| |
|
Metodika odstraňování prachových částic z povrchu papíru, kolagenních materiálů a textilu pomocí TEA CO2 laseru.
Mašková, Ludmila ; Jandová, Věra ; Vávrová, P. ; Součková, M. ; Neoralová, J. ; Novotná, D. ; Fajgar, Radek ; Smolík, Jiří ; Křížová, T. ; Kocová, K.
Cílem této metodiky bylo vytvořit soubor postupů a doporučení pro čištění materiálů často zastoupených v knihovních fondech, s jejichž využitím bude možné pomocí pulzního \ninfračerveného TEA CO2 laseru odstraňovat prachové částice z jejich povrchu. Základním požadavkem je efektivní odstranění povrchového znečištění bez poškození ošetřovaného \nmateriálu. Za tímto účelem je stanovena prahová intenzita ozáření, při které začíná ablace nečistot z povrchu a prahová intenzita ozáření, při které již začíná degradace knihovních \nmateriálů. Výsledkem je efektivní a bezpečná alternativa ke stávajícím metodám čištění. Dále bylo cílem srovnat výsledky tohoto typu ošetření knihovních materiálů s tradičními postupy mechanického čištění a analyzovat tak možný potenciál využití nové metody.
|
|
Mikroplasty a jejich odstranění z vod pomocí sorbentů.
Spáčilová, Markéta ; Dytrych, Pavel ; Koštejn, Martin ; Fajgar, Radek ; Šolcová, Olga
Zvýšený výskyt cizorodých látek ve vodních zdrojích, ať už mikroplastů či dalších jiných organických kontaminantů je v současné době stále se zvyšující environmentální problém. Tato problematika úzce souvisí se zmapováním jejich výskytu ve vodním prostředí, a dále také s možnými způsoby jejich odstranění. V rámci práce byla nejprve provedena charakterizace připravených mikroplastových částic pěti nejčastěji používaných plastů (polyethylen, polyamid, polytetrafluorethylen, polyethylenglykoltereftalát a polystyren) pomocí skenovací elektronové mikroskopie (SEM), Ramanovy spektroskopie a infračervené spektroskopie (IČ). Tyto mikroplastové částice byly použity pro přípravu simulovaných vod kontaminovaných mikroplasty. Na těchto vzorcích vod byla vyvinuta metodika určení počtu obsažených částeček mikroplastů. Dále byl testován způsob jejich odstranění ze vzorků se simulovanou kontaminací pomocí funkčních sorbentů. Byly použity především sorbenty na bázi přírodních bentonitů a zeolitů. Bylo potvrzeno, že účinnost těchto materiálů závisí nejen na jejich složení a texturních vlastnostech, avšak dá se zvýšit pomocí jejich modifikace.\n\n
Plný tet: PDF
|
|
Metodika odstraňování prachových částic z povrchu papíru, kolagenních materiálů a textilu pomocí TEA CO2 laseru: výsledek projektu NAKI II DG18P02OVV048 - „Výzkum a vývoj pokročilých technik čištění knih a rukopisů“
Mašková, Ludmila ; Jandová, Věra ; Vávrová, Petra ; Součková, Magda ; Neoralová, Jitka ; Novotná, Dana ; Fajgar, Radek ; Smolík, Jiří ; Křížová, Tereza ; Kocová, Kateřina
Cílem této metodiky bylo vytvořit soubor postupů a doporučení pro čištění knihovních materiálů, s jejichž využitím bude možné odstranit prachové částice z jejich povrchu pomocí infračerveného TEA CO2 laseru. Základním požadavkem je efektivní odstranění povrchového znečištění bez poškození ošetřovaného materiálu. Výsledkem je účinná a bezpečná alternativa ke stávajícím metodám čištění.
Plný text: PDF
|
|
Mikroplasty a jejich odstraňování z vod pomocí sorbentů.
Spáčilová, Markéta ; Dytrych, Pavel ; Krejčíková, Simona ; Fajgar, Radek ; Šolcová, Olga
Zvýšený výskyt cizorodých látek ve vodních zdrojích, ať už mikroplastů či dalších jiných organických kontaminantů je v současné době stále se zvyšující environmentální problém. Tato problematika úzce souvisí se zmapováním jejich výskytu ve vodním prostředí, a dále také s možnými způsoby jejich odstranění. V rámci práce byla nejprve provedena charakterizace připravených mikroplastových částic pěti nejčastěji používaných plastů (polyethylen, polyamid, polytetrafluorethylen, polyethylenglykoltereftalát a polystyren) pomocí skenovací elektronové mikroskopie (SEM), Ramanovy spektroskopie a infračervené spektroskopie (IČ). Tyto mikroplastové částice byly použity pro přípravu simulovaných vod kontaminovaných mikroplasty. Připravené simulované vzorky vod kontaminovaných mikroplasty byly využity pro vývoj metodiky určení počtu obsažených částic mikroplastů. Dále byly testovány možnosti odstranění mikroplastů ze vzorků pomocí sorbentů na bázi přírodních bentonitů a zeolitů. Bylo potvrzeno, že účinnost sorbentů závisí na jejich složení a texturních vlastnostech a může být zvýšena pomocí jejich modifikace.
|
|
Characterization of hydrogenated silicon thin films and diode structures with integrated silicon and germanium nanoparticles
Stuchlík, Jiří ; Fajgar, R. ; Remeš, Zdeněk ; Kupčík, Jaroslav ; Stuchlíková, Hana
P-I-N diode structures based on the thin films of amorphous hydrogenated silicon (a-Si:H) deposited by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) technique were prepared with embedded Si and Ge nanoparticles. The Reactive Laser Ablation (RLA) of germanium target was used to cover the intrinsic a-Si:H layer by Ge NPs under a low pressure of the silane. The RLA was performed using focused excimer ArF laser beam under SiH4 background atmosphere. Reaction between ablated Ge NPs and SiH4 led to formation of Ge NPs covered by thin GeSi:H layer. The deposited NPs were covered and stabilized by a-Si:H layer by PECVD. Those two deposition processes were alternated repeatedly. Volt-ampere characteristics of final diode structures were measured in dark and under illumination as well as their electroluminescence spectra.
|
| |
| |
| |
|
Characterization of hydrogenated silicon thin films and diode structures with integrated germanium nanoparticles
Stuchlík, J. ; Fajgar, R. ; Remeš, Z. ; Kupčík, Jaroslav ; Stuchlíková, H.
P-I-N diode structures based on the thin films of amorphous hydrogenated silicon (a-Si: H) deposited by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) technique were prepared with embedded Si and Ge nanoparticles. The Reactive Laser Ablation (RLA) of germanium target was used to cover the intrinsic a-Si: H layer by Ge NPs under a low pressure of the silane. The RLA was performed using focused excimer ArF laser beam under SiH4 background atmosphere. Reaction between ablated Ge NPs and SiH4 led to formation of Ge NPs covered by thin GeSi: H layer. The deposited NPs were covered and stabilized by a-Si: H layer by PECVD. Those two deposition processes were alternated repeatedly. Volt-ampere characteristics of final diode structures were measured in dark and under illumination as well as their electroluminescence spectra.
|