|
|
New methods for increasing cutting tools effort
Janák, Marcel ; Humár, Anton (referee) ; Zemčík, Oskar (advisor)
This bachelor thesis deals about methods which increases the effort of cutting tools. The first part includes the base scheme of cutting tools separation and tool materials. The second part is centreds on common effects which influences increasing of cutting tools effort and actual methods which are used in practises. In the third part are comparisons of methods which increases the cutting tools effort between ISCAR and their rivals.
|
|
|
Semiconductor diagnostics and monitoring of chemical reactions by SIMS method
Janák, Marcel ; Skladaný, Roman (referee) ; Bábor, Petr (advisor)
Hmotnostná spektrometria sekundárnych iónov s analýzou doby letu (TOF-SIMS) patrí vďaka vysokej citlivosti na prvkové zloženie medzi významné metódy analýzy pevných povrchov. Táto práca demonštruje možnosti TOF-SIMS v troch odlišných oblastiach výskumu. Prvá časť práce sa zaoberá lokalizáciou defektov vysokonapäťových polovodičových súčiastok, ktorá je nevyhnutná k ich ďalšiemu skúmaniu metódou TOF-SIMS. Bola navrhnutá experimentálna zostava s riadiacim softvérom umožňujúca automatizované meranie záverného prúdu v rôznych miestach polovodičový súčiastok. Druhá časť práce sa zaoberá kvantifikáciou koncentrácie Mg dopantov v rôznych hĺbkach vzoriek AlGaN. Kvantifikácia je založená na metóde RSF a umožňuje charakterizáciu AlGaN heteroštruktúr určených na výrobu tranzistorov s vysokou elektrónovou mobilitou (HEMT) alebo na výrobu rôznych optoelektronických zariadení. Sada 12 AlGaN kalibračných vzoriek dopovaných Mg, určených na kvantifikáciu hĺbkových profilov, bola pripravená metódou iónovej implantácie. Posledná časť práce demonštruje možnosti metódy TOF-SIMS vo výskume heterogénnej katalýzy. Hlavným objektom nášho výskumu je dynamika oxidácie CO na oxid uhličitý na polykryštalickom povrchu platiny za tlakov vysokého vákua. V tejto práci prezentujem prvé TOF-SIMS pozorovanie časopriestorových vzorov v reálnom čase, ktoré vznikajú v dôsledku rôzneho pokrytia povrchu Pt reaktantmi. Výsledky TOF-SIMS experimentu boli porovnané s výsledkami podobného experiment v rastrovacom elektrónovom mikroskope (SEM).
|
|
|
Calibration of SIMS method by implantation profiles
Janák, Marcel ; Průša, Stanislav (referee) ; Bábor, Petr (advisor)
This bachelor thesis is concerned with a quantitative analysis of the dopant (C, H, Mg, O) distribution in MOCVD-grown AlGaN HEMTs by TOF.SIMS 5 instrument with cesium and oxygen sputtering. The main reason for the development of RSF SIMS measurement quantification method is a hardly predictable phenomenon of preferential sputtering and matrix effect. Calibration samples, prepared by ion implantation technique into homogeneous and periodic III-nitride AlN, GaN structures, are reproduced by an ion-atom interaction program TRIM. A part of this work is likewise a quantification of AlGaN matrix.
|
|
|
Study of catalytic oxidation of carbon monoxide by AFM/SEM
Hrůza, Dominik ; Janák, Marcel (referee) ; Bábor, Petr (advisor)
This diploma thesis focuses on the study of carbon monoxide oxidation on platinum using correlative AFM/SEM microscopy, which has been overlooked in the literature in this field of research. In the introduction is provided a description of the functioning of the used methods. Furthermore, the investigated reaction is theoretically explained, the oxides on platinum are described, and current directions of scientific research are discussed. The experimental part closely follows the theoretical section, where is described the transfer of the experiment between electron microscopes and the challenges associated with this transfer. This is followed by in-situ observations of the influence of ion beam modifications on the studied reaction. These measurements are compared by using electron and ion beams, and is provided a description of individual surface processes. The experimental results demonstrate new possibilities for influencing chemical reactions through surface modification and provide evidence supporting the theory of subsurface forms of oxides. Subsequently, the effects of the tip on the reaction are investigated, presenting the possibility of direct surface modification by engraving. In conclusion, time-resolved spectroscopy and surface mapping of the desorption reaction wave is carried out to elucidate the influence of the chemical wave passing under the tip. The thesis also includes surface spectroscopic analyses to support the conclusions drawn in this thesis.
|
|
|
Semiconductor diagnostics and monitoring of chemical reactions by SIMS method
Janák, Marcel ; Skladaný, Roman (referee) ; Bábor, Petr (advisor)
Hmotnostná spektrometria sekundárnych iónov s analýzou doby letu (TOF-SIMS) patrí vďaka vysokej citlivosti na prvkové zloženie medzi významné metódy analýzy pevných povrchov. Táto práca demonštruje možnosti TOF-SIMS v troch odlišných oblastiach výskumu. Prvá časť práce sa zaoberá lokalizáciou defektov vysokonapäťových polovodičových súčiastok, ktorá je nevyhnutná k ich ďalšiemu skúmaniu metódou TOF-SIMS. Bola navrhnutá experimentálna zostava s riadiacim softvérom umožňujúca automatizované meranie záverného prúdu v rôznych miestach polovodičový súčiastok. Druhá časť práce sa zaoberá kvantifikáciou koncentrácie Mg dopantov v rôznych hĺbkach vzoriek AlGaN. Kvantifikácia je založená na metóde RSF a umožňuje charakterizáciu AlGaN heteroštruktúr určených na výrobu tranzistorov s vysokou elektrónovou mobilitou (HEMT) alebo na výrobu rôznych optoelektronických zariadení. Sada 12 AlGaN kalibračných vzoriek dopovaných Mg, určených na kvantifikáciu hĺbkových profilov, bola pripravená metódou iónovej implantácie. Posledná časť práce demonštruje možnosti metódy TOF-SIMS vo výskume heterogénnej katalýzy. Hlavným objektom nášho výskumu je dynamika oxidácie CO na oxid uhličitý na polykryštalickom povrchu platiny za tlakov vysokého vákua. V tejto práci prezentujem prvé TOF-SIMS pozorovanie časopriestorových vzorov v reálnom čase, ktoré vznikajú v dôsledku rôzneho pokrytia povrchu Pt reaktantmi. Výsledky TOF-SIMS experimentu boli porovnané s výsledkami podobného experiment v rastrovacom elektrónovom mikroskope (SEM).
|
|
|
Calibration of SIMS method by implantation profiles
Janák, Marcel ; Průša, Stanislav (referee) ; Bábor, Petr (advisor)
This bachelor thesis is concerned with a quantitative analysis of the dopant (C, H, Mg, O) distribution in MOCVD-grown AlGaN HEMTs by TOF.SIMS 5 instrument with cesium and oxygen sputtering. The main reason for the development of RSF SIMS measurement quantification method is a hardly predictable phenomenon of preferential sputtering and matrix effect. Calibration samples, prepared by ion implantation technique into homogeneous and periodic III-nitride AlN, GaN structures, are reproduced by an ion-atom interaction program TRIM. A part of this work is likewise a quantification of AlGaN matrix.
|
|
|
New methods for increasing cutting tools effort
Janák, Marcel ; Humár, Anton (referee) ; Zemčík, Oskar (advisor)
This bachelor thesis deals about methods which increases the effort of cutting tools. The first part includes the base scheme of cutting tools separation and tool materials. The second part is centreds on common effects which influences increasing of cutting tools effort and actual methods which are used in practises. In the third part are comparisons of methods which increases the cutting tools effort between ISCAR and their rivals.
|
guest ::
RSS feed.