|
| |
|
|
Optimalizace scintilačního detektoru pro detekci nízkoenegiových signálních elektronů v elektronové mikroskopii
Tihlaříková, Eva ; Kadlec, Jaromír (oponent) ; Uruba, Václav (oponent) ; Neděla, Vilém (vedoucí práce)
Dizertační práce se zabývá optimalizací scintilačního detektoru pro účinnou detekci nízkoenergiových signálních elektronů v komoře vzorku rastrovacího elektronového mikroskopu. Řešení vycházelo ze studia mechanismů ztrát energie signálních elektronů během jejich interakce s vodivou vrstvou a scintilátorem, které je možné studovat pomocí simulací založených na stochastické metodě Monte Carlo. Na základě testovacích simulací a srovnání jejich výsledků s dostupnými experimentálními daty byl vybrán vhodný Monte Carlo software. Následně byly kvantifikovány ztráty energie signálních elektronů rozdílných energií při jejich průchodu konkrétními vodivými vrstvami na povrchu scintilátorů a během jejich interakce se scintilátory. Výsledky simulací umožnily definovat kritéria pro optimalizaci vodivých vrstev, které byly následně naneseny na scintilátory a experimentálně měřeny ve scintilačním detektoru rastrovacího elektronového mikroskopu. Tato měření umožnila verifikovat výsledky simulací a poskytla řadu nových informací o vlivu materiálu a tloušťky vodivých vrstev, v kombinaci s materiálem scintilátoru a světlovodu. Zvýšení detekční účinnosti scintilačního detektoru s optimalizovanými vodivými vrstvami, schopného detekovat nízkoenergiové signálních elektrony, bylo experimentálně prokázáno.
|
|
|
Analýza rozložení tlaků ve variantě detektoru SE se třemi clonkami pomocí systému CAE
Tomášek, Martin ; Vyroubal, Petr (oponent) ; Maxa, Jiří (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se zabývá analýzou rozložení tlaků v prostorách scintilačního detektoru sekundárních elektronů ve variantě detektoru se třemi clonkami. Cílem této práce je analýza proudění tekutin v závislosti na aplikaci třetí clonky ve vstupní části detektoru, a tím vytvoření další samostatně čerpané komory, která má za úkol zajistit lepší rozložení tlaků v prostorách detektoru. Výsledkem analýzy by mělo být zjištění, jak se změní parametry uvnitř detektoru. Pokud bude zjištěno, že aplikace třetí clonky má příznivý vliv na proudění tekutin v prostorách detektoru, může být tato úprava použita při zdokonalení detektoru. Diplomová práce je rozdělena do několika kapitol. Nejdříve jsou popsány základní principy elektronové mikroskopie včetně přípravy vzorků, podmínek pro správnou funkci mikroskopů a rozdělení jednotlivých typů elektronových mikroskopů. V dalších kapitolách jsou popsány stručně fyzikální popisy proudění plynů v nízkých tlacích a otvorech malých dimenzí, jejich matematické modely a simulačních software použitý při této analýze. Analýza je provedena v programu SolidWorks za pomoci modulu Cosmos FloSimulation. V závěru práce jsou shrnuty výsledky analýzy včetně grafických znázornění simulace.
|
|
|
Preparation and optical properties of scintillation oxide layers
Hanuš, Martin ; Kučera, Miroslav (vedoucí práce) ; Čuba, Václav (oponent) ; Pejchal, Jan (oponent)
V této práci jsme se zaměřili na zkoumání vlastností scintilačních vrstev granátů (RxLu3-xAl5O12, RxY3-xAl5O12) dotovaných ionty vzácných zemin (Ce, Pr, Tb) a ortosilikátů (RxY2-xSiO5; R = Ce, Tb) připravených metodou kapalné epitaxe, vlivem kodotace ionty Sc na emisi Pr3+ a Tb3+ iontů v granátech a vlivem iontů Zr na Ce3+ emisi v ortosilikátech. Oba systémy scintilačních materiálů se vyznačují vysokou kvantovou účinností a dobrou chemickou i mechanickou odolností. Jsou ideálními materiály pro stínítka v 2D zobrazovacích zařízeních. Konkrétně jsme studovali optické (absorpční, excitační a emisní spektra), scintilační (radioluminescence, světelné výtěžky) a strukturní vlastnosti. Cílem bylo prozkoumat tyto vlastnosti připravených vrstev a porovnat je s vlastnostmi monokrystalů připravených Czochralského metodou. Snahou bylo určení vlivu složení taveniny a technologických parametrů. Dále pak také stanovení optimálního množství dopantů ve vrstvě. Byla použita tavidla PbO - B2O3 a BaO - BaF2 - B2O3. Tavidla umožňují růst granátových vrstev s nízkým obsahem intrinsických defektů krystalové mříže. Pěstované vrstvy o tloušťce 1 až 30 µm dosahují vyšších koncentrací dopantů oproti monokrystalům.
|
|
|
Preparation and optical properties of scintillation oxide layers
Hanuš, Martin ; Kučera, Miroslav (vedoucí práce)
V této práci jsme se zaměřili na zkoumání vlastností scintilačních vrstev granátů (RxLu3-xAl5O12, RxY3-xAl5O12) dotovaných ionty vzácných zemin (Ce, Pr, Tb) a ortosilikátů (RxY2-xSiO5; R = Ce, Tb) připravených metodou kapalné epitaxe, vlivem kodotace ionty Sc na emisi Pr3+ a Tb3+ iontů v granátech a vlivem iontů Zr na Ce3+ emisi v ortosilikátech. Oba systémy scintilačních materiálů se vyznačují vysokou kvantovou účinností a dobrou chemickou i mechanickou odolností. Jsou ideálními materiály pro stínítka v 2D zobrazovacích zařízeních. Konkrétně jsme studovali optické (absorpční, excitační a emisní spektra), scintilační (radioluminescence, světelné výtěžky) a strukturní vlastnosti. Cílem bylo prozkoumat tyto vlastnosti připravených vrstev a porovnat je s vlastnostmi monokrystalů připravených Czochralského metodou. Snahou bylo určení vlivu složení taveniny a technologických parametrů. Dále pak také stanovení optimálního množství dopantů ve vrstvě. Byla použita tavidla PbO - B2O3 a BaO - BaF2 - B2O3. Tavidla umožňují růst granátových vrstev s nízkým obsahem intrinsických defektů krystalové mříže. Pěstované vrstvy o tloušťce 1 až 30 µm dosahují vyšších koncentrací dopantů oproti monokrystalům.
|
|
|
Optical properties of thin film scintillators
Onderišinová, Zuzana
V predloženej práci sme skúmali Pr, Sc; a Eu-dopované tenké epitaxné vrstvy granátovej štruktúry Lu3Al5O12 pripravené metódou epitaxie z kvapalnej fázy (LPE) na Y3Al5O12 (YAG) a Lu3Al5O12 (LuAG) monokryštalických podložkách. Pri procese rastu boli použité tavidlá BaO - BaF2 - B203 (Pr, Sc - dopované vrstvy) a PbO - B2O3 (Eu - dopované vrstvy). Tieto materiály sú považované za perspektívne scintilátory s vysokou hustotou, rýchlou scintilačnou odozvou, vysokým kvantovým výťažkom a dobrou chemickou a mechanickou odolnosťou. Sú využívané v množstve aplikácií, ktoré vyžadujú vysoké priestorové rozlíšenie. Boli odmerané a preskúmané absorpčné, emisné a excitačné spektrá experimentálnych vzoriek. Zamerali sme sa hlavne na štúdium vlpyvu Sc3+ iónov na emisné vlastnosti Pr3+ iónov v epitaxných vrstvách, ktoré obsahovali navzájom rôzne množstvá koncentrácií dopantov. Ióny Sc3+ vo viditeľnej a blízkej UV spektrálnej oblasti nevykazujú žiarivé prechody, ale zvyšujú scintilačnú odozvu Pr3+ centier. Tento jav je spôsobený prekryvom Sc emisného pásu v okolí 275 nm s 4f - 5d absorpčným pásom Pr3+ iónov. Meraním rádioluminiscencie bol potvrdený transport energie od Sc3+ k Pr3+ aktivačným centrám.
|
|
|
Optimalizace scintilačního detektoru pro detekci nízkoenegiových signálních elektronů v elektronové mikroskopii
Tihlaříková, Eva ; Kadlec, Jaromír (oponent) ; Uruba, Václav (oponent) ; Neděla, Vilém (vedoucí práce)
Dizertační práce se zabývá optimalizací scintilačního detektoru pro účinnou detekci nízkoenergiových signálních elektronů v komoře vzorku rastrovacího elektronového mikroskopu. Řešení vycházelo ze studia mechanismů ztrát energie signálních elektronů během jejich interakce s vodivou vrstvou a scintilátorem, které je možné studovat pomocí simulací založených na stochastické metodě Monte Carlo. Na základě testovacích simulací a srovnání jejich výsledků s dostupnými experimentálními daty byl vybrán vhodný Monte Carlo software. Následně byly kvantifikovány ztráty energie signálních elektronů rozdílných energií při jejich průchodu konkrétními vodivými vrstvami na povrchu scintilátorů a během jejich interakce se scintilátory. Výsledky simulací umožnily definovat kritéria pro optimalizaci vodivých vrstev, které byly následně naneseny na scintilátory a experimentálně měřeny ve scintilačním detektoru rastrovacího elektronového mikroskopu. Tato měření umožnila verifikovat výsledky simulací a poskytla řadu nových informací o vlivu materiálu a tloušťky vodivých vrstev, v kombinaci s materiálem scintilátoru a světlovodu. Zvýšení detekční účinnosti scintilačního detektoru s optimalizovanými vodivými vrstvami, schopného detekovat nízkoenergiové signálních elektrony, bylo experimentálně prokázáno.
|
|
|
Preparation and optical properties of scintillation oxide layers
Hanuš, Martin ; Kučera, Miroslav (vedoucí práce) ; Čuba, Václav (oponent) ; Pejchal, Jan (oponent)
V této práci jsme se zaměřili na zkoumání vlastností scintilačních vrstev granátů (RxLu3-xAl5O12, RxY3-xAl5O12) dotovaných ionty vzácných zemin (Ce, Pr, Tb) a ortosilikátů (RxY2-xSiO5; R = Ce, Tb) připravených metodou kapalné epitaxe, vlivem kodotace ionty Sc na emisi Pr3+ a Tb3+ iontů v granátech a vlivem iontů Zr na Ce3+ emisi v ortosilikátech. Oba systémy scintilačních materiálů se vyznačují vysokou kvantovou účinností a dobrou chemickou i mechanickou odolností. Jsou ideálními materiály pro stínítka v 2D zobrazovacích zařízeních. Konkrétně jsme studovali optické (absorpční, excitační a emisní spektra), scintilační (radioluminescence, světelné výtěžky) a strukturní vlastnosti. Cílem bylo prozkoumat tyto vlastnosti připravených vrstev a porovnat je s vlastnostmi monokrystalů připravených Czochralského metodou. Snahou bylo určení vlivu složení taveniny a technologických parametrů. Dále pak také stanovení optimálního množství dopantů ve vrstvě. Byla použita tavidla PbO - B2O3 a BaO - BaF2 - B2O3. Tavidla umožňují růst granátových vrstev s nízkým obsahem intrinsických defektů krystalové mříže. Pěstované vrstvy o tloušťce 1 až 30 µm dosahují vyšších koncentrací dopantů oproti monokrystalům.
|
|
|
Oxide scintillator detectors
Lučeničová, Zuzana ; Kučera, Miroslav (vedoucí práce) ; Bryknar, Zdeněk (oponent) ; Mihóková, Eva (oponent)
Predložená práca sa zameriavava na štúdium nového materiálového konceptu Ce3+ dopovaného granátu (GdLu)3(GaAl)5O12. Vysoko čisté monokryštalické epitaxné filmy boli vypestované metódou epitaxie z kvapalnej fázy z BaO-B2O3-BaF2 taveniny, so špeciálnym dôrazom na elimináciu potenciálnych neštôt pochádzajúcich z taveniny. Experimentálne štúdiá fotoelektrónového výťažku (excitované alfa částicami), kinetiky dosvitov rýchlej a oneskorenej rekombinácie v milisekundovej oblasti (excitované elektrónovým zväzkom) a foto- katodo- a rádio-luminiscenčnej spektroskopie, boli použité na charakteristiku študovaného materiálu. Jednokrokový nežiarivý transport energie z donoru Gd3+ na akceptor Ce3+ bol pozorovaný v nízko dopovaných LuAG:Gd,Ce filmoch, pričom sa jednalo o ďalekodosahovú dipól-dipolovú interakciu. Špeciálna pozornosť bola venovaná pozitívnemu vplyvu kombinovanej Gd, Ga dotácie na rozsiahle potlačenie plytkých pascí, ktoré sú zodpovedné za pomalú komponentu v scintilačnej odozve. Najlepšie získané scintilačné vlastnosti študovaných epitaxných filmov boli porovnateľné s veľmi výkonnými objemovými kryštálmi.
|
|
|
Preparation and optical properties of scintillation oxide layers
Hanuš, Martin ; Kučera, Miroslav (vedoucí práce)
V této práci jsme se zaměřili na zkoumání vlastností scintilačních vrstev granátů (RxLu3-xAl5O12, RxY3-xAl5O12) dotovaných ionty vzácných zemin (Ce, Pr, Tb) a ortosilikátů (RxY2-xSiO5; R = Ce, Tb) připravených metodou kapalné epitaxe, vlivem kodotace ionty Sc na emisi Pr3+ a Tb3+ iontů v granátech a vlivem iontů Zr na Ce3+ emisi v ortosilikátech. Oba systémy scintilačních materiálů se vyznačují vysokou kvantovou účinností a dobrou chemickou i mechanickou odolností. Jsou ideálními materiály pro stínítka v 2D zobrazovacích zařízeních. Konkrétně jsme studovali optické (absorpční, excitační a emisní spektra), scintilační (radioluminescence, světelné výtěžky) a strukturní vlastnosti. Cílem bylo prozkoumat tyto vlastnosti připravených vrstev a porovnat je s vlastnostmi monokrystalů připravených Czochralského metodou. Snahou bylo určení vlivu složení taveniny a technologických parametrů. Dále pak také stanovení optimálního množství dopantů ve vrstvě. Byla použita tavidla PbO - B2O3 a BaO - BaF2 - B2O3. Tavidla umožňují růst granátových vrstev s nízkým obsahem intrinsických defektů krystalové mříže. Pěstované vrstvy o tloušťce 1 až 30 µm dosahují vyšších koncentrací dopantů oproti monokrystalům.
|
host ::
RSS.