Hlavní stránka > Výsledky hledání: Ramsay, Andrew
Hledej:
Tipy pro vyhledávaní :: Rozšířené hledání
Hledej ve sbírkách:
Seřadit podle: Zobrazit výsledky: Výstupní formát:
Národní úložiště šedé literatury Nalezeno 2 záznamů.  Hledání trvalo 0.00 vteřin. 
Relativistic spintronic effects in semiconductor structures
 Nádvorník, Lukáš ; Jungwirth, Tomáš (vedoucí práce) ; Ramsay, Andrew (oponent) ; Veis, Martin (oponent)
V této práci je studován spinový transport a dynamika opticky injektovaných spinově polarizovaných nosičů v několika transportních režimech v polovodi- čových heterostrukturách na bázi GaAs pomocí vysoce prostorově a časově rozlišených technik. V dlouho žijícím elektronovém podsystému, opticky generovaného v nedopovaném heteropřechodu GaAs/AlGaAs, je pozorová- na spinová difuze s neočekávaně dlouhým prostorovým dosahem a vyso- kou transportní rychlostí. Dále je studován difuzí a driftem dominovaný spinový transport za pokojové a nízké teploty v systémech na bázi GaAs použitím elektrické spinové detekce založené na inverzním spinovém Hallovu jevu. Je ukázáno, že signál generovaný inverzním spinovým Hallovým jevem a parametry spinového transport mohou být kontrolovány přímým přiklá- dáním elektrického pole nebo expanzí vyprázdněné oblasti laterálního pn- přechodu.
Úplný záznam
Relativistic spintronic effects in semiconductor structures
 Nádvorník, Lukáš ; Jungwirth, Tomáš (vedoucí práce) ; Ramsay, Andrew (oponent) ; Veis, Martin (oponent)
V této práci je studován spinový transport a dynamika opticky injektovaných spinově polarizovaných nosičů v několika transportních režimech v polovodi- čových heterostrukturách na bázi GaAs pomocí vysoce prostorově a časově rozlišených technik. V dlouho žijícím elektronovém podsystému, opticky generovaného v nedopovaném heteropřechodu GaAs/AlGaAs, je pozorová- na spinová difuze s neočekávaně dlouhým prostorovým dosahem a vyso- kou transportní rychlostí. Dále je studován difuzí a driftem dominovaný spinový transport za pokojové a nízké teploty v systémech na bázi GaAs použitím elektrické spinové detekce založené na inverzním spinovém Hallovu jevu. Je ukázáno, že signál generovaný inverzním spinovým Hallovým jevem a parametry spinového transport mohou být kontrolovány přímým přiklá- dáním elektrického pole nebo expanzí vyprázdněné oblasti laterálního pn- přechodu.
Úplný záznam

Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.
Digitální repozitář :: Hledej :: Nový záznam :: Personalizace :: Nápověda
Powered by Invenio v1.1.2
Spravuje admin.invenio@techlib.cz
Tato stránka je dostupná také v následujících jazycích:
Česky  English