Národní úložiště šedé literatury Nalezeno 4 záznamů.  Hledání trvalo 0.00 vteřin. 
GaN modifikované Schottkyho solární články s rozhraním Grafen/Si
Mohelský, Ivan ; Voborný, Stanislav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato práce se zabývá přípravou a charakterizací Schottkyho solárních článků s přechodem grafen/křemík. Pro tuto studii byla navržena a vyrobena aparatura pro měření I-V charakteristik solárního článku. Rozhraní grafen/křemík bylo dále modifikováno nanokrystaly galium nitridu a byl studován vliv těchto krystalů na vlastnosti solárního článku.
Infrared magneto-spectroscopy of Bi2Te3 topological insulator
Mohelský, Ivan ; Výborný, Karel (oponent) ; Orlita, Milan (vedoucí práce)
The main goal of this thesis is to characterize the electronic band structure of Bi2Te3 topological insulator, a system that is, in an ideal case, insulating in bulk but conducting via metallic surface states. This material has been extensively studied for more than 60 years, however, its bulk band structure is not yet fully understood, especially the characteristics of the band gap are still a matter of discussion. In this thesis, results of a Landau level spectroscopy in magnetic fields up to 34 T, supplemented by ellipsometry at zero magnetic field, are presented to clarify some of the band gap properties. The observed response is consistent with the picture of a direct-gap semiconductor in which charge carriers closely resemble massive Dirac particles. The fundamental band gap reaches Eg = (175±5) meV at low temperatures, and it is not located on the trigonal axis, thus displaying either six or twelvefold valley degeneracy.
Infrared magneto-spectroscopy of Bi2Te3 topological insulator
Mohelský, Ivan ; Výborný, Karel (oponent) ; Orlita, Milan (vedoucí práce)
The main goal of this thesis is to characterize the electronic band structure of Bi2Te3 topological insulator, a system that is, in an ideal case, insulating in bulk but conducting via metallic surface states. This material has been extensively studied for more than 60 years, however, its bulk band structure is not yet fully understood, especially the characteristics of the band gap are still a matter of discussion. In this thesis, results of a Landau level spectroscopy in magnetic fields up to 34 T, supplemented by ellipsometry at zero magnetic field, are presented to clarify some of the band gap properties. The observed response is consistent with the picture of a direct-gap semiconductor in which charge carriers closely resemble massive Dirac particles. The fundamental band gap reaches Eg = (175±5) meV at low temperatures, and it is not located on the trigonal axis, thus displaying either six or twelvefold valley degeneracy.
GaN modifikované Schottkyho solární články s rozhraním Grafen/Si
Mohelský, Ivan ; Voborný, Stanislav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato práce se zabývá přípravou a charakterizací Schottkyho solárních článků s přechodem grafen/křemík. Pro tuto studii byla navržena a vyrobena aparatura pro měření I-V charakteristik solárního článku. Rozhraní grafen/křemík bylo dále modifikováno nanokrystaly galium nitridu a byl studován vliv těchto krystalů na vlastnosti solárního článku.

Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.