|
|
New nanodevices for electronics - fabrication and characterization
Márik, Marian ; Husák,, Miroslav (referee) ; Mikulík,, Petr (referee) ; Hubálek, Jaromír (advisor)
Táto práca sa zaoberá technikou výroby samousporiadaných nanoštruktúr pre elektrické aplikácie. Prototypy boli pripravené anodickou oxidáciou v dvoch dĺžkach a tromi rôznymi tepelnými úpravami. Štrukturálna charakterizácia bola spravená pomocou techniky SEM, TEM a EDX a vyhodnotenie nielen z štrukturálneho, ale aj z materiálového hľadiska. Jedinečná koreňová štruktúra samousporiadaných nanotyčiniek bola vyhodnotená a porovnaná po troch rôznych tepelných úpravách: po anodizácii, po vákuovom žíhaní, a po žíhaní vo vzduchu. Všetky prototypy obsahujú nanotyčinky s amorfnou štruktúrou, ale našli sa však aj nanokryštály pod koreňovými štruktúrami. Elektrická charakterizácia prototypov ukázala: odporové spínacie správanie (RS), diódové charakteristiky a charakteristiku podobnú pre diódy s kapacitorom. Aktívny povrch pre spínací mechanizmus je v hornej časti nanoštruktúr na rozhraní nanotyčiniek a zlatej elektródy. Výška Schottkyho bariéry na rozhraní Ti / TiO2 bola vypočítaná dvoma spôsobmi a pre všetky tri zariadenia bola nižšia ako 1,11 eV.
|
|
|
New nanodevices for electronics - fabrication and characterization
Márik, Marian ; Husák,, Miroslav (referee) ; Mikulík,, Petr (referee) ; Hubálek, Jaromír (advisor)
Táto práca sa zaoberá technikou výroby samousporiadaných nanoštruktúr pre elektrické aplikácie. Prototypy boli pripravené anodickou oxidáciou v dvoch dĺžkach a tromi rôznymi tepelnými úpravami. Štrukturálna charakterizácia bola spravená pomocou techniky SEM, TEM a EDX a vyhodnotenie nielen z štrukturálneho, ale aj z materiálového hľadiska. Jedinečná koreňová štruktúra samousporiadaných nanotyčiniek bola vyhodnotená a porovnaná po troch rôznych tepelných úpravách: po anodizácii, po vákuovom žíhaní, a po žíhaní vo vzduchu. Všetky prototypy obsahujú nanotyčinky s amorfnou štruktúrou, ale našli sa však aj nanokryštály pod koreňovými štruktúrami. Elektrická charakterizácia prototypov ukázala: odporové spínacie správanie (RS), diódové charakteristiky a charakteristiku podobnú pre diódy s kapacitorom. Aktívny povrch pre spínací mechanizmus je v hornej časti nanoštruktúr na rozhraní nanotyčiniek a zlatej elektródy. Výška Schottkyho bariéry na rozhraní Ti / TiO2 bola vypočítaná dvoma spôsobmi a pre všetky tri zariadenia bola nižšia ako 1,11 eV.
|
guest ::
