|
|
Modeling of Microwave Semiconductor Structures
Pokorný, Michal ; Mazánek, Miloš (referee) ; Voves, Jan (referee) ; Raida, Zbyněk (advisor)
Tato dizertační práce se zabývá modelováním mikrovlnných polovodičových struktur. Stále vyšší pracovní kmitočty komunikačních systémů zvyšují nároky na aktivní prvky a přenosová vedení, realizované zpravidla v monolitické integrované podobě. Přenosová vedení s rozprostřeným zesílením představují perspektivní řešení nejen jako zesilovací prvky, ale také jako aktivní napáječe mikrovlnných antén. V součastné době neexistuje vhodný softwarový nástroj pro jejich efektivní simulaci a návrh. První část této práce je zaměřena na implementaci termodynamické formulace modelu driftu a difuze pro numerickou simulaci transportních procesů polovodičových struktur v komerčním programu COMSOL Multiphysics. Další část je věnována implementaci Gunnova jevu v makroskopické aproximaci a vypracování simulační procedury pro analýzu struktur využívajících tento jev. Poslední část je věnována návrhu a analýze aktivních přenosových vedení a zlepšení jejich vlastností.
|
|
|
2D and 3D analysis of semiconductor devices by SIMS
Vařeka, Karel ; Šamořil, Tomáš (referee) ; Bábor, Petr (advisor)
The chemical analysis of semiconductor structures using the SIMS method is the main part of this bachelor thesis. It allows the user to make a depth profiling and a creation of 2D or 3D material images. During the analysis of the chip from the TIGBT semiconductor, there is a sputtering of a heterogeneous structure in the material with different sputtering rates. It is convenient to make a cut through the material using a focused ion beam to create a profile, which grants the user to perform a tomographic measurement. This new surface enables a chemical analysis of a depth profile of semiconductor structures without the need for sputtering beam in dynamic SIMS mode. By reconstructing individual two-dimensional images, it is possible to assemble a three-dimensional pattern of the analysed sample area. Also, the preparation and removal of the lamella from the TIGBT chip were accomplished and analysed via a detector of transmission electrons.
|
|
|
2D and 3D analysis of semiconductor devices by SIMS
Vařeka, Karel ; Šamořil, Tomáš (referee) ; Bábor, Petr (advisor)
The chemical analysis of semiconductor structures using the SIMS method is the main part of this bachelor thesis. It allows the user to make a depth profiling and a creation of 2D or 3D material images. During the analysis of the chip from the TIGBT semiconductor, there is a sputtering of a heterogeneous structure in the material with different sputtering rates. It is convenient to make a cut through the material using a focused ion beam to create a profile, which grants the user to perform a tomographic measurement. This new surface enables a chemical analysis of a depth profile of semiconductor structures without the need for sputtering beam in dynamic SIMS mode. By reconstructing individual two-dimensional images, it is possible to assemble a three-dimensional pattern of the analysed sample area. Also, the preparation and removal of the lamella from the TIGBT chip were accomplished and analysed via a detector of transmission electrons.
|
|
|
Modeling of Microwave Semiconductor Structures
Pokorný, Michal ; Mazánek, Miloš (referee) ; Voves, Jan (referee) ; Raida, Zbyněk (advisor)
Tato dizertační práce se zabývá modelováním mikrovlnných polovodičových struktur. Stále vyšší pracovní kmitočty komunikačních systémů zvyšují nároky na aktivní prvky a přenosová vedení, realizované zpravidla v monolitické integrované podobě. Přenosová vedení s rozprostřeným zesílením představují perspektivní řešení nejen jako zesilovací prvky, ale také jako aktivní napáječe mikrovlnných antén. V součastné době neexistuje vhodný softwarový nástroj pro jejich efektivní simulaci a návrh. První část této práce je zaměřena na implementaci termodynamické formulace modelu driftu a difuze pro numerickou simulaci transportních procesů polovodičových struktur v komerčním programu COMSOL Multiphysics. Další část je věnována implementaci Gunnova jevu v makroskopické aproximaci a vypracování simulační procedury pro analýzu struktur využívajících tento jev. Poslední část je věnována návrhu a analýze aktivních přenosových vedení a zlepšení jejich vlastností.
|
|
|
Imaging of dopants under presence of surface ad-layers
Mika, Filip ; Hovorka, Miloš ; Frank, Luděk
Scanning electron microscopy is widely used for imaging of semiconductor structures. Image contrast between differently doped areas is observable in the secondary electron emission. Quantitative relation exists between the image contrast and the dopant concentration. However, further examination has shown the dopant contrast level of low reproducibility and dependent on additional factors like the primary electron dose, varying energy and angular distributions of the SE emission and also presence of ad-layers on the semiconductor surface.
|
guest ::
