|
|
High-Voltage Devices in Smart Power Technology
Šeliga, Ladislav ; Boušek, Jaroslav (referee) ; Hégr, Ondřej (advisor)
Tato práce se zabývá popisem základních vlastností LDMOS tranzistorů. V první části práce jsou rozebrány vlastnosti LDMOS tranzistorů, jejich základní parametry a techniky pro vylepšení parametrů těchto tranzistorů. V další části je rozebrána spolehlivost LDMOS tranzistorů, tato část popisuje bezpečnou pracovní oblast (SOA), injekci horkých nosičů (HCI) a negativní teplotní stabilitu (NBTI). Poslední teoretická část popisuje používané modely pro simulaci ESD událostí. Praktická část práce je zaměřena na simulaci základních parametrů PLDMOS a NLDMOS tranzistorů, porovnání simulovaných a změřených koncentračních profilů. Dále se práce zabývá simulacemi změny geometrických parametrů PLDMOS tranzistoru a vliv těchto změn na elektrické parametry. Poslední část práce tvoří TLP simulace, které zkoumají elektrické vlastnosti PLDMOS tranzistoru při použití jako ESD ochrana.
|
|
|
Diagnostics of semiconductors properties
Šeliga, Ladislav ; Rozsívalová, Zdenka (referee) ; Frk, Martin (advisor)
This thesis describes the basic properties of semiconductor materials and methods of their measuring. In the first part of this work are discussed elemental semiconductors, semiconductor compounds and the band structure. The next section describes current conduction in semiconductors, methods for measuring resistivity. This work is focused on the measuring drift mobility of minority charge carriers using the Haynes-Shockley method for a sample of silicon semiconductor, the creation of automated workplace in the development environment VEE Pro and resistivity measurements of silicon samples.
|
|
|
Diagnostics of semiconductors properties
Šeliga, Ladislav ; Rozsívalová, Zdenka (referee) ; Frk, Martin (advisor)
This thesis describes the basic properties of semiconductor materials and methods of their measuring. In the first part of this work are discussed elemental semiconductors, semiconductor compounds and the band structure. The next section describes current conduction in semiconductors, methods for measuring resistivity. This work is focused on the measuring drift mobility of minority charge carriers using the Haynes-Shockley method for a sample of silicon semiconductor, the creation of automated workplace in the development environment VEE Pro and resistivity measurements of silicon samples.
|
|
|
High-Voltage Devices in Smart Power Technology
Šeliga, Ladislav ; Boušek, Jaroslav (referee) ; Hégr, Ondřej (advisor)
Tato práce se zabývá popisem základních vlastností LDMOS tranzistorů. V první části práce jsou rozebrány vlastnosti LDMOS tranzistorů, jejich základní parametry a techniky pro vylepšení parametrů těchto tranzistorů. V další části je rozebrána spolehlivost LDMOS tranzistorů, tato část popisuje bezpečnou pracovní oblast (SOA), injekci horkých nosičů (HCI) a negativní teplotní stabilitu (NBTI). Poslední teoretická část popisuje používané modely pro simulaci ESD událostí. Praktická část práce je zaměřena na simulaci základních parametrů PLDMOS a NLDMOS tranzistorů, porovnání simulovaných a změřených koncentračních profilů. Dále se práce zabývá simulacemi změny geometrických parametrů PLDMOS tranzistoru a vliv těchto změn na elektrické parametry. Poslední část práce tvoří TLP simulace, které zkoumají elektrické vlastnosti PLDMOS tranzistoru při použití jako ESD ochrana.
|
guest ::
