argonových iontů a jejímu vlivu na chemické složení a morfologii povrchu.
|
|
|
Characterization of Secondary Created Structures in PN Junctions of Silicon Solar Cells
Šicner, Jiří ; Číp, Ondřej (referee) ; Navrátil, Vladislav (referee) ; Koktavý, Pavel (advisor)
This thesis describes the study and characterization of secondary created structures in PN junction of silicon solar cells. Secondary created structure is the term which means the structures created for the purpose of suppressing the negative influence of local defects and edges of the solar cell. This means in particular laser notches used to isolate the edges. Furthermore, the secondary created structure means modification defective area using focused ion beam milling. Theoretical part of this work deals with short introduction to the topic of solar cells. There are mentioned the physical nature of the solar cell and the technology associated with the issue of solar cells. Experimental section begins with a description of the experimental methods. For diagnostic methods were used both electrical (UI characteristics, noise characteristics) and optical methods (measuring local radiation - CCD camera, thermal imager, lock-in thermography). Furthermore, there was also used a scanning electron microscope (SEM) equipped with technology using Focused Ion Beam (FIB). Sequentially there are presented individual results of characterization of created structures by laser. These partial results are incorporated into a comprehensive methodology developed for characterizing laser-created structures. The experimental part is finished by a presentation of the results of the research use of focused ion beam technology for sputtering defective areas of solar cells.
|
|
|
Noise, Transport and Structural Properties of High Energy Radiation Detectors Based on CdTe
Šik, Ondřej ; Lazar, Josef (referee) ; Navrátil, Vladislav (referee) ; Grmela, Lubomír (advisor)
Poptávka ze strany vesmírného výzkumu, zdravotnictví a bezpečnostního průmyslu způsobila v posledních letech zvýšený zájem o vývoj materiálů pro detekci a zobrazování vysokoenergetického záření. CdTe a jeho slitina CdZnTe. jsou polovodiče umožnují detekci záření o energiích v rozsahu 10 keV až 500 keV. Šířka zakázaného pásma u CdTe / CdZnTe je 1.46 -1.6 eV, což umožňuje produkci krystalů o vysoké rezistivitě (10^10-10^11 cm), která je dostačující pro použití CdTe / CdZnTe při pokojové teplotě. V mé práci byly zkoumány detektory CdTe/CdZnTe v různých stádiích jejich poruchovosti. Byly použity velmi kvalitní spektroskopické detektory, materiál s nižší rezistivitou a výraznou polarizací, detektory s asymetrií elektrických parametrů kontaktů a teplotně degenerované vzorky. Z výsledků analýzy nízkofrekvenčního šumu je patrný obecný závěr, že zvýšená koncentrace defektů způsobí změnu povahy původně monotónního spektra typu 1/f na spektrum s výrazným vlivem generačně-rekombinačních procesů. Další výrazná vlastnost degenerovaných detektorů a detektorů nižší kvality je nárůst spektrální hustoty šumu typu 1/f se vzrůstajícím napájecím napětí se směrnicí výrazně vyšší než 2. Strukturální a chemické analýzy poukázaly, že teplotní generace detektorů způsobuje difuzi kovu použitého při kontaktování a stopových prvků hlouběji do objemu krystalu. Část mé práce je věnována modifikaci povrchu svazkem argonových iontů a jejímu vlivu na chemické složení a morfologii povrchu.
|
|
|
Characterization of Secondary Created Structures in PN Junctions of Silicon Solar Cells
Šicner, Jiří ; Číp, Ondřej (referee) ; Navrátil, Vladislav (referee) ; Koktavý, Pavel (advisor)
This thesis describes the study and characterization of secondary created structures in PN junction of silicon solar cells. Secondary created structure is the term which means the structures created for the purpose of suppressing the negative influence of local defects and edges of the solar cell. This means in particular laser notches used to isolate the edges. Furthermore, the secondary created structure means modification defective area using focused ion beam milling. Theoretical part of this work deals with short introduction to the topic of solar cells. There are mentioned the physical nature of the solar cell and the technology associated with the issue of solar cells. Experimental section begins with a description of the experimental methods. For diagnostic methods were used both electrical (UI characteristics, noise characteristics) and optical methods (measuring local radiation - CCD camera, thermal imager, lock-in thermography). Furthermore, there was also used a scanning electron microscope (SEM) equipped with technology using Focused Ion Beam (FIB). Sequentially there are presented individual results of characterization of created structures by laser. These partial results are incorporated into a comprehensive methodology developed for characterizing laser-created structures. The experimental part is finished by a presentation of the results of the research use of focused ion beam technology for sputtering defective areas of solar cells.
|
guest ::
RSS feed.