Název:
SMV-2019-04: Velkoplošné nanášení nanostruktur
Překlad názvu:
SMV-2019-04: Large-area nanostructures preparing
Autoři:
Horáček, Miroslav ; Kolařík, Vladimír ; Matějka, Milan ; Krátký, Stanislav ; Chlumská, Jana ; Meluzín, Petr ; Král, Stanislav Typ dokumentu: Výzkumné zprávy
Rok:
2019
Jazyk:
cze
Abstrakt: [cze][eng] Vývoj sendvičových nanostruktur na dopovaném křemíkovém substrátu. Rozměry nanostruktur a jejich periodicita je na limitu rozměrů, které umožňuje připravit elektronový litograf Raith EBPG5000+. Na dopovaný křemíkový substrát byla připravena tenká nitridová vrstva jako maska pro následné leptání. Pomocí elektronové litografie a vakuového napařování byly nejdříve připraveny zlaté soukrytovací značky nutné pro provedení vícenásobné expozice. V dalším litografickém kroku byla naexponována maska v rezistu, přes kterou se pomocí reaktivního iontového leptání proleptala nitridová maska. Přes nitridovou masku došlo k vyleptání pyramid v křemíku. V třetím litografickém kroku byla pomocí různých strategií zápisu připravena druhá maska pro napaření hliníkové vrstvy v místech dříve vyleptaných pyramid. Proces byl dokončen provedením lift-off techniky okolní plochy.The development of sandwich nanostructures on doped silicon substrate. The dimension of nanostructures and their pitch is very close to the capability of used e-beam system Raith EBPG5000+. Thin silicon nitride layer was prepared on doped silicon substrate. This layer is needed for wet etching of silicon. The golden markers needed for direct writing of multiple patterns were prepared by the way of e-beam lithography and vacuum evaporation. Mask in the resist layer was exposed for etching of the silicon nitride mask by reactive ion etching in the next step. Wet etching of silicon was carried out after the mask was prepared. Small pyramids were created by the etching process. The last lithography step was preparation of the mask over the pyramids. Thin aluminum layer in the areas where the pyramids are presented was prepared by the way of vacuum evaporation and lift-off technique.
Klíčová slova:
e-beam lithography; nanostructures; reactive ion etching; vacuum evaporation; wet etching
Instituce: Ústav přístrojové techniky AV ČR
(web)
Informace o dostupnosti dokumentu:
Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR. Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0302498