Home > Search Results: keywords:"4-segmentový detektor spätne odrazených elektrónov"
Search:
Search Tips :: Advanced Search
Search collections:
Sort by: Display results: Output format:
National Repository of Grey Literature 2 records found  Search took 0.00 seconds. 
Photometric Stereo Processing for Microscopy
 Repka, Samuel ; Hradiš, Michal (referee) ; Zemčík, Pavel (advisor)
Táto práca popisuje metódu 3D rekonštrukciu modelu vzorky pomocou skenovacieho elektrónového mikroskopu (SEM). Obsahuje zhrnutie prístupov k rekonštrukcii topografie a implementáciu algoritmu založeného na princípe fotometrického sterea. Vstupom tejto metódy sú obrazy zo 4-segmentového detektora spätne odrazených elektrónov. Metóda využíva závislosť intenzity jasu na náklone povrchu. Pre odhad náklonu na mieste povrchu sa používajú odrazové mapy, pomocou ktorých sa vytvorí mapa normálových vektorov povrchu. Následne sa z tejto mapy vytvorí 3D model vzorky. Práca predstavuje nový prístup k odhadovaniu odrazových máp. Metóda je aplikovaná len na cínové vzorky, aby sa odstránila závislosť na atómovom čísle materiálu. Všetky dáta potrebné pre algoritmus su získané simultánne, čo umožňuje rýchlu rekonštrukciu. Algoritmus používa rozšírené a existujúce nástroje, čím umožňuje rekonštruovať povrch bez špecializovaných nástrojov.
Detailed record
Photometric Stereo Processing for Microscopy
 Repka, Samuel ; Hradiš, Michal (referee) ; Zemčík, Pavel (advisor)
Táto práca popisuje metódu 3D rekonštrukciu modelu vzorky pomocou skenovacieho elektrónového mikroskopu (SEM). Obsahuje zhrnutie prístupov k rekonštrukcii topografie a implementáciu algoritmu založeného na princípe fotometrického sterea. Vstupom tejto metódy sú obrazy zo 4-segmentového detektora spätne odrazených elektrónov. Metóda využíva závislosť intenzity jasu na náklone povrchu. Pre odhad náklonu na mieste povrchu sa používajú odrazové mapy, pomocou ktorých sa vytvorí mapa normálových vektorov povrchu. Následne sa z tejto mapy vytvorí 3D model vzorky. Práca predstavuje nový prístup k odhadovaniu odrazových máp. Metóda je aplikovaná len na cínové vzorky, aby sa odstránila závislosť na atómovom čísle materiálu. Všetky dáta potrebné pre algoritmus su získané simultánne, čo umožňuje rýchlu rekonštrukciu. Algoritmus používa rozšírené a existujúce nástroje, čím umožňuje rekonštruovať povrch bez špecializovaných nástrojov.
Detailed record

Interested in being notified about new results for this query?
Subscribe to the RSS feed.
Digital Repository :: Search :: Submit :: Personalize :: Help
Powered by Invenio v1.1.2
Maintained by admin.invenio@techlib.cz
This site is also available in the following languages:
Česky  English