|
| |
|
| |
|
|
ZnO NANOPARTICLES AND THEIR APPLICATIONS – NEW ACHIEVMENTS
Nohavica, Dušan ; Gladkov, Petar
The advantages of ZnO are a low price, good gas sensing properties, photocatalytic activity, antibacterial activity, possibility to prepare structures with interesting optical properties, like photonic crystals, catalytic materials etc. In our laboratory the special research type of MOCVD apparatus has been developed. In the study we have investigated the influence of the growth rate on the morphology of ZnO deposited on Si (100), GaP (111) as well as nanoporous GaP. The same apparatus has been used for ZnO nanoparticles preparation with the diameter of individual nanoparticles of about 25 nm.
|
|
| |
|
|
Asymetrie krystalografických pórů v polovodičích A.sup.3./sup. B.sup.5./sup
Nohavica, Dušan ; Gladkov, Petar ; Jarchovský, Zdeněk
V příspěvku je dokumentována naprostá neekvivalence rovin (011) z hlediska vytváření porů v InP a některých dalších sloučeninách A.sup.3./sup. B.sup.5./sup. . V rovině (01-1) existují tři druhy krystalograficky orientovaných porů s různou orientací. V rovině kolmé, (011) existují pouze trojúhelnikové průsečíky porů s touto rovinou. Tepelným zpracováním InP destiček jsou pory konvertovány do sférických dutin, jejichž laterálním zárustem se daří snižovat hustotu defektů prorůstajících z podložky.
|
|
| |
|
| |
|
|
Tvorba mikro a nanoporů v polovodičích A.sup.3./sup. B.sup.5./sup
Nohavica, Dušan ; Gladkov, Petar ; Zelinka, Jiří ; Dvořák, Martin ; Pirov, J.
Elektrochemicky lze vytvářet pory take v polovodičích A.sup.3./sup. B.sup.5./sup.. Konkrétně byly v naší laboratoři studovány podmínky přípravy porů v InP, GaAs a GaP. Nejúplnější soubor výsledků byl shromážděn v případě InP, který umožňuje přípravu téměř dokonale samoorganizovaných mikroporů. Byly připraveny i struktury vícenásobné, kombinující krystalografické a proudové pory. Jsou uvedeny i podrobnosti vedoucí k přípravě různě orientovaných krystalografických porů. Roněž v GaAs a GaP existují oba typy porů, ale v jejich pravidelnosti existují specifické rozdíly.
|
|
|
Příprava a vlastnosti heterostruktur GaInP.sub.2./sub./GaAs
Nohavica, Dušan ; Gladkov, Petar ; Žďánský, Karel
Heteropřechody GaInP.sub.2./sub./GaAs byly pěstovány při teplotě 800.sup.o./sup.C epitaxně z kapalné faze. Růstové podmínky pro dosažení perfektní povrchové morfologie a bezdefektního růstu se nacházejí ve velice úzkém rozmezí. Byl prozkoumán růst GaAs z Bi nebo Bi-Ga taveniny na ternární vrstvě. Byl navržen nový model popisující tvorbu defektů v GaInP2 při narušení planarity podložky. Byla nalezena ostrá hranice mezi oblastí uspořádané a neuspořádané sítě dislokací v Bi:GaAs vrstvě na ternáru.
|
host ::
RSS.