Národní úložiště šedé literatury Nalezeno 5 záznamů.  Hledání trvalo 0.00 vteřin. 
General overview of GaN devices and transport properties of AlGaN/GaN HEMT structures - impact of dislocation density and improved design
Hulicius, Eduard ; Hájek, František ; Hospodková, Alice ; Hubík, Pavel ; Gedeonová, Zuzana ; Hubáček, Tomáš ; Pangrác, Jiří ; Kuldová, Karla
GaN-based nanostructures are used for many present semiconductor devices. The main topics are structures for blue LEDs and LDs, but there are also other interesting and important GaN devices namely for power electronics, scintillators and detectors as well as High Electron Mobility Transistors (HEMT). Reduction of dislocation density considerably increases electron mobility in 2DEG. All presented results support our expectation that a suitably designed AlGaN back barrier can help to prevent this phenomenon.
Nanostructured layer enhancing light extraction from GaN-based scintillator using MOVPE
Vaněk, Tomáš ; Hubáček, Tomáš ; Hájek, František ; Dominec, Filip ; Pangrác, Jiří ; Kuldová, Karla ; Oswald, Jiří ; Hospodková, Alice
Light extraction (LE) efficiency of GaN buffer layer was studied by angle-resolved photoluminescence. We measured enhancement of light extraction efficiency (LEE) up to 154% by introducing the SiNx layer atop the GaN buffer and subsequent GaN light extraction layer (LEL) overgrowth. Morphological properties of GaN.
Influence of Si doping in different layers on luminescence properties of InGaN/GaN multiple quantum well structure
Hájek, František ; Hospodková, Alice ; Oswald, Jiří ; Slavická Zíková, Markéta
Luminescence of InGaN/GaN multiple quantum well (MQW) structure is strongly affected by spontaneous and piezoelectric polarizations. To suppress them, doping with shallow impurities (e. g. Si) can be used. This works presents the effects of Si doping in different layers around the MQW area. On the basis of photoluminescence and cathodoluminescence measurements and band structure simulation, the piezoelectric field is most efficiently reduced when both layers under and over MQW area are Si doped.\n
Studie možnosti ovlivnění procesu transformace primární organické hmoty v kompostu ionty Ca+2 a Mg+2
HÁJEK, František
Tato práce řeší celý proces kompostování od vlastností vstupních materiálů až po vytvoření charakteristických látek v kompostu (humus - fulvokyseliny, huminové kyseliny, huminy). Nastiňuje problémy a řešení spojené se zjištěním kvality a kvantity humusu v kompostu. Podstata práce spočívá v navrhnutí účinné urychlovací přísady pro zahrádkářské komposty.
Urychlovací přísada pro kompostéry a zahrádkářské komposty
HÁJEK, František
Podstata práce spočívá v navržení a výzkumu kvalitní urychlovací přísady do zahrádkářských kompostů. Přísada odstraňuje nedostatky vstupní nadrcené travní hmoty, která se kompostuje. Nadále jsou v práci popsány vlastnosti kompostu, podmínky správného kompostování a právní předpisy k produktu kompostovacího procesu. V metodice práce se řeší účinnost urychlovačů kompostů dostupných v obchodních sítích v tuzemsku a ve světě. Důležitou složkou mého urychlovače je hořčík z dolomitického vápence od firmy HASIT, který kladně ovlivňuje průběh humifikace. Pokus kompostování s tímto urychlovačem proběhl na drcené travní hmotě. K objektivnímu posouzení kvality kompostů se využilo metody stanovení kationtové výměnné kapacity dle Sandhoffa. Podařilo se dosáhnout zvýšení katitontové výměnné kapacity o 22 % u vzorku s urychlovačem ve srovnání s kontrolou, vzorkem kompostované samotné travní hmoty. Na základě zjištěných výsledků lze tvrdit, že navržený urychlovač má patrný kladný vliv na kompostování travní hmoty. Proto další práce na jeho složení má význam.

Viz též: podobná jména autorů
12 Hájek, Filip
2 Hájek, Filip,
4 Hájek, František
Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.