Original title:
Příprava ultratenkých vrstev SiN
Translated title:
Preparation of SiN ultrathin films
Authors:
Dvořák, Martin ; Voborný, Stanislav (referee) ; Mach, Jindřich (advisor) Document type: Bachelor's theses
Year:
2011
Language:
cze Publisher:
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství Abstract:
[cze][eng]
Tato bakalářská práce je zaměřena na realizaci, testování a kalibrování efuzní cely poskytující atomární svazky Si o termální energii (0,1 - 1 eV). Tyto svazku jsou užity k přípravě ultratenkých vrstev Si a SiN. Je zpracována rešeršní studie dosavadních poznatků o nitridu křemíku a jeho aplikaci v polovodičovém průmyslu. Dále byly provedeny první experimenty s depozicemi ultratenkých vrstev Si a SiN. Tyto vrstvy byly analyzovány metodami rentgenová fotoelektronová spektroskopie (XPS) a mikroskopie atomárních sil (AFM).
This bachelor´s thesis deals with design, testing and calibration of an effussion cell generating silicon atomic beam having thermal energy (0,1 - 1 eV). These beams are used for the preparation of Si and SiN ultrathin films. Silicon nitride and its applications in semiconductor industry are reviewed. First experiments with deposition of ultrathin films of Si and SiN are described. These layers have been analyzed by x-ray photoelectron spektroscopy (XPS) and atomic force microscopy (AFM).
Keywords:
effusion cell; growth ultra thin layers; MBE; SiN; UHV; efuzní cela; MBE; růst ultratenkých vrstev; SiN; UHV
Institution: Brno University of Technology
(web)
Document availability information: Fulltext is available in the Brno University of Technology Digital Library. Original record: http://hdl.handle.net/11012/1201