Národní úložiště šedé literatury Nalezeno 14 záznamů.  1 - 10další  přejít na záznam: Hledání trvalo 0.00 vteřin. 
Velké objekty v MOVPE strukturách s InAs/GaAs kvantovými tečkami
Samokhin, Jevgen ; Pangrác, Jiří ; Melichar, Karel ; Vavra, I. ; Jurek, Karel ; Mates, Tomáš ; Šimeček, Tomislav ; Hulicius, Eduard
Studovali jsme přítomnost velkých objektů ve vzorcích se samovolně uspořádanými kvantovými tečkami vypěstovanými technologií MOVPE. Vznik velkých objektů a velká koncentrace india uvnitř byla vysvětlena jako kombinovaný proces akumulace In atomů na povrchu a jejich následná povrchová migrace na dlouhé vzdálenosti.
In situ monitorování růstu MOVPE InAs/GaAs struktur s kvantovými tečkami pomocí reflektanční anisotropické
Vyskočil, Jan ; Hospodková, Alice ; Pangrác, Jiří ; Melichar, Karel ; Oswald, Jiří ; Kuldová, Karla ; Mates, Tomáš ; Šimeček, Tomislav ; Hulicius, Eduard
Pomocí reflektanční anisotropické spektroskopie jsme pozorovali a optimalizovali růst struktur s jednou a dvěma vrstvami InAs/GaAs kvantových teček. Vlastnosti vzorků byly po růstu charakterizovány s využitím fotoluminiscence a AFM.
Vlastnosti InAs/GaAs kvantových teček ve vertikálně korelovaných strukturách s dvěma vrstvami kvantových teček získaných pomocí MOVPE
Vyskočil, Jan ; Hospodková, Alice ; Pangrác, Jiří ; Oswald, Jiří ; Mates, Tomáš ; Melichar, Karel ; Šimeček, Tomislav ; Hulicius, Eduard
Studovali jsme tvar QD ve strukturách s vertikálně korelovanými kvantovými tečkami ve dvou vrstvách. Zaměřili jsme se na vliv oddělovací vrstvy na laterální tvar (prodloužení) QD a na intensitu fotoluminiscence.
MOVPE InAs/GaAs kvantové tečky s dlouhovlnnou emisí
Oswald, Jiří ; Kuldová, Karla ; Hospodková, Alice ; Hulicius, Eduard ; Pangrác, Jiří ; Mates, Tomáš ; Melichar, Karel ; Vyskočil, Jan
Jedním ze způsobů umožňujících posuv fotoluminiscenčního spektra InAs/GaAs kvantových teček k delším vlnovým délkám je jejich překrytí vrstvou In.sub.x./sub.Ga.sub.1-x./sub.As redukující pnutí. S rostoucím x byl pozorován posuv PL maxima od 1.28 μm k 1.46 μm.
Strmé InAs/GaAs heteropřechody a velmi tenké kvantové jámy vypěstované pomocí MOVPE
Hulicius, Eduard ; Pacherová, Oliva ; Oswald, Jiří ; Hospodková, Alice ; Pangrác, Jiří ; Šimeček, Tomislav ; Melichar, Karel ; Petříček, Otto ; Chráska, T. ; Holý, V. ; Vávra, I. ; Ouattara, L.
Zjistili jsme, že strmost a symetrie na atomární úrovni je také dosažitelná s technologií MOVPE. V těchto strukturách jsme schopni nalézt pouze periodicitu, zatímco obrázky s rozlišením na atomární úrovni dávají spolehlivé údaje o tlouštce.
Characterization of lasers with ë-InAs layers in GaAs
Hazdra, P. ; Voves, J. ; Oswald, Jiří ; Hulicius, Eduard ; Pangrác, Jiří ; Melichar, Karel ; Šimeček, Tomislav ; Petříček, Otto ; Kuldová, Karla
The dependence of the electroluminescence spectra on the number of ë-InAs layers and on the distance of these ë-InAs layers was studied under pulse excitation in the wide range of current densities.

Národní úložiště šedé literatury : Nalezeno 14 záznamů.   1 - 10další  přejít na záznam:
Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.