|
|
Fully electrostatic low energy scanning electron column
Romanovský, V. ; El-Gomati, M. ; Frank, Luděk ; Müllerová, Ilona
The exploitation of low-energy electrons for examination of the material surfaces has several advantages. One of them is a small depth penetration of the primary electrons (PE) to the observed material. At low energies the charging effects on non-conductive or slightly conductive specimens are suppressed and also radiation damage of the observed specimen is decreased. Since the secondary electron (SE) yield is high, the signal to noise ratio (SNR) is about one order of magnitude larger than those in microscopes operated at 20kV.
|
|
|
Secondary electron contrast of dopped regions in semiconductor - a matter of surface treatment?
Frank, Luděk ; Müllerová, Ilona ; El-Gomati, M.
Direct observation of doped patterns in semiconductor, usually on cleavedsections through multilayers but recently also in plan views of patterneddoping of a technological layer, is acquiring high interest because of its straightforward application in the semiconductor technology. Plenty of experimental data has been collected [1-4] from conventional SEM observation and recently first results showed improved contrasts attainable with specimen immersed into electric field. Main features are the sign of contrast- the p-type regions are always brighter than the n-type ones, and the contrast grows toward lower energies.
|
|
|
Electrostatic mini SLEEM for surface studies
Romanovský, Vladimír ; El-Gomati, M.
Exploitation of the low-energy electrons is advantageous for several reasons. One of them is their smaller penetration depth into the material, which reveals itself as favourable for the surface analysis. Using the low-energy electrons even causes partial, and in some cases total elimination ofcharging effects at non-conductive or slightly conductive specimens. Slowprimary electrons (PE) cause only reduced radiation damage of specimens.
|
|
| |
|
| |
|
|
Elektrostatický nízkoenergiový rastrovací elektronový mikroskop pro Augerovu analýzu
Romanovský, V. ; El Gomati, M. M. ; Frank, Luděk ; Müllerová, Ilona
Byl realizován rastrovací nízkoenergiový elektronový mikroskop (SLEEM) s katodovou čočkou, v níž jako katoda slouží vzorek připojený na záporný potenciál. V tomto uspořádání procházejí elektrony mikroskopem s vysokou energií a na nízkou energii jsou bržděny těsně před svým dopadem na vzorek. Takový systém zajišťuje vysokou úroveň signálu dokonce i při energiích dopadu v desítkách nebo jednotkách eV. Používání primárních elektronů o nízké energii přináší mnohé problémy, jako např. nízký jas zdroje, zvětšené zobrazovací vady a citlivost k rušivým polím. Rastrovací Augerova mikroskopie (SAM) je dobře zavedenou experimentální metodou. Kombinace SAM a SLEEM v jediném zařízení by tedy představovala nástroj postačující k vyřešení problémů, s nimiž se tyto metody potýkají jednotlivě. Ačkoliv již bylo mnohé vykonáno na poli detekce pomalých elektronů, žádná z metod známých v současnosti není způsobilá k zabudování do rastrovacího osvětlovacího tubusu pro analytickou Augerovu mikrosondu
|
host ::
RSS.