|
| |
|
|
Ultrafast response of electrons in nanostructured and disordered semiconductor systems studied by time-resolved terahertz spectroscopy
Zajac, Vít ; Kužel, Petr (vedoucí práce) ; Lloyd-Hughes, James (oponent) ; Ostatnický, Tomáš (oponent)
disertační práce Název práce: Studium ultrarychlé odezvy elektronů v nanostrukturovaných a neuspořádaných polovodičových systémech pomocí časově rozlišené terahertzové spektroskopie Autor: Vít Zajac Katedra / Ústav: Fyzikální ústav Akademie věd ČR, v. v. i. Vedoucí disertační práce: doc. RNDr. Petr Kužel, Ph.D., Fyzikální ústav Akademie věd ČR, v. v. i. Abstrakt: Tato disertační práce se zabývá transportem náboje v polovodičových nanomateriálech na pikosekundové časové škále s použitím časově rozlišené terahertzové spektroskopie. V práci byla shrnuta problematika efektivní odezvy kompozitních materiálů a formulován VBD model efektivního prostředí. Bylo odvozeno řešení vlnové rovnice pro šíření sondovacího THz pulsu v (opticky) nehomogenně buzených perkolovaných a neperkolovaných polovodičových nanomateriálech. Tato teorie byla použita k vyšetření transportu náboje ve vzorcích křemíkových nanokrystalů získaných z nanoporézního křemíku a v epitaxních supermřížkách křemíkových nanokrystalů. Experimentální spektra byla úspěšně modelována s použitím Monte Carlo metody výpočtu pohyblivosti nosičů náboje v systémech nanokrystalů s odpovídajícími velikostmi a stupni perkolace v rámci VBD aproximace. Bylo zjištěno, že v signálu měřitelném optickými a THz metodami převládá odezva nanokrystalů z různých částí...
|
|
|
Poruchy limitující sběr náboje v semiizolačním CdZnTe
Zajac, Vít ; Franc, Jan (vedoucí práce) ; Šikula, Josef (oponent)
Název práce: Poruchy limitující sběr náboje v semiizolačním CdZnTe Autor: Vít Zajac Katedra / Ústav: Fyzikální ústav UK Vedoucí diplomové práce: doc. Ing. Jan Franc, DrSc., Fyzikální ústav UK Abstrakt: Na 4 vzorcích ze 2 krystalů se podařilo pozorovat fotoluminiscenční přechody hluboko v zakázaném pásu semiizolačního Cd1-xZnxTe (x = 0,02 - 0,18) na řadě bodů podél osy růstu. Pozorované spektrální čáry vypovídají o přítomnosti hlubokých hladin ve vzorku a jejich intenzita je do jisté míry úměrná koncentraci těchto hladin. Porovnáním s rozložením měrného odporu a fotovodivosti změřeným bezkontaktní metodou bylo zjištěno, že mezi změnou intenzity fotoluminiscence hlubokých hladin a změnou měrného odporu ani fotovodivosti neexistuje přímočarý vztah. Korelační analýzou průběhu měrného odporu a fotovodivosti na 6 vzorcích ze 4 krystalů byl potvrzen následující model: Posun Fermiho meze v zakázaném pásu vyvolaný změnou kompenzačních podmínek je doprovázen jednoznačnou změnou měrného odporu krystalu a má za následek změnu obsazení hlubokých hladin. To vyvolá změnu fotovodivosti krystalu, protože míra obsazení hlubokých hladin má rozhodující vliv na jejich schopnost zachytávat fotogenerované nosiče náboje. Klíčová slova: CdZnTe, měrný odpor, fotovodivost, obsazení hlubokých hladin, fotoluminiscence.
|
|
| |
host ::
RSS.