|
|
Analýza expozic muzea v Rumburku
Kusová, Kateřina ; Jareš, Jakub (vedoucí práce) ; Sixta, Václav (oponent)
Tato diplomová práce řeší analýzu expozic muzea v Rumburku. Cílem je analýza po stránce formální a stránce obsahové. Tato analýza je zvolena na základě metody Thomase Thiemeyera, který nahlíží na expozici jako na historický pramen. Tuto metodu tvoří série otázek, které jsou zvolené a modifikované podle charakteru expozic. V teoretické části se diplomová práce nejprve zabývá rolí regionálních muzeí ve společnosti, dále se zaměřuje na tzv. malá muzea, mezi které se muzeum v Rumburku řadí. Dále práce v teoretické části řeší historii a současnost Šluknovského výběžku, ve kterém se Rumburské muzeum nachází, a dále přibližuje město Rumburk. V poslední teoretické části přibližuje historii a současnost muzea v Rumburku. Praktická část se nejprve věnuje detailním popisům expozic. Poté se diplomová práce věnuje formální a obsahové analýze jednotlivých expozic a jejich částí. Z formální analýzy vyplynulo, že expozice jsou vzhledově nejednotné. Nositeli významů jsou především exponáty. Expozice návštěvníka vnímají jako diváka, a nemohou do nich vstupovat. Z analýzy obsahu vyplynulo, že expozice se zaměřují především na 18. a 19. století, které byly pro Šluknovský výběžek hospodářsky i kulturně významné, a to především na osobnosti, které postupně představuje. Hlavní roli v expozicích hrají němečtí obyvatelé, o...
|
|
| |
|
|
Dynamics of delocalized states in molecular systems studied by time-resolved THz spectroscopy
Mics, Zoltán ; Kužel, Petr (vedoucí práce) ; Jepsen, Peter Uhd (oponent) ; Kůsová, Kateřina (oponent)
Tato práce je zaměřena na studium vodivosti lokalizovaných nositelů náboje v různých nanokrystalických materiálech. Použitá experimentální metoda -- THz spektroskopie -- umožňuje měření vodivosti nositelů generovaných dotováním nebo optickou excitací. Při interpretaci naměřených dat bereme v úvahu důležité aspekty transportu náboje, související zejména s nehomogenitou vzorků na mikroskopické úrovni a s omezením pohybu nosičů v důsledku lokalizace. Těžiště práce tvoří studium nanokrystalického ZnO a CdS za použití experimentů a simulací v širokém rozsahu hustoty nosičů a teplot. V ZnO byla pozorována současně přítomnost nosičů s velikou pohyblivostí, hustého elektron-děrového plazmatu a excitonů. Ve vzorcích CdS naše studium odhaluje klíčovou roli klastrů nanokrystalů při lokalizaci náboje. Dynamika pohyblivosti elektronů poukazuje na význam kinetické energie elektronů a její relaxace pro transport náboje. Při teplotě 20 K a při nízké hustotě nosičů jsme poprvé pozorovali přechod mezi režimy lokalizovaných a zcela volných nositelů náboje.
|
|
| |
|
| |
|
|
Světelná emise materiálů založených na křemíku
Kůsová, Kateřina
New characterization techniques based on the use of local luminescence probes enable to study the properties of various nanostructures for optoelectronic applications with high (nanometric) spatial resolution. An experimental setup for measuring by one of these methods, namely, the photon emission induced with the tip of a scanning tunnelling microscope (PESTM), has been built.In the future, this setup will be used for studying the luminescence from individual silicon nanocrystals in contrast to traditional macroscopic measurements providing only the information on the light emission from a large number of nanocrystals. Nanocrystalline silicon is a promising material in which the light emission is enhanced, in contrast to monocrystalline silicon, by quantum connement.Optoelectronic properties of two series of samples containing this interesting material were measured.Firstly, a weak electroluminescence signal and reasonable transport properties of samples prepared by embedding electrochemically etched silicon nanocrystals into SiO2 matrix, and secondly, a conductive path created between individual silicon nanocrystals implanted in a silica glass slab were observed.Besides, for the latter series of samples, an interference model was developed and used to describe their structure. All these results are...
|
|
|
Dynamics of delocalized states in molecular systems studied by time-resolved THz spectroscopy
Mics, Zoltán ; Kužel, Petr (vedoucí práce) ; Jepsen, Peter Uhd (oponent) ; Kůsová, Kateřina (oponent)
Tato práce je zaměřena na studium vodivosti lokalizovaných nositelů náboje v různých nanokrystalických materiálech. Použitá experimentální metoda -- THz spektroskopie -- umožňuje měření vodivosti nositelů generovaných dotováním nebo optickou excitací. Při interpretaci naměřených dat bereme v úvahu důležité aspekty transportu náboje, související zejména s nehomogenitou vzorků na mikroskopické úrovni a s omezením pohybu nosičů v důsledku lokalizace. Těžiště práce tvoří studium nanokrystalického ZnO a CdS za použití experimentů a simulací v širokém rozsahu hustoty nosičů a teplot. V ZnO byla pozorována současně přítomnost nosičů s velikou pohyblivostí, hustého elektron-děrového plazmatu a excitonů. Ve vzorcích CdS naše studium odhaluje klíčovou roli klastrů nanokrystalů při lokalizaci náboje. Dynamika pohyblivosti elektronů poukazuje na význam kinetické energie elektronů a její relaxace pro transport náboje. Při teplotě 20 K a při nízké hustotě nosičů jsme poprvé pozorovali přechod mezi režimy lokalizovaných a zcela volných nositelů náboje.
|
|
| |
|
| |
|
|
Světelná emise materiálů založených na křemíku
Kůsová, Kateřina
New characterization techniques based on the use of local luminescence probes enable to study the properties of various nanostructures for optoelectronic applications with high (nanometric) spatial resolution. An experimental setup for measuring by one of these methods, namely, the photon emission induced with the tip of a scanning tunnelling microscope (PESTM), has been built.In the future, this setup will be used for studying the luminescence from individual silicon nanocrystals in contrast to traditional macroscopic measurements providing only the information on the light emission from a large number of nanocrystals. Nanocrystalline silicon is a promising material in which the light emission is enhanced, in contrast to monocrystalline silicon, by quantum connement.Optoelectronic properties of two series of samples containing this interesting material were measured.Firstly, a weak electroluminescence signal and reasonable transport properties of samples prepared by embedding electrochemically etched silicon nanocrystals into SiO2 matrix, and secondly, a conductive path created between individual silicon nanocrystals implanted in a silica glass slab were observed.Besides, for the latter series of samples, an interference model was developed and used to describe their structure. All these results are...
|
host ::
RSS.