Original title:
Luminiscence polovodičů studovaná rastrovací optickou mikroskopií v blízkém poli
Translated title:
Luminescence of semiconductors studied by scanning near-field optical microscopy
Authors:
Těšík, Jan ; Klapetek, Petr (referee) ; Křápek, Vlastimil (advisor) Document type: Master’s theses
Year:
2017
Language:
cze Publisher:
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství Abstract:
[cze][eng]
Práce je zaměřena na studium luminiscence atomárně tenkých vrstev chalkogenidů přechodných kovů (např. sulfid molybdeničitý MoS2). V experimentální části se věnuje připravě atomárně tenké vrstvy polovodivých chalkogenidů a následné tvorbě plazmonových interferenčních struktur okolo těchto vrstev. Při osvitu interferenční struktury v ní dojde k vytvoření stojaté plazmonové vlny, která budí fotoluminiscenci polovodiče. Fotoluminiscence byla studována jednak pomocí spektroskopie ve vzdáleném poli, jednak pomocí optické mikroskopie v blízkém poli.
This work is focused on the study of luminescence of atomic thin layers of transition metal chalkogenides (eg. MoS2). In the experimental part, the work deals with the preparation of atomic thin layers of semiconducting chalcogenides and the subsequent manufacturing of plasmonic interference structures around these layers. The illumination of the interference structure will create a standing plasmonic wave that will excite the photoluminescence of the semiconductor. Photoluminescence was studied both by far-field spectroscopy and near-field optical microscopy.
Keywords:
2D materials; Molybdenum disulfide (MoS2); optical microscopy; Photoluminescence; Raman spectroscopy; SNOM; Transition metal dichalcogenides (TMD); dichalkogenidy přechodných kovů (TMD); dvojdimenzioální materiály; fotoluminiscence; optická mikroskopie; Ramanova spektroskopie; SNOM; sulfid molybdeničitý (MoS2)
Institution: Brno University of Technology
(web)
Document availability information: Fulltext is available in the Brno University of Technology Digital Library. Original record: http://hdl.handle.net/11012/67991