Název:
Luminiscence polovodičů studovaná rastrovací optickou mikroskopií v blízkém poli
Překlad názvu:
Luminescence of semiconductors studied by scanning near-field optical microscopy
Autoři:
Těšík, Jan ; Klapetek, Petr (oponent) ; Křápek, Vlastimil (vedoucí práce) Typ dokumentu: Diplomové práce
Rok:
2017
Jazyk:
cze
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství
Abstrakt: [cze][eng]
Práce je zaměřena na studium luminiscence atomárně tenkých vrstev chalkogenidů přechodných kovů (např. sulfid molybdeničitý MoS2). V experimentální části se věnuje připravě atomárně tenké vrstvy polovodivých chalkogenidů a následné tvorbě plazmonových interferenčních struktur okolo těchto vrstev. Při osvitu interferenční struktury v ní dojde k vytvoření stojaté plazmonové vlny, která budí fotoluminiscenci polovodiče. Fotoluminiscence byla studována jednak pomocí spektroskopie ve vzdáleném poli, jednak pomocí optické mikroskopie v blízkém poli.
This work is focused on the study of luminescence of atomic thin layers of transition metal chalkogenides (eg. MoS2). In the experimental part, the work deals with the preparation of atomic thin layers of semiconducting chalcogenides and the subsequent manufacturing of plasmonic interference structures around these layers. The illumination of the interference structure will create a standing plasmonic wave that will excite the photoluminescence of the semiconductor. Photoluminescence was studied both by far-field spectroscopy and near-field optical microscopy.
Klíčová slova:
dichalkogenidy přechodných kovů (TMD); dvojdimenzioální materiály; fotoluminiscence; optická mikroskopie; Ramanova spektroskopie; SNOM; sulfid molybdeničitý (MoS2); 2D materials; Molybdenum disulfide (MoS2); optical microscopy; Photoluminescence; Raman spectroscopy; SNOM; Transition metal dichalcogenides (TMD)
Instituce: Vysoké učení technické v Brně
(web)
Informace o dostupnosti dokumentu:
Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT. Původní záznam: http://hdl.handle.net/11012/67991