|
|
LHC Abort Gap Monitor acquisition system
Pacner, Petr ; Vágnerová, Jitka (referee) ; Kubíček, Michal (advisor)
Beam Dump Systém velkého hadronového urychlovače LHC je jedním z jeho kritických systémů. Ten se stará o odvedení urychlovaného svazku z~prostoru urychlovače do míst, kde je absorbován. Pro jeho funkci využívá takzvaný Abort Gap - prázdné místo ve svazku bez částic. Toto místo vznikne při injektování částic do LHC. Injekce není nikdy dokonalá, tudíž Abort Gap vždy nějaké částice obsahuje. Určitá výše energie může způsobit škody na zařízení. Proto je toto množství nutné kontinuálně měřit. K tomuto účelu slouží Abort Gap Monitor. Současná nainstalovaná verze Abort Gap Monitor využívá k měření analogové integrátory. Ty komplikují kalibrační proces z důvodu jejich výrobních nepřesnosti. Aby se tak zvýšila univerzálnost a reprodukovatelnost měření je snaha vytvořit akviziční systém, který využije digitální integraci. Tato práce si klade za cíl vytvořit, verifikovat a implementovat digitální akviziční systém. Akviziční systém je jeden z hlavních částí nového CERN SY-BI Abort Gap Monitor. Tento dokument je rozdělen na čtyři částí. První z nich stručně popisuje strukturu Beam Dump Systém a význam Abort Gap. V druhé části je popsán princip měření Abort Gap a metodologie vyhodnocování dat z Abort Gap Monitor. Následuje třetí část popisující současný systéme a jeho známé nedostatky. Pak se zabývá novou topologii Abort Gap Monitor a vývojem jeho akvizičního systému. Poslední oddíl tohoto dokumentu prezentuje simulace a měření získané pomocí nové realizace Abort Gap Monitor akvizičního systému a diskutuje návrhy pro další vývoj.
|
|
|
LHC Abort Gap Monitor acquisition system
Pacner, Petr ; Vágnerová, Jitka (referee) ; Kubíček, Michal (advisor)
Beam Dump Systém velkého hadronového urychlovače LHC je jedním z jeho kritických systémů. Ten se stará o odvedení urychlovaného svazku z~prostoru urychlovače do míst, kde je absorbován. Pro jeho funkci využívá takzvaný Abort Gap - prázdné místo ve svazku bez částic. Toto místo vznikne při injektování částic do LHC. Injekce není nikdy dokonalá, tudíž Abort Gap vždy nějaké částice obsahuje. Určitá výše energie může způsobit škody na zařízení. Proto je toto množství nutné kontinuálně měřit. K tomuto účelu slouží Abort Gap Monitor. Současná nainstalovaná verze Abort Gap Monitor využívá k měření analogové integrátory. Ty komplikují kalibrační proces z důvodu jejich výrobních nepřesnosti. Aby se tak zvýšila univerzálnost a reprodukovatelnost měření je snaha vytvořit akviziční systém, který využije digitální integraci. Tato práce si klade za cíl vytvořit, verifikovat a implementovat digitální akviziční systém. Akviziční systém je jeden z hlavních částí nového CERN SY-BI Abort Gap Monitor. Tento dokument je rozdělen na čtyři částí. První z nich stručně popisuje strukturu Beam Dump Systém a význam Abort Gap. V druhé části je popsán princip měření Abort Gap a metodologie vyhodnocování dat z Abort Gap Monitor. Následuje třetí část popisující současný systéme a jeho známé nedostatky. Pak se zabývá novou topologii Abort Gap Monitor a vývojem jeho akvizičního systému. Poslední oddíl tohoto dokumentu prezentuje simulace a měření získané pomocí nové realizace Abort Gap Monitor akvizičního systému a diskutuje návrhy pro další vývoj.
|
|
|
Electronic structure of bimetallic systems - study of gas molecule interaction
Píš, Igor ; Nehasil, Václav (advisor) ; Bartoš, Igor (referee) ; Polčík, Martin (referee)
Bimetallic Rh-V system was studied by means of surface science experimental methods. Properties of ultra-thin Rh-V layers supported by γ-Al2O3 were compared with model systems prepared by vacuum V deposition on Rh(111), Rh(110) and polycrystalline rhodium. Formation of ordered V- Rh(111)-(2×2), V-Rh(110)-(2×1) and V-Rh(110)-(1×2) subsurface alloys and their electronic and atomic structure were investigated and models of the surface reconstructions were proposed. Influence of the subsurface alloy formation on interaction with CO and O2 molecules as well as the influence of the molecule adsorption on this alloy was investigated. The bond between CO molecules and Rh-V alloy surface was weakened due to pronounced changes in surface valence band structure. Oxygen which adsorbed on the alloy surface reacted with the subsurface vanadium at elevated temperature and blocked the interaction of the metal substrate with CO molecules.
|
guest ::
