Název:
Technologie leptání křemíku
Překlad názvu:
The silicon etching technology
Autoři:
Krátký, Stanislav ; Ježek,, Jan (oponent) ; Matějka, Milan (vedoucí práce) Typ dokumentu: Diplomové práce
Rok:
2012
Jazyk:
cze
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstrakt: [cze][eng]
Tato práce se zabývá technologií mokrého a suchého leptání křemíku. Zkoumá se použití vodného roztoku hydroxidu draselného. V suchých technikách se práce zaměřuje na plazmatické leptání křemíku směsí CF4+O2. U obou leptacích procesů jsou stanoveny důležité parametry leptání, jako je rychlost leptání křemíku, maskovacího materiálu, selektivita leptání, drsnost povrchu a podleptání masky. Řeší se zde i další pomocné a přípravné práce v technologii leptání. Konkrétně jde o vytváření masky v rezistu a v oxidu křemíku, litografii a leptání rezistu za pomoci kyslíkové plazmy.
This thesis deals with the silicon etching technology. It Examines using of water solution of potassium hydroxide. It focuses on plasma etching of silicon using mixture of CF4 and O2 as the dry way of etching. Important parameters of etching like etching rate of silicon and masking materials, etching selectivity, surface roughness and underetching of mask are determined for both ways. Some additional processes has been examined as well, namely creating of mask of resist and silicon dioxide, lithography process and etching of resist using oxygen plasma.
Klíčová slova:
Leptadlo POL; mokré anizotropní leptání; monokrystalický křemík (100); plazma CF4; plazma O2; suché plazmatické leptání; vodný roztok KOH.; BOE; dry plasma etching; monocrystalline silicon (100); plasma CF4; plasma O2; water solution of KOH; wet anisotropic etching.
Instituce: Vysoké učení technické v Brně
(web)
Informace o dostupnosti dokumentu:
Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT. Původní záznam: http://hdl.handle.net/11012/13482