Národní úložiště šedé literatury Nalezeno 74 záznamů.  1 - 10dalšíkonec  přejít na záznam: Hledání trvalo 0.00 vteřin. 
Užití kovových materiálů pro selektivní růst
Němeček, Tomáš ; Rezek, Bohuslav (oponent) ; Čechal, Jan (vedoucí práce)
Povrch Si(100), povrchové fáze Ga a jejich oxidace byly zkoumány pomocí metod XPS a LEED. Byly provedeny studie oxidace substrátu Si(100) a struktury (2x2)-Ga s následným žíháním pro odpaření oxidu gallného. Selektivní růst Ga na mřížkách tvořených SiO2/Si byl mapován s využitím metod SEM a AFM. Bylo zjištěno, že gallium roste uvnitř struktur selektivně. Dále byly analyzovány jednotlivé struktury. Kombinací STM měření a výpočtů DFT se podařila plně určit struktura povrchového oxidu na Ni3Al(111) a na NiAl(110) substrátech. Bylo zjištěno, že struktura povrchového oxidu hlinitého na NiAl(110) netvoří tzv. vzor, a že klastry Fe a Co na něm nerostou uspořádaně. Naproti tomu, oxid hlinitý vytvořený na povrchu Ni3Al(111) vzor tvoří a může být použit pro růst klastrů Fe a Co.
Selektivní růst kovových materiálů na čistých a oxidovaných substrátech.
Koňáková, Kateřina ; Cháb, Vladimír (oponent) ; Čechal, Jan (vedoucí práce)
Diplomová práce pojednává o studiu morfologie tenké vrstvy kobaltu na čistém Si(111) a na Si(111) s tenkou vrstvou oxidu křemičitého pomocí metod AFM a XPS. Je také studií selektivního růstu kobaltu na mřížkách vytvořených pomocí fokusovaného iontového svazku a elektronové litografie. Dále je zkoumán růst kovových materiálů (Fe, Co) na povrchovém oxidu vytvořeném na Ni3Al(111).
Template assisted electrodeposition of multilayer nanostructures
Lednický, Tomáš ; Drbohlavová, Jana (oponent) ; Čechal, Jan (vedoucí práce)
This diploma thesis is focused on the fabrication of Au-PANI-Au nanowires. The fabrication of nanowires based on the electrochemical deposition of various metal and polymerization of polyaniline within porous templates is presented. Preparation of porous anodic alumina templates by the anodization of aluminium is described in detail. The theoretical part covers the basics of the electrochemistry and it provides a broad overview of the porous anodic alumina.
Self-assembled molecular layers on epitaxial graphene
Kovařík, Štěpán ; Švec, Martin (oponent) ; Čechal, Jan (vedoucí práce)
Molecular self-assembly is a spontaneous process of structure formation driven by intermolecular and substrate-molecule interactions. Understanding the principle of the involved processes is a key for the preparation of functional nanostructures with atomic precision. The thesis is focused on the preparation and study of the self-assembled molecular structures of 4,4’-biphenyl dicarboxylic acid on the graphene covered Ir(111) substrate. Scanning tunneling microscopy and low energy electron microscopy are employed to study molecular structure on various scales ranging from sub-nanometer to millimeter. The thesis describes a resulting molecular structure that is stable at room temperature. The assembly exhibits a binding motif determined by the interaction of two carboxyl groups.
Kvantifikace vodíku pomocí elektronové spektroskopie
Endstrasser, Zdeněk ; Polčák, Josef (oponent) ; Čechal, Jan (vedoucí práce)
Absence vodíku ve fotoelektronovém spektru zůstává jedním z největších omezení rentgenové fotoelektronové spektroskopie. Hlavním cílem této práce je proto stanovení koncentrace vodíkových atomů ve zkoumaných vzorcích. K tomu účelu je využita elektronově spektroskopická metoda REELS založená na kvazi-elastickém rozptylu elektronů. Volba této metody byla určena zejména skutečností, že fotoelektronové spektrometry obsahují elektronový zdroj v základní výbavě, a pro provedení potřebných měření je tak využita pouze jediná aparatura. V našem případě byla měření provedena na fotoelektronovém spektrometru AXIS Supra v laboratořích CEITEC. V této práci jsme se primárně věnovali polymerním vzorkům, jejichž povrchová vrstva byla odprášena použitím iontových klastrů. Na takto očištěných vzorcích byla provedena měření XPS a REELS. Získaná data byla následně vyhodnocena a výsledky diskutovány. Zásadním výstupem této práce je především stanovení metodologie detekce a kvantifikace vodíkových atomů. Pozornost je však také věnována teoretickému popisu užitých metod a zhodnocení kritických aspektům spojeným s použitím metody REELS. Diskutován je zejména vliv nabíjení vzorku a elektronové dávky na výsledky měření.
2D molecular systems at surfaces
Kormoš, Lukáš ; Mysliveček,, Josef (oponent) ; Schlickum, Uta (oponent) ; Čechal, Jan (vedoucí práce)
Molecular systems represent one direction of the current research in novel nano-electronic devices. Organic molecules are considered in various applications such as solar cells, displays or quantum computing. Growth of high-quality molecular layers with desired properties often employs self-assembled structures and requires a deep understanding of metal-organic interface and dynamics of the molecular layer growth. Work presented in the thesis is in the beginning focused on self-assembly of biphenyl-dicarboxylic acid (BDA) on Cu (1 0 0) and Ag (1 0 0) studied in UHV utilizing STM, XPS and LEEM. In the case of BDA/Ag, multiple chemically and structurally distinct molecular phases are described in detail. Next, the BDA and TCNQ self-assembly is studied on graphene grown on Ir (1 1 1). In addition, metal-organic systems were synthesized by deposition of additional Ni and Fe atoms with TCNQ and BDA molecules on graphene. The nal part of this work presents on-surface synthesis of graphene nanoribbons (7-AGNR) on kinked Au (16 14 15) substrate from DBBA precursor molecules. Surface reconstruction after growth is analysed by STM and electronic properties of 7-AGNRs by ARPES.
Morfologie ostrůvků germania v přítomnosti gallia a zlata
Pejchal, Tomáš ; Čechal, Jan (oponent) ; Kolíbal, Miroslav (vedoucí práce)
Tato práce se zabývá morfologií ostrůvků germania v přítomnosti zlata, stříbra a gallia, připravených na povrchu Ge(111) pomocí napařování za podmínek UHV. V práci je představena rešerše povrchových rekonstrukcí uvedených kovů na povrchu Ge(111). Je ukázáno, že koncentrace, velikost i tvar ostrůvků závisí na přítomnosti jednotlivých kovů i teplotě depozice. Povrchová struktura a morfologie vzorků byly studovány metodami RHEED a SEM.
Studium lokálně modifikovaných povrchů pro selektivní růst kobaltu
Krajňák, Tomáš ; Bábor, Petr (oponent) ; Čechal, Jan (vedoucí práce)
V této práci se pomocí metody rentgenové fotoelektronové spektroskopie určovala chemická analýza křemíkových substrátů s orientací (1 1 1). Byly využity přístroje XPS Kratos Supra a elektronový mikroskop Tescan LYRA3 s iontovým svazkem FIB ve sdílených laboratořích CEITEC (CF Nano). Povrch použitých substrátů byl lokálně modifikován fokusovaným iontovým svazkem gallia. Byly odprašovány čtvercové plochy o nominálních hloubkách od 1 nm do 10 nm. Dále byl studován vliv žíhání na takto modifikované oblasti. Výstupem této práce je určení závislostí intenzit Si 2p a Ga 2p3/2. Byla určena závislost intenzit těchto píků na nominální hloubce odprášených ploch a vliv teploty na tyto plochy. XPS analýza povedená po modifikaci substrátu fokusovaným iontovým svazkem odhalila přítomnost gallia a další složku píku Si 2p. Tato komponenta byla přiřazena amorfnímu křemíku. Veškeré gallium bylo ze vzorku odstraněno při žíhání vzorku na teplotě 700 °C po dobu 120 minut.
Interakce pomalých elektronů s grafenovými polem řízenými tranzistory
Vysocký, Filip ; Kunc, Jan (oponent) ; Čechal, Jan (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se zaměřuje na přípravu grafenových polem řízených tranzistorů, charakterizaci jejich transportních vlastností v UHV podmínkách a popis vlivu svazku nízkoenergiových elektronů na transportní vlastnosti těchto přístrojů. Teoretická část práce pojednává o metodách výroby grafenu, jejich přenosu na cílový substrát k přípravě grafenových polem řízených tranzistorů, dále jsou zde popsány modely dotování grafenu založené na elektrostatické interakci a osvitu svazkem fotonů nebo elektronů. Experimentální část práce je založena na přípravě grafenových polem řízených tranzistorů k popisu změn transportních vlastností těchto systémů vlivem dotování grafenových vrstev nízkoenergiovým svazkem elektronů v závislosti na energii a proudu svazku.
Růst epitaxních kobaltových (CoSi2) ostrůvků pomocí epitaxe řízené oxidovou vrstvou
Stará, Veronika ; Kolíbal, Miroslav (oponent) ; Čechal, Jan (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá studiem přípravy a růstu kobaltových tenkých vrstev. Jako substrát byla použita křemíková deska s orientací (111) pokrytá tenkou vrstvou nativního oxidu SiO2. Pro růst kobaltové vrstvy byla využita metoda epitaxe řízené oxidovou vrstvou. Jako zdroj kobaltových atomů byla využita efuzní cela. Byla zkoumána závislost složení a morfologie substrátu na teplotě žíhání. Dalším bodem výzkumu bylo určení závislosti výsledného vzhledu ostrůvků na množství deponovaného materiálu a orientaci substrátu. Připravené struktury byly zkoumány využitím rentgenové fotoelektronové spektroskopie (XPS), mikroskopie atomárních sil (AFM), rastrovací elektronové mikroskopie (SEM). Abychom změřili tloušťku podpovrchových ostrůvků, byly připravené vzorky leptané v bufrované kyselině fluorovodíkové a následně analyzované pomocí zmíněných metod.

Národní úložiště šedé literatury : Nalezeno 74 záznamů.   1 - 10dalšíkonec  přejít na záznam:
Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.