|
|
Kvantifikace vodíku pomocí elektronové spektroskopie
Endstrasser, Zdeněk ; Polčák, Josef (oponent) ; Čechal, Jan (vedoucí práce)
Absence vodíku ve fotoelektronovém spektru zůstává jedním z největších omezení rentgenové fotoelektronové spektroskopie. Hlavním cílem této práce je proto stanovení koncentrace vodíkových atomů ve zkoumaných vzorcích. K tomu účelu je využita elektronově spektroskopická metoda REELS založená na kvazi-elastickém rozptylu elektronů. Volba této metody byla určena zejména skutečností, že fotoelektronové spektrometry obsahují elektronový zdroj v základní výbavě, a pro provedení potřebných měření je tak využita pouze jediná aparatura. V našem případě byla měření provedena na fotoelektronovém spektrometru AXIS Supra v laboratořích CEITEC. V této práci jsme se primárně věnovali polymerním vzorkům, jejichž povrchová vrstva byla odprášena použitím iontových klastrů. Na takto očištěných vzorcích byla provedena měření XPS a REELS. Získaná data byla následně vyhodnocena a výsledky diskutovány. Zásadním výstupem této práce je především stanovení metodologie detekce a kvantifikace vodíkových atomů. Pozornost je však také věnována teoretickému popisu užitých metod a zhodnocení kritických aspektům spojeným s použitím metody REELS. Diskutován je zejména vliv nabíjení vzorku a elektronové dávky na výsledky měření.
|
|
|
Studium morfologie velmi tenkých vrstev XPS analýzou více spektrálních čar jednoho prvku
Pokorný, David ; Šik, Ondřej (oponent) ; Polčák, Josef (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se zabývá metodologií určení tloušťky tenké vrstvy pomocí rentgenového záření stříbrné anody, která poskytuje záření o energii 2984,3 eV. Tato, oproti standardní hliníkové anodě, přibližně dvojnásobná hodnota energie přináší možnost zkoumat ve spektru nové čáry s vyšší vazebnou energií, a také vzhledem k vyšší energii emitovaných fotoelektronů i větší informační hloubku. Pro získání správných výsledků bylo nejprve potřeba provést kalibraci spektrometru Kratos Axis Supra v režimu stříbrné anody a získat potřebnou podobu trasmisní funkce. Samotné určení tloušťky tenké vrstvy bylo provedeno pomocí srovnání poměru intenzit různých čar fotoelektronového spektra s teoretickým modelem. Konkrétně bylo využito peaků Si 1s a Si 2p vázaných v substrátu ve vazbě Si-Si, případně v tenké oxidové vrstvě ve vazbě Si-O. Výsledky ukazují, že pro určení tloušťky tenké vrstvy SiO2/Si je nejlepší využít poměr intenzit pouze jednoho peaku. Stříbná anoda ovšem přináší výhodu ve větší informační hloubce.
|
|
|
Analysis of Trench Insulated Gate Bipolar Transistors
Karlovský, Juraj ; Polčák, Josef (oponent) ; Bábor, Petr (vedoucí práce)
This thesis is focused on the selection and optimalization of suitable analytical methods for study of TIGBT (Trench Insulated Gate Bipolar Transistor) structures with a use of methods, that depict material composition of the studied sample. The theoretical part contain explana-tions of the analytical methods used for measurements and basic principle of operation of an TIGBT transistor. The practical part contain the methodic of measurements and the evaluation of the obtained data and design of optimal procedures in done experiments.
|
|
|
Analýza povrchů pevných látek pomocí fotoelektronů - počítačové řízení experimentů
Polčák, Josef ; Zemek, Josef (oponent) ; Cháb, Vladimír (oponent) ; Šikola, Tomáš (vedoucí práce)
Dizertační práce se zabývá metodami pro výzkum povrchů pevných látek za použití fotoelektronů emitovaných rentgenovým zářením. Jedná se o metody rentgenové fotolektronové spektroskopie - XPS, úhlově závislé XPS - ARXPS a rentgenové fotoelektronové difrakce - XPD. Práce se zaměřuje především na metodu ARXPS, která slouží k analýze hloubkového složení povrchu vzorků. Pro získávání informace o hloubkovém složení z naměřených spekter ARXPS byl vytvořen výpočetní software v prostředí Matlab, který byl testován na simulovaných datech a také na reálných vzorcích. Pro realizaci uvedených fotoelektronových metod byl navržen kompletní manipulační systém, který zabezpečuje transport vzorků ve vakuové aparatuře a také realizaci experimentů uvedenými metodami. Systém je z velké části řízen elektronicky pomocí vytvořeného ovládacího softwaru v počítači a umožňuje provádět tyto experimenty automatizovaně.
|
|
|
Modernizace UHV manipulátoru pro metody SIMS a LEIS
Dao, Tomáš ; Polčák, Josef (oponent) ; Bábor, Petr (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce pojednává o konstrukci manipulátoru pracujícího v podmínkách ultravysokého vakua. První část práce je věnována původnímu návrhu manipulátoru se šesti stupni volnosti, jeho provedení a realizaci. Druhá část se zabývá úpravami manipulátoru. Diskutovány jsou výhody a nevýhody konstrukčních řešení a na základě provozu jsou navrženy úpravy manipulátoru a příslušenství. Hlavní pozornost je věnována návrhu řešení rotace vzorku pomocí krokového motorku pracujícího přímo v ultravysokém vakuu. V rámci úprav je také navržena a testována nová Faradayova sonda pro použití na manipulátoru. V poslední části je s využitím manipulátoru provedena strukturní analýza metodou LEIS ověřující funkčnost a spolehlivost komponent manipulátoru.
|
|
|
Optimalizace termálního disociačního zdroje atomů vodíku pro SEM
Melichárek, Václav ; Polčák, Josef (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tématem této bakalářské práce je optimalizace termálního disociačního zdroje atomárního vodíku. V rámci tohoto tématu byl proveden návrh a konstrukce nové elektronické jednotky k ovládání termálního disociačního zdroje, neboť dosud bylo napájení řešeno užitím universálních laboratorních napájecích zdrojů. V úvodní části práce je stručně rozebrána problematika interakce grafenu s atomárním vodíkem, princip funkce a konstrukční provedení termálního disociačního zdroje atomárního vodíku. Dále jsou zde vymezeny požadavky na konstrukci elektronické jednotky. A je zde rovněž proveden podrobnější rozbor variant řešení koncepčního návrhu této napájecí jednotky a výběr optimálního řešení. V praktické části je proveden podrobnější rozbor variant řešení koncepčního návrhu této elektronické jednotky a je zde popsán výběr optimálního řešení. Dále je detailně rozpracován prováděcí návrh elektronické jednotky, návrh její konstrukce a zejména zapojení.
|
|
|
Leptání SiO2 pomocí depozice Si
Pokorný, David ; Bábor, Petr (oponent) ; Polčák, Josef (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá jednou z nejzajímavějších reakcí probíhajících v pevné fázi v UHV podmínkách, a to rozkladem SiO2 podle rovnice Si + SiO2 = 2SiO. Využívá dosud nevyzkoušený postup - dodání Si atomů nikoli ze substrátu, ale přímou depozicí na povrch oxidu. Jako zdroj křemíkových atomů byla použita efuzní cela. K objasnění principu této reakce bylo využito jak depozice křemíku na SiO2 substrát za pokojové teploty, tak za zvýšené teploty. Byla stanovena aktivační energie a teplotní závislost rychlosti této reakce. Také byla ověřena možnost leptání SiO2 pomocí depozice Si za UHV podmínek. Připravené vzorky byly zkoumány pomocí rentgenové fotoelektronové spektroskopie a mikroskopie atomárních sil.
|
|
|
Studium chemického čištění povrchů metodou LEIS
Staněk, Jan ; Polčák, Josef (oponent) ; Bábor, Petr (vedoucí práce)
Tato práce se zabývá studiem chemicky čištěných povrchů krystalů teluridu kademnatého (CdTe krystalů) pomocí rozptylu nízkoenergiových iontů (metoda LEIS). V teoretické části je popsána fyzikální podstata metody LEIS, včetně experimentálního uspořádání přístroje Qtac100, na kterém byl experiment měřen. Metoda LEIS je také porovnána s rentgenovou fotoelektronovou spektroskopii (XPS). Jsou zde také shrnuty základní vlastnosti a struktura CdTe krystalů, včetně principu fungování detektorů rentgenového záření, pro něž jsou použité krystaly primárně využívány. V experimentální části je popsán samotný proces měření, od kalibračního měření, přes chemické leptání, až po zkoumání leptaného povrchu. Jsou zde ukázky LEISovských spekter s komentáři a interpretacemi, včetně porovnání s daty naměřenými pomocí metody XPS.
|
|
|
Pasivace povrchu germania metodou ALD
Kuba, Jakub ; Polčák, Josef (oponent) ; Kolíbal, Miroslav (vedoucí práce)
Práce se zabývá pasivací povrchu germania pomocí chemického leptání a metodou depozice atomárních vrstev (ALD). Sledována byla především rychlost oxidace povrchu germania a zastoupení jednotlivých oxidů germania po použití vybraných metod pasivace. Součástí práce je rešerše odstraňování nativních oxidů germania a stručný popis použitých metod využívaných pro analýzu (XPS) a depozici tenkých vrstev (ALD).
|
|
|
Studium morfologie velmi tenkých vrstev XPS analýzou více spektrálních čar jednoho prvku
Pokorný, David ; Šik, Ondřej (oponent) ; Polčák, Josef (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se zabývá metodologií určení tloušťky tenké vrstvy pomocí rentgenového záření stříbrné anody, která poskytuje záření o energii 2984,3 eV. Tato, oproti standardní hliníkové anodě, přibližně dvojnásobná hodnota energie přináší možnost zkoumat ve spektru nové čáry s vyšší vazebnou energií, a také vzhledem k vyšší energii emitovaných fotoelektronů i větší informační hloubku. Pro získání správných výsledků bylo nejprve potřeba provést kalibraci spektrometru Kratos Axis Supra v režimu stříbrné anody a získat potřebnou podobu trasmisní funkce. Samotné určení tloušťky tenké vrstvy bylo provedeno pomocí srovnání poměru intenzit různých čar fotoelektronového spektra s teoretickým modelem. Konkrétně bylo využito peaků Si 1s a Si 2p vázaných v substrátu ve vazbě Si-Si, případně v tenké oxidové vrstvě ve vazbě Si-O. Výsledky ukazují, že pro určení tloušťky tenké vrstvy SiO2/Si je nejlepší využít poměr intenzit pouze jednoho peaku. Stříbná anoda ovšem přináší výhodu ve větší informační hloubce.
|
host ::
RSS.