Národní úložiště šedé literatury Nalezeno 10 záznamů.  Hledání trvalo 0.00 vteřin. 
Structure and properties of DLC layers for industrial applications
Mates, Tomáš ; Ledinský, Martin ; Vetushka, Aliaksi ; Pikna, Peter ; Fejfar, Antonín ; Marek, A. ; Vyskočil, J. ; Erichsen, J. ; Dawah, P.
Diamond-like carbon (DLC) layers based on amorphous carbon are used for wide range of applications, mostly for mechanical protection of various industrial components. We examined DLC layers at micro- and nanoscale by two independent microscopic techniques: Scanning Electron Microscopy (SEM) and Atomic Force Microscopy (AFM) with a good agreement. We compared DLC layers grown on steel substrate and Si wafer and found similarly structured clusters and a certain difference in the density of nucleation centres. The measurements of local mechanical properties by the AFM tip revealed that the Si wafer behaves as softer material compared to the growing DLC nanoclusters that also exhibit lower values in the map of the relative local friction coefficient. Finally, we observed changes in the Raman spectra of the DLC exposed to annealing at ambient conditions and found a gradual shift from the diamond phase to the graphite phase as a function of increasing temperature.
Souhrnný report výsledků smluvního výzkumu mezi FZU AV ČR, v.v. i. a HVM Plasma s.r.o. za rok 2016
Mates, Tomáš ; Fejfar, Antonín ; Ledinský, Martin ; Vetushka, Aliaksi ; Pikna, Peter ; Bauerová, Pavla
Několika diagnostickými metodami byly zkoumány vzorky ochranných vrstev na bázi DLC (Diamond-like-Carbon) na různých substrátech (testovací tělíska i reálné součástky). Pomocí Ramanovské spektroskopie byly vyhodnocovány vazby ve vzorcích pro bližší určení strukturních variací a povrchových modifikací, a to jak pro čerstvě připravené vzorky, tak zejména pro vzorky které prošly různými zátěžovými testy.\nSkenovacím elektronovým mikroskopem (SEM) byla zkoumána povrchová struktura vrstev v různých místech vzorků a vyhledávána vhodná testovací místa pro následnou analýzu pomocí Mikroskopu atomárních sil (AFM). Mikroskopem AFM ve speciálních režimech byly měřeny mapy lokálních mechanických vlastností (tření, adheze hrotu, disipace energie, atd.). Na vybraném vzorku byla metodou Focussed Ion Beam (FIB) analyzována struktura průřezu vzorku a dále bylo zdokumentováno prvkové složení v různých tloušťkách vrstvy metodou Energy-dispersive X-ray Spectroscopy (EDS).\n
Velké objekty v MOVPE strukturách s InAs/GaAs kvantovými tečkami
Samokhin, Jevgen ; Pangrác, Jiří ; Melichar, Karel ; Vavra, I. ; Jurek, Karel ; Mates, Tomáš ; Šimeček, Tomislav ; Hulicius, Eduard
Studovali jsme přítomnost velkých objektů ve vzorcích se samovolně uspořádanými kvantovými tečkami vypěstovanými technologií MOVPE. Vznik velkých objektů a velká koncentrace india uvnitř byla vysvětlena jako kombinovaný proces akumulace In atomů na povrchu a jejich následná povrchová migrace na dlouhé vzdálenosti.
In situ monitorování růstu MOVPE InAs/GaAs struktur s kvantovými tečkami pomocí reflektanční anisotropické
Vyskočil, Jan ; Hospodková, Alice ; Pangrác, Jiří ; Melichar, Karel ; Oswald, Jiří ; Kuldová, Karla ; Mates, Tomáš ; Šimeček, Tomislav ; Hulicius, Eduard
Pomocí reflektanční anisotropické spektroskopie jsme pozorovali a optimalizovali růst struktur s jednou a dvěma vrstvami InAs/GaAs kvantových teček. Vlastnosti vzorků byly po růstu charakterizovány s využitím fotoluminiscence a AFM.
Vlastnosti InAs/GaAs kvantových teček ve vertikálně korelovaných strukturách s dvěma vrstvami kvantových teček získaných pomocí MOVPE
Vyskočil, Jan ; Hospodková, Alice ; Pangrác, Jiří ; Oswald, Jiří ; Mates, Tomáš ; Melichar, Karel ; Šimeček, Tomislav ; Hulicius, Eduard
Studovali jsme tvar QD ve strukturách s vertikálně korelovanými kvantovými tečkami ve dvou vrstvách. Zaměřili jsme se na vliv oddělovací vrstvy na laterální tvar (prodloužení) QD a na intensitu fotoluminiscence.
MOVPE InAs/GaAs kvantové tečky s dlouhovlnnou emisí
Oswald, Jiří ; Kuldová, Karla ; Hospodková, Alice ; Hulicius, Eduard ; Pangrác, Jiří ; Mates, Tomáš ; Melichar, Karel ; Vyskočil, Jan
Jedním ze způsobů umožňujících posuv fotoluminiscenčního spektra InAs/GaAs kvantových teček k delším vlnovým délkám je jejich překrytí vrstvou In.sub.x./sub.Ga.sub.1-x./sub.As redukující pnutí. S rostoucím x byl pozorován posuv PL maxima od 1.28 μm k 1.46 μm.
Studium mikrokristalického křemíku pomocí kombinovaného AFM mikroskopu
Mates, Tomáš ; Fejfar, Antonín ; Rezek, Bohuslav ; Fojtík, Petr ; Drbohlav, Ivo ; Luterová, Kateřina ; Pelant, Ivan ; Kočka, Jan
V příspěvku jsou prezentovány aktuální výsledky z kombinovaného AFM a ja ukázána souvislodt mezi mikrostrukturou a mikroelektrickými vlastnostmi.

Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.