|
|
Ga modifikované Schottkyho solární články s rozhraním Grafen/Si
Hlavička, Ivo ; Lišková, Zuzana (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Obsahem této bakalářské práce je výroba, charakterizace a úprava Schottkyho solárních článků s rozhraním grafen-Si. Nanesením grafenu vyrobeného metodou CVD na křemíkový substrát s elektrodami bylo vytvořeno základní Schottkyho rozhraní solárního článku. Toto rozhraní grafen-Si bylo poté modifikováno žíháním v UHV a byla stanovena závislost účinnosti na teplotě. Dále byly studovány vlivy atomu galia na Schottkyho přechod. Proměřením voltampérových charakteristik byla srovnána účinnost takto vyrobených a upravených článků, načež byla provedena analýza ochuzené zóny Schottkyho přechodu pomocí metody X-EBIC.
|
|
|
Cyklotronová rezonance Diracových elektronů v selenidu bismutitém
Hlavička, Ivo ; Dubroka, Adam (oponent) ; Bartošík, Miroslav (vedoucí práce)
Selenid bismutitý se řadí do skupiny topologických izolátorů---materiálů charakteristických svou pozoruhodnou pásovou strukturou, vyznačující se přítomností Diracovských povrchových stavů s lineární disperzí. V této práci se zabýváme optickou odezvou tohoto materiálu v infračerveném spektru za přítomnosti magnetických polí. V takovém případě probíhá absorpce, jež má charakter cyklotronové rezonance, na volných nosičích náboje. Výsledky experimentů ukazují, že pozorovaná odezva odpovídá spíše modelu hmotných elektronů ve vnitřních stavech nežli modelu nehmotných elektronů na povrchu.
|
|
|
Cyklotronová rezonance Diracových elektronů v selenidu bismutitém
Hlavička, Ivo ; Dubroka, Adam (oponent) ; Bartošík, Miroslav (vedoucí práce)
Selenid bismutitý se řadí do skupiny topologických izolátorů---materiálů charakteristických svou pozoruhodnou pásovou strukturou, vyznačující se přítomností Diracovských povrchových stavů s lineární disperzí. V této práci se zabýváme optickou odezvou tohoto materiálu v infračerveném spektru za přítomnosti magnetických polí. V takovém případě probíhá absorpce, jež má charakter cyklotronové rezonance, na volných nosičích náboje. Výsledky experimentů ukazují, že pozorovaná odezva odpovídá spíše modelu hmotných elektronů ve vnitřních stavech nežli modelu nehmotných elektronů na povrchu.
|
|
|
Ga modifikované Schottkyho solární články s rozhraním Grafen/Si
Hlavička, Ivo ; Lišková, Zuzana (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Obsahem této bakalářské práce je výroba, charakterizace a úprava Schottkyho solárních článků s rozhraním grafen-Si. Nanesením grafenu vyrobeného metodou CVD na křemíkový substrát s elektrodami bylo vytvořeno základní Schottkyho rozhraní solárního článku. Toto rozhraní grafen-Si bylo poté modifikováno žíháním v UHV a byla stanovena závislost účinnosti na teplotě. Dále byly studovány vlivy atomu galia na Schottkyho přechod. Proměřením voltampérových charakteristik byla srovnána účinnost takto vyrobených a upravených článků, načež byla provedena analýza ochuzené zóny Schottkyho přechodu pomocí metody X-EBIC.
|
host ::
RSS.