Šuľan, Dušan - Výsledky hledání - Digitální repozitář

host :: přihlásit Digitální repozitář
		Hledej		Nový záznam		Nápověda		O repozitáři

Hlavní stránka > Výsledky hledání: Šuľan, Dušan

Hledej:

Tipy pro vyhledávaní :: Rozšířené hledání

Hledej ve sbírkách:

Seřadit podle:	Zobrazit výsledky:	Výstupní formát:

	Stanovení křivek citlivosti pro litograf s gaussovským svazkem Šuľan, Dušan ; Horáček,, Miroslav (oponent) ; Krátký, Stanislav (vedoucí práce) Předkládaná práce se zabývá procesem tvorby struktur pomocí elektronové litografie. Základním zaměřením práce je stanovení křivek citlivosti rezistu PMMA pro elektronový litograf Vistec EBPG 5000+ ES. Křivky citlivosti jsou stanoveny pro různé vývojky, doby vyvolávání a hloubky rezistu. Z těchto křivek jsou poté určeny citlivosti a kontrasty pro danou soustavu rezist-vývojka. Následně jsou křivky citlivosti aplikovány na korekce proximity efektu u reálných struktur, konkrétně u difrakčních periodických mřížek a potom vyhodnoceny. Úplný záznam
	Stanovení křivek citlivosti pro litograf s gaussovským svazkem Šuľan, Dušan ; Horáček,, Miroslav (oponent) ; Krátký, Stanislav (vedoucí práce) Předkládaná práce se zabývá procesem tvorby struktur pomocí elektronové litografie. Základním zaměřením práce je stanovení křivek citlivosti rezistu PMMA pro elektronový litograf Vistec EBPG 5000+ ES. Křivky citlivosti jsou stanoveny pro různé vývojky, doby vyvolávání a hloubky rezistu. Z těchto křivek jsou poté určeny citlivosti a kontrasty pro danou soustavu rezist-vývojka. Následně jsou křivky citlivosti aplikovány na korekce proximity efektu u reálných struktur, konkrétně u difrakčních periodických mřížek a potom vyhodnoceny. Úplný záznam
	Reverse recovery in power integrated circuits Šuľan, Dušan ; Žák, Jaromír (oponent) ; Boušek, Jaroslav (vedoucí práce) The present Master’s thesis deals with the parameter "Reverse Recovery Time" for semiconductor devices and its impact on a typical switching circuits. The first part will clarify what is the "Reverse Recovery Time" and its individual parts is. The next section describes the physical principles. At the end of the theoretical part I am going to analyze the effect on the switching losses and the recommended method of measuring this parameter. The practical part focuses on simulations Dpdr45nres45 diodes in Cadence and TCAD. The last part deals with the design of the circuit for measurements real diodes and show diodes and transistors measurements. Úplný záznam

Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.

Digitální repozitář :: :: :: ::
Powered by v1.1.2
Spravuje

Tato stránka je dostupná také v následujících jazycích:
Česky English