Národní úložiště šedé literatury Nalezeno 6 záznamů.  Hledání trvalo 0.00 vteřin. 
AB INITIO STUDY OF EFFECT OF SEGREGATED SP-IMPURITIES AT GRAIN BOUNDARIES IN NICKEL
Všianská, Monika ; Šob, Mojmír
The embrittling/strengthening effects of segregated sp-elements in the 3rd 4th and 5th period (Al, Si, P, S, Ga, Ge, As, Se, In, Sn, Sb and Te) at the Sigma 5(210) grain boundary (GB) in fcc nickel have been investigated using density functional theory. We predict Si as a GB cohesion enhancer, Al and P have none or minimal strengthening effect and S, Ga, As, Se, In, Sn, Sb and Te are GB embrittlers in Ni. We also analyze the segregation enthalpy of all impurities. It turns out that AI, Ga, In, Sn, Sb and Te are substitutional and Si, P, S, Ge, As and Se interstitial impurities at the GB in Ni.
Studium vlivu segregovaných nečistot na magnetismus hranic zrn a povrchů v FCC niklu a kobaltu
Všianská, Monika ; Vémolová, H. ; Šob, Mojmír
Na základě výpočtů elektronové struktury z prvních principů studujeme vliv segregovaných sp nečistot (Al, Si, P, S, Ga, Ge, As, Se, In, Sn, Sb a Te) na hranici zrn (GB) 5(210) a na volném povrchu (FS) (210) fcc niklu a kobaltu. Provádíme přitom úplnou relaxaci atomové konfigurace GB a FS bez nečistot i se substitučně a intersticiálně vloženými nečistotami. Analyzujeme vliv studovaných nemagnetických nečistot na rozložení magnetického momentu, geometrické uspořádání atomů v okolí GB a FS a hustoty elektronových stavů. Vysvětlujeme také, proč při segregaci studovaných nečistot mohou být magneticky mrtvé vrstvy přítomny v niklu, ale nikoliv v kobaltu.
Vliv segregovaných nemagnetických sp-nečistot na vlastnosti hranic zrn a povrchů v niklu
Všianská, Monika ; Šob, Mojmír
V práci jsme studovali segregaci 12 nemagnetických sp-nečistot (Al, Si, P, S, Ga, Ge, As, Se, In, Sn, Sb and Te) na hranici zrn Sigma5(210) a na povrchu (210) ve feromagnetickém niklu a analyzujeme jejich vliv na strukturu a magnetické a mechanické vlastnosti. Určili jsme preferenční místa segregace atomů nečistot a vypočetli jsme jejich segregační entalpie a zkřehčovací energie včetně rozkladu na mechanickou a chemickou komponentu. Ukázali jsme, že magneticky mrtvé vrstvy na hranicích zrn a površích se segregovanými nečistotami jsou způsobené silnou hybridizací sp-stavů nečistot a d-stavů niklu.
Structure and magnetism of clean and impurity-decorated grain boundaries in nickel from first principles
Všianská, Monika ; Šob, Mojmír
We present a detailed theoretical study of segregation of sp-elements from the 3rd-5th period (Al, Si, P, S, Ga, Ge, As, Se, In, Sn, Sb and Te) at the Sigma5(210) grain boundary (GB) in fcc FM Ni. Whereas there is a slight enhancement of magnetization at the clean GB and FS with respect to bulk nickel (3–7% and 24%, respectively), the studied impurities entirely kill or strongly reduce ferromagnetism at the GB so that magnetically dead layers are formed. We determine the preferred segregation sites at the GB for the impurities studied, their segregation enthalpies and strengthening/embrittling energies. We find interstitially segregated Si and P and substitutionally segregated Al as a GB cohesion enhancer, and interstitially segregated S, Ge, As, Se and substitutionally segregated Ga, In, Sn, Sb and Te as GB embrittlers in Ni. As there is very little experimental information on GB segregation in nickel most of the present results are theoretical predictions which may motivate future experimental work.
Elektronová struktura slitin india a cínu
Všianská, Monika ; Legut, Dominik ; Šob, Mojmír
Na základě výpočtů elektronové struktury z prvních principů je studována elektronová struktura a totální energie gamma-cínu.
Elektronová struktura slitin india a cínu
Všianská, Monika ; Legut, Dominik ; Šob, Mojmír
Systém InSn je zajímavý tím, že v koncentrační oblasti od 72 do 87 at% Sn při 25 °C and od 73 do 85 at% Sn při -150 °C vykazuje prostou hexagonální strukturu. Tyto slitiny se obvykle nazývají gama-cín. Slitiny InSn jsou neuspořádané v celém koncentračním intervalu. V tomto příspěvku studujeme chování totální energie a elektronovou strukturu systému InSn z prvních principů. K popisu neuspořádanosti používáme zjednodušenou verzi aproximace virtuálního krystalu. Ukazuje se, že tento přístup postihuje některé aspekty fázového složení systému InSn, zejména předpovídá existenci prosté hexagonální struktury v oblasti kolem 80 at% Sn.

Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.