|
|
Návrh detektoru sekundárních elektronů pro ultravakuový elektronový mikroskop
Skladaný, Roman ; Zigo, Juraj (oponent) ; Bábor, Petr (vedoucí práce)
V této diplomové práci je představen konstrukční návrh tubusového detektoru sekundárních elektronů (SE). Jedná se o ultravakuově kompatibilní scintilační vláknový detektor určený pro použití v ultravakuovém rastrovacím elektronovém mikroskopu (UHV SEM). Navržený tubusový detektor SE byl po překonání vývojových výzev vyroben, otestován a je plně funkční. První část této práce se zabývá teoretickým základem potřebným pro pochopení principů funkce aparatury UHV SEM a způsobům detekce SE. V druhé části je popsán konstrukční návrh tubusového detektoru SE. Následuje poslední část, ve které je ověřována funkčnost navrženého detektoru. Byla otestována efektivita světelného odstínění detektoru a změřena kvantová detekční účinnost detektoru. Nakonec byly vyhodnoceny a porovnány obrázky vytvořené navrženým tubusovým detektorem a komorovým detektorem SE.
|
|
|
Semiconductor diagnostics and monitoring of chemical reactions by SIMS method
Janák, Marcel ; Skladaný, Roman (oponent) ; Bábor, Petr (vedoucí práce)
Time-of-flight secondary ion mass spectrometry (TOF-SIMS) is a powerful surface science technique with high sensitivity for elemental composition. This work demonstrates TOF-SIMS abilities in three different research areas. The first part deals with the localization of high voltage dies defects, which is necessary for their further characterization by the TOF-SIMS method. For this purpose, an experimental setup with control software allowing automated measurement of leakage current tests at various die locations was proposed. The second part deals with the quantification of Mg dopant depth profiles in various AlGaN samples. The quantification is based on the RSF method and allows the characterization of doped AlGaN heterostructures for high electron mobility transistors (HEMT) or various optoelectronic devices. A set of 12 Mg doped AlGaN calibration samples for quantification of depth profiles was prepared by the ion implantation technique. The last part demonstrates the abilities of the static TOF-SIMS method in heterogeneous catalysis research. Our primary research objective is the dynamics of catalytic carbon monoxide oxidation to carbon dioxide on platinum polycrystalline microstructures at high vacuum pressures. In this work, we present the first real-time observations of spatiotemporal patterns of varying surface coverages during distinct catalyst regimes. TOF-SIMS observations were correlated with analogous scanning electron microscopy (SEM) observations of gas-phase- and temperature-induced processes on Pt surfaces.
|
|
|
Adaptace aparatury UHV SEM pro tvorbu a charakterizaci nanostruktur
Skladaný, Roman ; Mach, Jindřich (oponent) ; Páleníček, Michal (vedoucí práce)
V této bakalářské práci je představeno konstrukční řešení ochrany objektivu ultra vakuového rastrovacího elektronového mikroskopu (UHV SEM), který je součástí komplexní modulární UHV aparatury používané k tvorbě, pozorování a charakterizaci nanostruktur. Jsou vysvětleny hlavní fyzikální a technické principy fungování zařízení UHV SEM. Dále je popsána adaptace efuzní cely používané ke tvorbě ultratenkých vrstev v aparatuře UHV SEM. V další části práce je navrženo konstrukční řešení clony redukující ohřívání a kontaminaci objektivu při in situ růstu a pozorování nanostruktur. V případě chlazení vzorku na kryogenní teploty lze clonou objektivu také chránit vzorek před tepelným zářením z okolí.
|
|
|
Semiconductor diagnostics and monitoring of chemical reactions by SIMS method
Janák, Marcel ; Skladaný, Roman (oponent) ; Bábor, Petr (vedoucí práce)
Time-of-flight secondary ion mass spectrometry (TOF-SIMS) is a powerful surface science technique with high sensitivity for elemental composition. This work demonstrates TOF-SIMS abilities in three different research areas. The first part deals with the localization of high voltage dies defects, which is necessary for their further characterization by the TOF-SIMS method. For this purpose, an experimental setup with control software allowing automated measurement of leakage current tests at various die locations was proposed. The second part deals with the quantification of Mg dopant depth profiles in various AlGaN samples. The quantification is based on the RSF method and allows the characterization of doped AlGaN heterostructures for high electron mobility transistors (HEMT) or various optoelectronic devices. A set of 12 Mg doped AlGaN calibration samples for quantification of depth profiles was prepared by the ion implantation technique. The last part demonstrates the abilities of the static TOF-SIMS method in heterogeneous catalysis research. Our primary research objective is the dynamics of catalytic carbon monoxide oxidation to carbon dioxide on platinum polycrystalline microstructures at high vacuum pressures. In this work, we present the first real-time observations of spatiotemporal patterns of varying surface coverages during distinct catalyst regimes. TOF-SIMS observations were correlated with analogous scanning electron microscopy (SEM) observations of gas-phase- and temperature-induced processes on Pt surfaces.
|
|
|
Návrh detektoru sekundárních elektronů pro ultravakuový elektronový mikroskop
Skladaný, Roman ; Zigo, Juraj (oponent) ; Bábor, Petr (vedoucí práce)
V této diplomové práci je představen konstrukční návrh tubusového detektoru sekundárních elektronů (SE). Jedná se o ultravakuově kompatibilní scintilační vláknový detektor určený pro použití v ultravakuovém rastrovacím elektronovém mikroskopu (UHV SEM). Navržený tubusový detektor SE byl po překonání vývojových výzev vyroben, otestován a je plně funkční. První část této práce se zabývá teoretickým základem potřebným pro pochopení principů funkce aparatury UHV SEM a způsobům detekce SE. V druhé části je popsán konstrukční návrh tubusového detektoru SE. Následuje poslední část, ve které je ověřována funkčnost navrženého detektoru. Byla otestována efektivita světelného odstínění detektoru a změřena kvantová detekční účinnost detektoru. Nakonec byly vyhodnoceny a porovnány obrázky vytvořené navrženým tubusovým detektorem a komorovým detektorem SE.
|
|
|
Adaptace aparatury UHV SEM pro tvorbu a charakterizaci nanostruktur
Skladaný, Roman ; Mach, Jindřich (oponent) ; Páleníček, Michal (vedoucí práce)
V této bakalářské práci je představeno konstrukční řešení ochrany objektivu ultra vakuového rastrovacího elektronového mikroskopu (UHV SEM), který je součástí komplexní modulární UHV aparatury používané k tvorbě, pozorování a charakterizaci nanostruktur. Jsou vysvětleny hlavní fyzikální a technické principy fungování zařízení UHV SEM. Dále je popsána adaptace efuzní cely používané ke tvorbě ultratenkých vrstev v aparatuře UHV SEM. V další části práce je navrženo konstrukční řešení clony redukující ohřívání a kontaminaci objektivu při in situ růstu a pozorování nanostruktur. V případě chlazení vzorku na kryogenní teploty lze clonou objektivu také chránit vzorek před tepelným zářením z okolí.
|
host ::
RSS.