Original title: Příprava a charakterizace B-center v hexagonálním nitridu boru
Translated title: Preparation and characterization of B-centers in hexagonal boron nitride
Authors: Jež, Ondřej ; Klok, Pavel (referee) ; Viewegh, Petr (advisor)
Document type: Bachelor's theses
Year: 2026
Language: cze
Publisher: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství
Abstract: [cze] [eng]
Tato práce se zabývá lokalizovanou výrobou a optickou charakterizací SPE, konkrétně tzv. B–center, v tenkých vrstvách hexagonálního nitridu boru (hBN). B–centra jsou opticky aktivní bodové defekty krystalové mřížky, které vznikají v důsledku ozáření materiálu fokuso vaným elektronovým svazkem a vyznačují se úzkou spektrální bezfononovou čárou přibližně při 436nm. Byl popsán postup přípravy tenkých vrstev z krystalu hBN a jejich následného ošetření prostřednictvím série žíhání. Po ozáření byly změřeny optické charakteristiky de fektů prostřednictvím konfokální fluorescenční mikroskopie. Dalšími metodami pro charakte rizaci byly Hanbury Brownův-Twissův experiment pro funkce g(2)() a katodoluminiscenční měření. Potvrdilo se deterministické vytvoření B–centra s bezfononovou čárou při 440,7nm posunutou pravděpodobně v důsledku pnutí mřížky. Na základě fotoluminiscenčních a kato doluminiscenčních měření byla kvalitativně popsána úměrnost optické intenzity emitoru na použité elektronové dávce. Nalezená spolehlivá metoda výroby představuje důležitý základ pro budoucí výzkum kvantových emitorů v hBN. This thesis focuses on the localized fabrication and optical characterization of SPE, spe cifically so-called B-centers, in thin layers of hexagonal boron nitride (hBN). B-centers are optically active point defects of the crystal lattice, which arise as a result of irradiation of the material with a focused electron beam and are characterized by a narrow spectral zero phonon line at approximately 436nm. The procedure for preparing thin layers from hBN crystals and their subsequent treatment through a series of annealing steps is described. After irradiation, the optical characteristics of the defects were measured by confocal fluo rescence microscopy. Additional characterization methods were the Hanbury Brown–Twiss experiment for the function g(2)() and cathodoluminescence measurement. The determinis tic creation of a B-center with a zero-phonon line at 440,7nm, shifted presumably due to lattice strain, was confirmed. Based on photoluminescence and cathodoluminescence measu rements, the proportionality of the optical intensity of the emitter to the applied electron dose was qualitatively described. The reliable fabrication method found represents an important foundation for future research of quantum emitters in hBN.
Keywords: 2D materials; B–centers; cathodoluminescence; confo cal fluorescence microscopy; electron beam irradiation; Hanbury Brown-Twiss (HBT) experiment; hBN; quantum emitters; SPE; 2D materiály; B–centra; Hanbury Brownův Twissův (HBT) experiment; hBN; jednofotonové emitory; katodoluminiscence; konfokální fluorescenční mikroskopie; kvantové emitory; ozáření elektro novýmsvazkem

Institution: Brno University of Technology (web)
Document availability information: Fulltext is available in the Brno University of Technology Digital Library.
Original record: http://hdl.handle.net/11012/259478

Permalink: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-777419


The record appears in these collections:
Universities and colleges > Public universities > Brno University of Technology
Academic theses (ETDs) > Bachelor's theses