Harwot, Ondřej - Výsledky hledání - Digitální repozitář

host :: přihlásit Digitální repozitář
		Hledej		Nový záznam		Nápověda		O repozitáři

Hlavní stránka > Výsledky hledání: Harwot, Ondřej

Hledej:

Tipy pro vyhledávaní :: Rozšířené hledání

Hledej ve sbírkách:

Seřadit podle:	Zobrazit výsledky:	Výstupní formát:

	Počítačové modelování MOSFET tranzistoru Major, Jan ; Harwot, Ondřej (oponent) ; Pokorný, Michal (vedoucí práce) Práce je zaměřena na počítačové modelování PN přechodu a MOSFET tranzistoru v programu COMSOL Multiphysics a v programu TiberCAD. V textu je pojednáno o driftu a difůzi v polovodičích. Také je ukázán způsob modelování PN přechodu a MOSFET tranzistoru v programech a srovnání modelů. Úplný záznam
	Planární přenosové vedení na polovodičovém substrátu Chára, Pavel ; Harwot, Ondřej (oponent) ; Pokorný, Michal (vedoucí práce) Cílem této práce bylo seznámit se s typy planárních vedení a diskutovat jejich vlastnosti. Následně pak vytvoření reálných modelů vybraných typů vedení v programu COMSOL Multiphysics a simulací ověřit jejich vlastnosti. Druhá část práce se zabývá modelováním polovodičového substrátu, který nahrazuje dielektrický substrát použitý u vedení v první části práce. Závěrečná část práce se zabývá ověřením dosažených výsledků výpočtem ve specializovaném programu TiberCAD. Úplný záznam
	Planární přenosové vedení na polovodičovém substrátu Chára, Pavel ; Harwot, Ondřej (oponent) ; Pokorný, Michal (vedoucí práce) Cílem této práce bylo seznámit se s typy planárních vedení a diskutovat jejich vlastnosti. Následně pak vytvoření reálných modelů vybraných typů vedení v programu COMSOL Multiphysics a simulací ověřit jejich vlastnosti. Druhá část práce se zabývá modelováním polovodičového substrátu, který nahrazuje dielektrický substrát použitý u vedení v první části práce. Závěrečná část práce se zabývá ověřením dosažených výsledků výpočtem ve specializovaném programu TiberCAD. Úplný záznam
	Počítačové modelování MOSFET tranzistoru Major, Jan ; Harwot, Ondřej (oponent) ; Pokorný, Michal (vedoucí práce) Práce je zaměřena na počítačové modelování PN přechodu a MOSFET tranzistoru v programu COMSOL Multiphysics a v programu TiberCAD. V textu je pojednáno o driftu a difůzi v polovodičích. Také je ukázán způsob modelování PN přechodu a MOSFET tranzistoru v programech a srovnání modelů. Úplný záznam

Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.

Digitální repozitář :: :: :: ::
Powered by v1.1.2
Spravuje

Tato stránka je dostupná také v následujících jazycích:
Česky English