Original title: Příprava nových vícesložkových polovodičových materiálů
Translated title: Preparation of novel compound semiconductor materials
Authors: Janoušek, Tomáš ; Idesová, Beáta (referee) ; David, Jiří (advisor)
Document type: Bachelor's theses
Year: 2026
Language: cze
Publisher: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství
Abstract: [cze] [eng]
V rámci této bakalářské práce byla zkoumána příprava vícesložkových polovodičů pomocí napařování s potenciálním využitím v optoelektronice nebo fotovoltaice. Byla popsána příprava anorganických halidových perovskitů a SnSe pomocí kodepozice ve vakuu. Důraz byl kladen na směrovost depozice, proto byly pomocí elektronové litografie a anizotropního leptání vytvořeny geometricky strukturované substráty. S jejich využitím byly vytvořeny perovskitové laterální heterostruktury, jejichž fotoluminiscenční vlastnosti je možné ladit pomocí poměru depozičních rychlostí prekurzorů. To nabízí potenciál pro vývoj efektivnějších solárních článků nebo nízkorozměrných pixelů. V druhé části byly připraveny čtvercové struktury SnSe, jejichž tloušťka se pohybovala v jednotkách nanometrů. Hlavní analytickou metodou byla Ramanova spektroskopie. Bylo prokázáno, že díky ní je možné odhadnout tloušťku vrstev bez potřeby náročnějších analytických metod. This bachelor's thesis investigates the preparation of multicomponent semiconductors via vacuum evaporation, with potential applications in optoelectronics or photovoltaics. The preparation of inorganic halide perovskites and SnSe using vacuum co-deposition is described. Emphasis was placed on the directionality of the deposition, therefore, geometrically patterned substrates were fabricated using electron-beam lithography and anisotropic etching. Utilizing these substrates, perovskite lateral heterostructures were fabricated, the photoluminescence properties of which can be tuned by adjusting the precursor deposition rate ratios. This offers potential for the development of more efficient solar cells or low-dimensional pixels. In the second part, square SnSe structures with thicknesses in the order of single nanometers were prepared. Raman spectroscopy was employed as the primary analytical method. It was demonstrated that this technique enables the estimation of layer thickness without the need for more demanding analytical methods.
Keywords: anisotropic etching; electron-beam lithography; lateral heterostructure; patterned substrate; perovskites; photoluminescence; Raman spectroscopy; tin selenide; vacuum deposition; anizotropní leptání; elektronová litografie; fotoluminiscence; laterální heterostruktura; napařování ve vakuu; perovskity; Ramanova spektroskopie; selenid cínu; strukturovaný substrát

Institution: Brno University of Technology (web)
Document availability information: Fulltext is available in the Brno University of Technology Digital Library.
Original record: http://hdl.handle.net/11012/259480

Permalink: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-775788


The record appears in these collections:
Universities and colleges > Public universities > Brno University of Technology
Academic theses (ETDs) > Bachelor's theses