Národní úložiště šedé literatury Nalezeno 23 záznamů.  1 - 10dalšíkonec  přejít na záznam: Hledání trvalo 0.00 vteřin. 
Kinetic Monte Carlo Simulations in Physics of Thin Films: from Growth to Electronic Properties
Gabriel, Vít ; Kocán, Pavel (vedoucí práce) ; Szabelski, Paweł (oponent) ; Předota, Milan (oponent)
Kinetické Monte Carlo (kMC) je stochastická metoda používaná k simulaci časového vývoje systému. Tento algoritmus nachází uplatnění v různých vědních oborech včetně fyziky tenkých vrstev. V této práci jsme vyvinuli modely založené na metodě kMC pro simulaci růstu a elektronických vlastností tenkých vrstev. Nejprve jsme vyvinuli model pro simulaci růstu multiferoického perovskitu pomocí pulzní laserové depozice (PLD). Model byl ověřen pomocí údajů z literatury a poté použit k objasnění některých jevů pozorovaných při PLD růstu. Inovativně jsme vysvětlili přenos materiálu mezi vrstvami, který je klíčový pro mor- fologii vrstvy, pomocí přirozených procesů založených pouze na konfiguraci ostrůvků na povrchu. Kromě toho se nám podařilo identifikovat příčinu experimentálně pozorovaného poklesu drsnosti povrchu s rostoucí frekvencí laseru. Dále jsme použili metodu kMC ke studiu difuze polaronů s cílem hlouběji pochopit difuzi náboje v dopovaném hematitu. Použili jsme několik aproximací toho, jak mohou dopanty ovlivňovat přenos náboje, a zjistili jsme, že ovlivňují difúzi polaronů spíše glo- bálně než v důsledku silných lokálních efektů. Náš model navíc naznačuje, že proces difuze závisí na typu polaronu. Simulovali jsme také tunelování děrových polaronů do dopova- ného hematitu. I při použití obecného modelu jsme...
Simulations of the organic-molecular ordering on the solid surfaces using pair potentials
Antoš, Jakub ; Kocán, Pavel (vedoucí práce) ; Matvija, Peter (oponent)
Organické molekuly rozptýlené na plochý, nereaktivní, periodický povrch se spontálně uspořádají do superstruktur, které mohou být použity k ladění vlastností povrchu. Tento problém může být studovám za použití velmi přesných kvantově mechanických výpočet- ních modelů. Použití těchto modelů na problémy obsahující stovky atomů a tisíce iter- ací je, nicméně, kvůli jejich složitosti, výpočetně nepraktické. V této práci rozšiřujeme a testujeme existující algoritmus používaný vedoucím této práce. Algoritmus používá metodu párových potenciálů pro zrychlení výpočtů, avšak na úkor přesnosti. Tato metoda zjednodušuje kvantově mechanický popis atomu a uvažuje atom jako bodový náboj a mění komplexní interakci mezi atomy na párově parametrizovatelné funkce. Tato metoda je in- tegrovaná do Monte Carlo simulace, která pro zadanou superstrukturu, získanou z exper- imentálních dat, předpoví konfiguraci molekul v superstruktuře minimalizující celkovou potenciální energii. Algoritmus dává výsledky srovnatelné s přesnějšími, kvantově me- chanickými modely a konverguje k řešení mnohem rychleji. Lze ho použít samostatně nebo jako inicializaci výpočtů založených na kvantové mechanice. 1
Studium růstu oxidu železa na povrchu oxidu ceru
Pchálek, František ; Matvija, Peter (vedoucí práce) ; Kocán, Pavel (oponent)
Oxid ceru (ceroxid) je široce používaný katalyticky aktivní materiál díky své schop- nosti jednoduše uskladňovat kyslík. Katalyzátory obsahující ceroxid modifikovaný železem se vyznačují zvýšenou aktivitou v reakcích jako je oxidace CO nebo NO. Tyto katalyzá- tory byly doposud zkoumané jen ve formě relativně nedefinovaných práškových vzorků. Cílem bakalářské práce je příprava definovanějších modelových epitaxních vrstev oxidu železa na oxidu ceru a jejich studium prostřednictvím metod skenovací skenovací tune- lové mikroskopie (STM), mikroskopie atomárních sil (AFM), rentgenové fotoelektronové spektroskopie (XPS) a difrakce pomalých elektronů (LEED). V rámci bakalářské práce byla nalezena procedura pro přípravu povrchu FeO(111)/ CeO2(111) na substrátu Cu(111). Tato procedura sestává z depozice Fe na povrch CeO2(111) za pokojové teploty a z následného ohřevu v ultravysokém vakuu (UHV) na 700 K. Železo deponované na povrch za pokojové teploty vytváří shluky, které obsahují atomy v neutrálním stavu Fe0 i v iontových stavech Fe2+ a Fe3+ . Po ohřevu na 700 K se všechny atomy Fe oxidují a uspořádají do 2D vrstvy FeO. Překryvem mřížek FeO a CeO2 vzniká moiré struktura, která byla pozorována metodami LEED a STM. Z parametrů moiré struktury byla určena periodicita a orientace deponované vrstvy FeO vůči vrstvě CeO2...
Covalently linked molecular networks on metal-passivated surfaces
Slezák, Peter ; Kocán, Pavel (vedoucí práce) ; Matvija, Peter (oponent)
Tvorba elektronických zariadení len z atómov, prípadne molekúl by mohol byť ďalším krokom pri tvorbe pokročilejších nanotechnológií. Prvotné pokusy už prebehli a vieme, že na niektorých povrchoch je to možné. V tejto práci sme sa pokúsili o tvorbu podobných jednoduchých molekulárnych štruktúr na povrchoch s kremíkovým substrátom. Substrát sme prvotne upravili depozíciou Bizmutu, India a ich kombináciou. Metódy tvorby týchto povrchov sme optimalizovali a následne sme vytvorili jednoduché štruktúry za pomoci deponovaných molekúl Ditienyl- ditiopyrolopyrolu, pričom sa nám úspešne podarilo na viacerých povrchoch vytvoriť zamýšľané štruktúry a usporiadané zoskupenia molekúl na povrchoch Si(111)/In √3 x√7, Si(111)/Bi(√3 x√3) aj na Si(111)/Bi-In(√7 x√7). K týmto štruktúram sme následne vytvorili modely interakcií molekúl na substráte.
Studium interakce adsorbátu s pasivovanými povrchy Si pomocí STM
Matvija, Peter ; Kocán, Pavel (vedoucí práce) ; Švec, Martin (oponent)
Skenovacia tunelová mikroskopia bola použitá na štúdium morfolgie táliovej vrstvy v rôznych štádiách desorbcie Tl z povrchu Si(111) a na štúdium správania sa rôznych adsorbátov na povrchu Si(111)/Tl-(1 × 1). Využitie táliovej vrstvy na pasivásiu povrchu Si(111) bolo bližšie skúmané pre rôzne druhy adsorbátov. Mangánové, hliníkové, indiové a cínové vrstvy, ktoré boli priamo deponované na Si(111)-(7 × 7), boli porovnané s vrstvami pripravenými depozíciou adsorbátu na pasivačnú vrstvu po následnej termálnej desorbcii tália z povrchu (po ohreve na teplote ≈ 400◦ C). Skúmané adsorbáty vykazovali známky extrémne vysokej difuzivity a slabej väzby k Si(111)/Tl-(1 × 1). Pasivačná vrstva bola voči ad- sorbátom stabilná. Aplikácia tália ako surfaktantu spôsobovala zníženie teploty a pokrytia potrebného na prípravu rekonštrukcií pozorovaných na povrchoch pripravených priamou depozíciou adsorbátu. 1
Interaction of metal atoms with metastable reconstructions of the Si(111) surface studied by STM
Matvija, Peter ; Kocán, Pavel (vedoucí práce) ; Ošťádal, Ivan (oponent)
Metódou STM je skúmaný proces rekonštrukcie povrchu Si(111) po naparení tália a jeho následnej desorbcii. Je nameraná závislosť pokrytia povrchu táliom na teplote a z určenej závislosti sú vyvodené vhodné podmienky pre tvorbu povrchu s čo najvyšším zastúpením metastabilných rekonštrukcií (hlavne (5x5) a (9x9)). Na takto vytvorený povrch sú následne naparené rôzne množstvá Al a je pozorovaná možnosť vzniku magických klastrov a iných zaujímavých štruktúr. Sú navrhnuté možné štruktúrne modely pre magické klastre na rekonštrukcii (5x5). V rámci práce je popísaná aparatúra použitá pri meraniach, sú popísané jednotlivé meracie postupy a fyzikálne princípy spojené s prevádzkou STM.
Influence of Si surface passivation on growth and ordering of nanostructures
Matvija, Peter ; Kocán, Pavel (vedoucí práce) ; Rezek, Bohuslav (oponent) ; de la Torre, Bruno (oponent)
Kremík je v súčasnosti najpoužívanejší polovodičový materiál, ktorého aplikácie siahajú od solárnych článkov a senzorov po elektronické zariadenia. Funkcionalizácia povrchu pomocou molekulárnych vrstiev môže vylepšiť vlastnosti kremíkového povrchu a môže zmenšiť veľkosť funkčných prvkov elektronických zariadení. Avšak, nájdenie spôsobu akým molekuly naviazať na konkrétne miesta na povrchu a nájdenie spôsobu akým molekuly usporiadať na kremíkových povrchoch nie je ľahké kvôli vysokej reaktivite kremíku. V tejto práci používame skenovací tunelový mikroskop, ab-initio výpočty a kinetické Monte Carlo simulácie a študujeme adsorpciu organických molekúl na čistom a táliom pasivovanom povrchu Si(111). Ukazujeme, že polarita molekúl má veľký dopad na spôsob naviazania molekúl na čistý povrch. Naše pozorovania dokazujú, že v porovnaní s čistým povrchom sú molekuly a jedno-atomárne adsorbáty na pasivovanom povrchu výrazne mobilnejšie. Zvýšená mobilita molekúl spôsobuje vytvorenie 2D plynu na povrchu a umožňuje tvorbu samousporiadaných molekulárnych štruktúr. V práci navrhujeme novú metódu pre priame pozorovanie 2D molekulárneho plynu a ukazujeme, že pomocou nehomogénneho elektrického poľa je možné kontrolovať fázu molekúl na povrchu, v prípade že tieto molekuly na seba viažu dipólový moment. 1
Preparation of the Si(110)-Tl surface for deposition of organic molecules
Slezák, Peter ; Kocán, Pavel (vedoucí práce) ; Zimmermann, Petr (oponent)
Táto bakalárska práca sa zaoberá tvorbou anizotropného povrchu Si(110)-Tl, ktorý ďalej bude slúžiť ako substrát pre depozíciu organických molekúl ftalocyaninov medi. Cieľom bolo identifikovať relevantné parametre prípravy a optimalizovať výrobný proces povrchu Si(110) s rekonštrukciou (16x2), nájsť najlepšie parametre pre depozíciu tália na tento povrch tak, aby vznikol povrch Si(110)-Tl s rekonštrukciou (1x1) a otestovať vhodnosť tohto výsledného povrchu ako substrát pre ďalšiu depozíciu organických molekúl. V rámci práce je popísaná aparatúra použitá pri meraniach, sú popísané jednotlivé meracie postupy a tiež fyzikálne princípy spojené s prevádzkou STM.
Interaction of adsorbates with passivated Si surfaces studied by STM
Matvija, Peter ; Kocán, Pavel (vedoucí práce)
Skenovacia tunelová mikroskopia bola použitá na štúdium morfolgie táliovej vrstvy v rôznych štádiách desorbcie Tl z povrchu Si(111) a na štúdium správania sa rôznych adsorbátov na povrchu Si(111)/Tl-(1 × 1). Využitie táliovej vrstvy na pasivásiu povrchu Si(111) bolo bližšie skúmané pre rôzne druhy adsorbátov. Mangánové, hliníkové, indiové a cínové vrstvy, ktoré boli priamo deponované na Si(111)-(7 × 7), boli porovnané s vrstvami pripravenými depozíciou adsorbátu na pasivačnú vrstvu po následnej termálnej desorbcii tália z povrchu (po ohreve na teplote ≈ 400◦ C). Skúmané adsorbáty vykazovali známky extrémne vysokej difuzivity a slabej väzby k Si(111)/Tl-(1 × 1). Pasivačná vrstva bola voči ad- sorbátom stabilná. Aplikácia tália ako surfaktantu spôsobovala zníženie teploty a pokrytia potrebného na prípravu rekonštrukcií pozorovaných na povrchoch pripravených priamou depozíciou adsorbátu. 1
Studium kovových povrchů za operando podmínek pomocí vysokotlaké skenovací tunelové mikroskopie
Dlabaja, Petr ; Matvija, Peter (vedoucí práce) ; Kocán, Pavel (oponent)
Název práce: Studium kovových povrchů za operando podmínek pomocí vyso- kotlaké skenovací tunelové mikroskopie Autor: Petr Dlabaja Katedra: Katedra fyziky povrchů a plazmatu Vedoucí bakalářské práce: RNDr. Peter Matvija, Ph.D., Katedra fyziky povrchů a plazmatu Abstrakt: Práce se zabývá zkoumáním monokrystalických povrchů kovů Cu(111) a Pt(111) za zvýšeného tlaku. Tyto povrchy byly vystaveny plynům kyslíku a oxidu uhelnatého v rozmezí tlaků od 1×10−10 mbar po 5 mbar. Změna struktury povrchů byla sledovaná pomocí skenovací tunelové mikroskopie, nízkoenergetické elektronové difrakce a rentgenové fotoelektronové spektroskopie. Ze získaných výsledků vyplynulo, že reaktivní plyny při tlaku ≈ 5 milibarů struk- turu povrchů ovlivňují výrazněji než stejné plyny při řádově nižších tlacích. Povrch Cu(111) za pokojové teploty a tlaku 5 mbar O2 výrazně oxiduje. Povrch Pt(111) za tlaku 5 mbar O2 oxiduje jen lokálně, pod vlivem interakce s hrotem STM. Zvý- šený tlak oxidu uhelnatého na povrchu Cu(111) indukuje vznik nanometrických klastrů, které se shlukují do ostrůvků. Ostrůvky jsou rovnoměrně rozptýlené po celém povrchu Cu(111). Naproti tomu, zvýšený tlak oxidu uhelnatého na povrchu povrchu Pt(111) vyvolává především změny ve tvaru atomárních schodů a změny v rozmístění bodových defektů na povrchu. Získané výsledky...

Národní úložiště šedé literatury : Nalezeno 23 záznamů.   1 - 10dalšíkonec  přejít na záznam:
Viz též: podobná jména autorů
1 Kočan, Peter
Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.