Název:
Surface to bulk vacancy conversion in GaAs - discussion of the problem
Autoři:
Nohavica, Dušan ; Krier, A. Typ dokumentu: Příspěvky z konference Konference/Akce: European Conference on Surface Science ECOSS /22./, Prague (CZ), 2003-09-07 / 2003-09-12
Rok:
2003
Jazyk:
eng
Abstrakt: In the contribution the growth condition influence in MOVPE, MBE and ALE on the surface vacancies conversion to the bulk one was discussed. We adopted Van Vechten's concept supposing comparison of the reconstruction velocity and growth rate as leading parameters of the conversion. We try to consider reaction kinetics in Farrell's et al. surface vacancies fade away mechanisms during MBE growth on the reconstructed surfaces.
Klíčová slova:
MOCVD Číslo projektu: CEZ:AV0Z2067918 (CEP), IAA2067901 (CEP), GR/R43334/01 Poskytovatel projektu: GA AV ČR, EPSRC Zdrojový dokument: ECOSS 22
Instituce: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR
(web)
Informace o dostupnosti dokumentu:
Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR. Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0114356