Národní úložiště šedé literatury Nalezeno 5 záznamů.  Hledání trvalo 0.00 vteřin. 
SMV-2019-04: Velkoplošné nanášení nanostruktur
Horáček, Miroslav ; Kolařík, Vladimír ; Matějka, Milan ; Krátký, Stanislav ; Chlumská, Jana ; Meluzín, Petr ; Král, Stanislav
Vývoj sendvičových nanostruktur na dopovaném křemíkovém substrátu. Rozměry nanostruktur a jejich periodicita je na limitu rozměrů, které umožňuje připravit elektronový litograf Raith EBPG5000+. Na dopovaný křemíkový substrát byla připravena tenká nitridová vrstva jako maska pro následné leptání. Pomocí elektronové litografie a vakuového napařování byly nejdříve připraveny zlaté soukrytovací značky nutné pro provedení vícenásobné expozice. V dalším litografickém kroku byla naexponována maska v rezistu, přes kterou se pomocí reaktivního iontového leptání proleptala nitridová maska. Přes nitridovou masku došlo k vyleptání pyramid v křemíku. V třetím litografickém kroku byla pomocí různých strategií zápisu připravena druhá maska pro napaření hliníkové vrstvy v místech dříve vyleptaných pyramid. Proces byl dokončen provedením lift-off techniky okolní plochy.
SMV-2019-03: Tenké membrány
Krátký, Stanislav ; Matějka, Milan ; Chlumská, Jana ; Horáček, Miroslav ; Kolařík, Vladimír ; Meluzín, Petr ; Král, Stanislav
Vývoj technologie přípravy tenkých nitridových membrán ve velké ploše pro potřeby spektroskopie pomocí pomalých elektronů. Během vývoje se vyzkoušelo několik různých technik pro přípravu tenkých membrán – mokré leptání, reaktivní iontové leptání, plasmatické leptání a nízkofrekvenční plasmatické leptání. Zároveň byla vyvinuta technika nepřímého měření takto tenkých membrán.
Vliv podleptání plazmonických antén na jejich optickou odezvu
Novák, Martin ; Nebojsa, Alois (oponent) ; Šamořil, Tomáš (vedoucí práce)
V této práci je sledována závislost optické odezvy na podleptání plazmonických antén. Když na optické antény dopadá světlo s rezonanční vlnovou délkou, tak v okolí antény dojde k zesílení elektromagnetického pole. Rezonanční vlnová délka je závislá na délce antény a efektivním indexu lomu, jenž je dán vlastnostmi v okolí antény. Podleptáváním antény se zmenší styčná plocha se substrátem (dielektrikem) a změní se efektivní index lomu a tím i optická odezva antény.
Aplikace fokusovaného iontového a elektronového svazku v nanotechnologiích
Šamořil, Tomáš ; Mikulík, Petr (oponent) ; Jiruše, Jaroslav (oponent) ; Šikola, Tomáš (vedoucí práce)
Systémy pracující současně s fokusovanými elektronovými a iontovými svazky jsou v dnešní době velmi důležitými nástroji v oblasti mikro- a nanotechnologií. Kromě zobrazování a analýzy vzorků je lze rovněž využít k litografii, jejíž aplikací jsou připravovány struktury požadovaného tvaru a rozměrů v mikrometrovém až nanometrovém měřítku. Práce nejprve pojednává o jedné z litografických metod – depozici indukované fokusovaným elektronovým nebo iontovým svazkem, u níž je hledáno optimální nastavení podmínek expozice a studována kvalita deponovaných kovových struktur z hlediska tvaru a prvkového složení. Následně je věnována pozornost i dalším typům litografických metod (elektronová, iontová), které jsou aplikovány k přípravě leptacích masek pro následné selektivní mokré leptání monokrystalického křemíku. Kromě optimalizace tohoto procesu je studováno využití leptaného povrchu Si např. pro pozdější selektivní růst kovových materiálů. U leptaných, tvarově a rozměrově definovaných 2D, resp. 3D struktur je studium v některých případech zaměřeno i na jejich funkční vlastnosti.
Příprava mikro- a nanostruktur pomocí rozdílných leptacích metod
Těšík, Jan ; Urbánek, Michal (oponent) ; Šamořil, Tomáš (vedoucí práce)
Selektivní leptání je v současnosti velmi používanou metodou pro přípravu mikro- a nanostruktur. Tato bakalářská práce se zabývá principy těchto leptacích metod, jejich aplikacemi a také možnostmi suchého a mokrého leptání na Ústavu fyzikálního inženýrství. V experimentální části se věnuje přípravě leptacích masek k zajištění selektivity leptání a následně tvorbě předem definovaných mikro- a nanostruktur. Z výsledků byly stanoveny důležité parametry, např. rychlosti leptání Si, selektivitu masek atd. Dále byla porovnána vhodnost použitých způsobů leptání a krycích masek.

Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.