|
|
Structure defects in SiC radiation detectors
Zetek, Matyáš ; Belas, Eduard (vedoucí práce)
Silicon karbid je širokopásový polovodič o šířce gapu 2.4 eV - 3.3eV. SiC je dobře znám pro své vlastnosti, které dovolují jeho aplikaci v extrémních podmínkách. Jeho potencionální uplatnění je například vysokofrekvenčních a silnoproudých aplikacích, nebo v místech se silnou radiací či vysokou teplotou. V této práci se zaměřujeme na základní výzkum strukturních defektů, který právě umožní vývoj takovýchto detektorů na bázi SiC. Konkrétně zkoumáme bodové defekty a identifikujeme jimi vytvořené hladiny v zakázaném pásu. K tomuto účelu používáme především Photo-Hall effect spectroscopy (PHES), kterou doplňujeme o měření teplotně závislého Hallova jevu a teplotně závislé fotoluminiscence.
|
|
|
Structure defects in SiC radiation detectors
Zetek, Matyáš ; Belas, Eduard (vedoucí práce)
Silicon karbid je širokopásový polovodič o šířce gapu 2.4 eV - 3.3eV. SiC je dobře znám pro své vlastnosti, které dovolují jeho aplikaci v extrémních podmínkách. Jeho potencionální uplatnění je například vysokofrekvenčních a silnoproudých aplikacích, nebo v místech se silnou radiací či vysokou teplotou. V této práci se zaměřujeme na základní výzkum strukturních defektů, který právě umožní vývoj takovýchto detektorů na bázi SiC. Konkrétně zkoumáme bodové defekty a identifikujeme jimi vytvořené hladiny v zakázaném pásu. K tomuto účelu používáme především Photo-Hall effect spectroscopy (PHES), kterou doplňujeme o měření teplotně závislého Hallova jevu a teplotně závislé fotoluminiscence.
|
|
|
Structure defects in SiC radiation detectors
Zetek, Matyáš ; Belas, Eduard (vedoucí práce) ; Hazdra, Pavel (oponent)
Silicon karbid je širokopásový polovodič o šířce gapu 2.4 eV - 3.3eV. SiC je dobře znám pro své vlastnosti, které dovolují jeho aplikaci v extrémních podmínkách. Jeho potencionální uplatnění je například vysokofrekvenčních a silnoproudých aplikacích, nebo v místech se silnou radiací či vysokou teplotou. V této práci se zaměřujeme na základní výzkum strukturních defektů, který právě umožní vývoj takovýchto detektorů na bázi SiC. Konkrétně zkoumáme bodové defekty a identifikujeme jimi vytvořené hladiny v zakázaném pásu. K tomuto účelu používáme především Photo-Hall effect spectroscopy (PHES), kterou doplňujeme o měření teplotně závislého Hallova jevu a teplotně závislé fotoluminiscence.
|
|
|
Elektrické a optické vlastnosti monokrystalů ZnO
Zetek, Matyáš ; Belas, Eduard (vedoucí práce) ; Moravec, Pavel (oponent)
Pomocí měření Hallova jevu do nízkých teplot byly studovány elektrické a optické vlastnosti monokrystalů ZnO. Studovali jsme vliv defektů na tyto vlastnosti. Zkoumali jsme donorové a akceptorové hladiny v materiálu a pokusili se objasnit jejich původ. Materiál byl charakterizován pomocí měrného elektrického odporu, koncentrace volných nosičů a jejich pohyblivosti. Žíháním materiálu v parách Zn jsme změnili koncentraci defektů a zvýšili pohyblivost nosičů. Byla zkoumána fotoluminiscence vybuzená nad gapovým zářením, pozorovali jsme "zelenou" fotoluminiscenci a její posun k modrým vlnovým délkam po žíhání krystalu. Powered by TCPDF (www.tcpdf.org)
|
host ::
RSS.