Národní úložiště šedé literatury Nalezeno 4 záznamů.  Hledání trvalo 0.00 vteřin. 
Studium defektů v gradovaných tenkých vrstvách SiGe/Si pomocí rozptylu rtg.záření
Endres, Jan ; Daniš, Stanislav (vedoucí práce) ; Holý, Václav (oponent)
Cílem předkládané práce je studium defektů v gradovaných tenkých vrstvách Si1xGex/Si. Převládajícím typem defektů v takovýchto vrstvách jsou mist dislokace. Přítomnost defektů v látce vede ke vzniku difuzně rozptýleného záření, které bylo měřeno pomocí difraktometru s vysokým rozlišením. Z naměřených map reciprokého prostoru bylo určeno rozložení mist dislokací ve vrstvách. Rozložení mist dislokací je diskutováno v rámci dvou modelů: rovnovážného vycházejícího z nalezení minima energie a kinetického uvažujícího tepelně aktivovaný pohyb dislokací. Měřené mapy reciprokého prostoru byly porovnány se simulacemi provedenými pomocí kinematické teorie rozptylu rtg. záření.
Studium defektů v gradovaných tenkých vrstvách SiGe/Si pomocí rozptylu rtg.záření
Endres, Jan ; Daniš, Stanislav (vedoucí práce) ; Holý, Václav (oponent)
Cílem předkládané práce je studium defektů v gradovaných tenkých vrstvách Si1xGex/Si. Převládajícím typem defektů v takovýchto vrstvách jsou mist dislokace. Přítomnost defektů v látce vede ke vzniku difuzně rozptýleného záření, které bylo měřeno pomocí difraktometru s vysokým rozlišením. Z naměřených map reciprokého prostoru bylo určeno rozložení mist dislokací ve vrstvách. Rozložení mist dislokací je diskutováno v rámci dvou modelů: rovnovážného vycházejícího z nalezení minima energie a kinetického uvažujícího tepelně aktivovaný pohyb dislokací. Měřené mapy reciprokého prostoru byly porovnány se simulacemi provedenými pomocí kinematické teorie rozptylu rtg. záření.

Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.