Národní úložiště šedé literatury Nalezeno 4 záznamů.  Hledání trvalo 0.00 vteřin. 
Obecná metodika modelování vysokoteplotních technologických procesů metodou konečných prvků
Jirásek, Vít ; Potocký, Štěpán ; Sveshnikov, Alexey
Byla vyvinuta obecná metodika modelování vysokoteplotních reaktorů vyráběných SVCS Process Innovation, s.r.o. metodou konečných prvků, resp. konečných objemů. Metodika zahrnuje principy práce se SW balíky pro multifyzikální CFD modelování se zřetelem na navzájem propojené procesy chemicky reagujícího proudění, transportu hmoty a tepla. Značná část je dále věnována vztahu model-experiment, verifikaci a validaci modelů a porovnání výpočtů s experimenty.
Metodika nedestruktivního určení koncentračního profilu bóru v Si deskách
Holovský, Jakub ; Remeš, Zdeněk
Byla navržena, teoreticky analyzována, realizována jak po stránce výpočetní, tak po stránce experimentální a nakonec úspěšně odzkoušena nová metoda určování difúzních profilů rychle, nedestruktivně a bezkontaktně pomocí infračervené reflexe.
Metodika nedestruktivního určení koncentračního profilu fosforu v Si deskách
Holovský, Jakub ; Remeš, Zdeněk
Byla navržena, teoreticky analyzována, realizována jak po stránce výpočetní, tak po stránce experimentální a nakonec úspěšně odzkoušena nová metoda určování difúzních profilů rychle, nedestruktivně a bezkontaktně pomocí infračervené reflexe.
Photothermal and photocurrent spectroscopy of wide band gap nanocrystalline semiconductors
Remeš, Zdeněk ; Babchenko, Oleg ; Neykova, Neda ; Varga, Marián
Optical spectroscopy belongs to the most important methods applied to characterize thin films. Photothermal deflection spectroscopy (PDS) as well as the dual beam photocurrent (DBP) spectroscopy in near ultraviolet (200-400 nm), visible (400-700 nm) and near infrared regions (700-2000 nm) are particularly useful for study of the wide band gap semiconductors deposited as thin layers on glass substrates. In our laboratory we focus on optically transparent thin films such as nanocrystalline diamond (NCD) or ZnO nanostructures with size too small to be visualized in optical microscope and the optical absorption edge in the ultraviolet region. In this contribution we summarize how to evaluate the optical absorption edge and the defects in the band gap of these wide band gap nanocrystalline semiconductors.

Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.